公开(公告)号：CN118919587B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411420332.5

申请日：2024-10-12

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  方媛 ,  吴志帆 ,  方慈浙 ,  韩根全

IPC: H10F77/14 ,  H10F71/00 ,  H10F30/222

Abstract: 本发明提供一种基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底表面的至少一AlScN/Ga2O3异质结构，其中每一AlScN/Ga2O3异质结构包括刻蚀在衬底表面的独立的氧化镓块、沉积在氧化镓块一侧的AlScN层、沉积在氧化镓块一侧的第一金属电极以及沉积在AlScN层一侧的第二金属电极，且AlScN层同氧化镓块形成横向电场，采用横向电场的AlScN/Ga2O3异质结构解决纵向电场的AlScN漏电而导致的光暗电流比低的问题，同时仍然保持氧化镓异质结日盲探测器的高响应度的优点。

公开(公告)号：CN118215390A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410349031.1

申请日：2024-03-26

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 李晓茜 ,  方媛 ,  曾翔宇 ,  吴志帆 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H10N97/00 ,  H10B53/30

Abstract: 本发明提供一种基于铝钪氮薄膜的crossbar逻辑架构及制备方法，包括以下步骤：S1：准备硅基衬底；S2：在硅基衬底上溅射生长底层金属薄膜，并对生长均匀的底层金属薄膜进行光刻刻蚀得到多个独立电极；S3：在底层金属薄膜上溅射生长AlScN薄膜，其中独立电极上表面生长AlScN薄膜形成铁电薄膜电容；S4：在生长均匀的AlScN薄膜上生长顶层金属薄膜，并对生长均匀的顶层金属薄膜进行套刻刻蚀，其中顶层金属薄膜串联铁电薄膜电容，减小铝钪氮薄膜的厚度的同时减小漏电，实现了低漏电、低成本以及可拓展的crossbar逻辑架构，提高了器件性能进而使得器件能够灵活应用于存内计算的广泛领域。

公开(公告)号：CN118588784A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202411069192.1

申请日：2024-08-06

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  吴志帆 ,  黄舒琪 ,  方慈浙 ,  韩根全

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，包括衬底层、Ga2O3薄膜以及金属电极，其中衬底层靠近Ga2O3薄膜的表面部分凹陷形成一个凹槽，Ga2O3薄膜搭设在凹槽上方覆盖凹槽以形成浮空结构，金属电极通过沉积和图案化过程形成于衬底层上并通过退火处理与Ga2O3薄膜形成欧姆接触，解决目前Ga2O3薄膜型氧化镓紫外光电探测器普遍存在响应度和探测率存在矛盾的问题，为高性能的氧化镓紫外探测器的设计和优化提供了新的思路。

公开(公告)号：CN118919587A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411420332.5

申请日：2024-10-12

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  方媛 ,  吴志帆 ,  方慈浙 ,  韩根全

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底表面的至少一AlScN/Ga2O3异质结构，其中每一AlScN/Ga2O3异质结构包括刻蚀在衬底表面的独立的氧化镓块、沉积在氧化镓块一侧的AlScN层、沉积在氧化镓块一侧的第一金属电极以及沉积在AlScN层一侧的第二金属电极，且AlScN层同氧化镓块形成横向电场，采用横向电场的AlScN/Ga2O3异质结构解决纵向电场的AlScN漏电而导致的光暗电流比低的问题，同时仍然保持氧化镓异质结日盲探测器的高响应度的优点。

公开(公告)号：CN118588784B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411069192.1

申请日：2024-08-06

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  吴志帆 ,  黄舒琪 ,  方慈浙 ,  韩根全

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，包括衬底层、Ga2O3薄膜以及金属电极，其中衬底层靠近Ga2O3薄膜的表面部分凹陷形成一个凹槽，Ga2O3薄膜搭设在凹槽上方覆盖凹槽以形成浮空结构，金属电极通过沉积和图案化过程形成于衬底层上并通过退火处理与Ga2O3薄膜形成欧姆接触，解决目前Ga2O3薄膜型氧化镓紫外光电探测器普遍存在响应度和探测率存在矛盾的问题，为高性能的氧化镓紫外探测器的设计和优化提供了新的思路。

公开(公告)号：CN118039728A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410343901.4

申请日：2024-03-25

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 李晓茜 ,  吴志帆 ,  方媛 ,  方慈浙 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提出了超结横向氧化镓紫外探测器及其应用，包括衬底；氧化镓层，位于衬底上表面；氧化镍层，周期性嵌入于氧化镓层，形成异质结；阳极电极，位于氧化镓层其中一端以及氧化镓层的上表面，阴极电极，位于氧化镓层剩余一端以及氧化镓层的上表面；其中，阳极电极和阴极电极均不与氧化镍层接触，阳极电极和阴极电极均氧化镓层形成欧姆接触；氧化镓层和氧化镍层被PN结形成的空间电荷区全覆盖。本发明可以提高光生电子的收集效率，提高器件的响应时间。