公开(公告)号：CN118919587B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411420332.5

申请日：2024-10-12

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  方媛 ,  吴志帆 ,  方慈浙 ,  韩根全

IPC: H10F77/14 ,  H10F71/00 ,  H10F30/222

Abstract: 本发明提供一种基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底表面的至少一AlScN/Ga2O3异质结构，其中每一AlScN/Ga2O3异质结构包括刻蚀在衬底表面的独立的氧化镓块、沉积在氧化镓块一侧的AlScN层、沉积在氧化镓块一侧的第一金属电极以及沉积在AlScN层一侧的第二金属电极，且AlScN层同氧化镓块形成横向电场，采用横向电场的AlScN/Ga2O3异质结构解决纵向电场的AlScN漏电而导致的光暗电流比低的问题，同时仍然保持氧化镓异质结日盲探测器的高响应度的优点。

公开(公告)号：CN118588784A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202411069192.1

申请日：2024-08-06

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  吴志帆 ,  黄舒琪 ,  方慈浙 ,  韩根全

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，包括衬底层、Ga2O3薄膜以及金属电极，其中衬底层靠近Ga2O3薄膜的表面部分凹陷形成一个凹槽，Ga2O3薄膜搭设在凹槽上方覆盖凹槽以形成浮空结构，金属电极通过沉积和图案化过程形成于衬底层上并通过退火处理与Ga2O3薄膜形成欧姆接触，解决目前Ga2O3薄膜型氧化镓紫外光电探测器普遍存在响应度和探测率存在矛盾的问题，为高性能的氧化镓紫外探测器的设计和优化提供了新的思路。

公开(公告)号：CN118472093A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410665355.6

申请日：2024-05-27

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 方慈浙 ,  陈昊伟 ,  李晓茜 ,  王轶博 ,  刘艳 ,  郝跃 ,  韩根全

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了基于异质集成超表面的氧化镓日盲紫外探测器及方法，包括：衬底、氧化镓有源层、超表面阵列、电极，氧化镓有源层位于衬底之上，超表面阵列分布在氧化镓有源层上，电极在氧化镓有源层之上，且分布于超表面阵列两侧；所述超表面阵列由若干超表面单元组成，各超表面单元的电介质材料使其与氧化镓有源层界面处形成空间电荷区，其中靠近氧化镓有源层的一侧为正空间电荷区，靠经超表面单元的一侧为负空间电荷区，正负空间电荷区之间产生内建电场。本发明能有效提升氧化镓光吸收，超表面阵列与氧化镓形成异质结，产生内建电场加快光生载流子的分离，提高器件响应速度。

公开(公告)号：CN118919587A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411420332.5

申请日：2024-10-12

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  方媛 ,  吴志帆 ,  方慈浙 ,  韩根全

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底表面的至少一AlScN/Ga2O3异质结构，其中每一AlScN/Ga2O3异质结构包括刻蚀在衬底表面的独立的氧化镓块、沉积在氧化镓块一侧的AlScN层、沉积在氧化镓块一侧的第一金属电极以及沉积在AlScN层一侧的第二金属电极，且AlScN层同氧化镓块形成横向电场，采用横向电场的AlScN/Ga2O3异质结构解决纵向电场的AlScN漏电而导致的光暗电流比低的问题，同时仍然保持氧化镓异质结日盲探测器的高响应度的优点。

公开(公告)号：CN118588784B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411069192.1

申请日：2024-08-06

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李晓茜 ,  吴志帆 ,  黄舒琪 ,  方慈浙 ,  韩根全

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，包括衬底层、Ga2O3薄膜以及金属电极，其中衬底层靠近Ga2O3薄膜的表面部分凹陷形成一个凹槽，Ga2O3薄膜搭设在凹槽上方覆盖凹槽以形成浮空结构，金属电极通过沉积和图案化过程形成于衬底层上并通过退火处理与Ga2O3薄膜形成欧姆接触，解决目前Ga2O3薄膜型氧化镓紫外光电探测器普遍存在响应度和探测率存在矛盾的问题，为高性能的氧化镓紫外探测器的设计和优化提供了新的思路。

公开(公告)号：CN118039728A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410343901.4

申请日：2024-03-25

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 李晓茜 ,  吴志帆 ,  方媛 ,  方慈浙 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提出了超结横向氧化镓紫外探测器及其应用，包括衬底；氧化镓层，位于衬底上表面；氧化镍层，周期性嵌入于氧化镓层，形成异质结；阳极电极，位于氧化镓层其中一端以及氧化镓层的上表面，阴极电极，位于氧化镓层剩余一端以及氧化镓层的上表面；其中，阳极电极和阴极电极均不与氧化镍层接触，阳极电极和阴极电极均氧化镓层形成欧姆接触；氧化镓层和氧化镍层被PN结形成的空间电荷区全覆盖。本发明可以提高光生电子的收集效率，提高器件的响应时间。

公开(公告)号：CN117542739A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311763752.9

申请日：2023-12-20

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 李晓茜 ,  方慈浙 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供一种透明可折叠的Ga2O3晶体管及制备方法和应用，包括：步骤一、制备背栅Ga2O3场效应晶体管：将Ga2O3薄膜覆盖在标记片的工作面的第一区域，在Ga2O3薄膜和标记片的工作面上光刻阴极窗口和阳极窗口，在标记片的工作面的第二区域上沉积金属电极；步骤二、形成欧姆接触：将制备的背栅Ga2O3场效应晶体管在预定温度下、惰性气氛中快速退火预定时间；步骤三、制备含有Ga2O3器件薄膜：在标记片的工作面上涂胶后浸泡在HF缓冲液中；步骤四、制备柔性衬底；步骤五、转移含有Ga2O3器件薄膜：将含有Ga2O3器件薄膜转移至柔性衬底表面，通过整体转移技术将硬性衬底上的器件转移至柔性可折叠衬底上，制备得到透明可折叠的Ga2O3晶体管。

公开(公告)号：CN117410353A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311499378.6

申请日：2023-11-09

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 方慈浙 ,  杨家泳 ,  刘艳 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种电极光栅化氧化镓纳米腔日盲紫外光电探测器及制备方法，包括：自下而上依次布设的反射层、补偿层、有源层以及光栅电极，其中反射层为金属Al，补偿层采用Al2O3材料沉积在金属材质的反射层上，有源层采用β‑Ga2O3材料，光栅电极为Ti/Al电极叠层结构，且为周期排列的叉指电极形成的光栅结构，通过调整结构参数和周期调控表面等离激元，并在底部使用金属反射镜减少透射，辅助提升有源层光吸收，同时金属光栅作为插指电极降低载流子渡越时间，从光学和电学两方面改善探测器光电性能，为实现高性能日盲紫外光电探测器提供有效途径。