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公开(公告)号：CN117012818A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310880924.4
申请日：2023-07-18
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开了一种异质结场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体功率器件的技术领域。本发明的异质结场效应晶体管包括自下而上依次设置的衬底层、Ga2O3缓冲层、AlGaO势垒层和栅电极，Ga2O3缓冲层之上设有源极区域和漏极区域，且源极区域和漏极区域分别位于Ga2O3缓冲层的两端，栅电极包括第一金属和第二金属，栅电极位于源极电极和漏极电极之间，第一金属位于源极电极一侧，第二金属位于漏极电极一侧，第一金属的功函数比第二金属高。本发明通过调节β‑(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3HFETs沟道中的电场分布，能够提高沟道中的载流子漂移速度，从而提高器件的跨导、截止频率、最大振荡频率。
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