公开(公告)号：CN119556986B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510092562.1

申请日：2025-01-21

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 肖鹏 ,  李富翼 ,  王梓昱 ,  阚丽新 ,  罗拯东 ,  毛伟

IPC: G06F9/30

Abstract: 本发明公开了一种面向存储器多位宽数据写入的寄存器结构及写入方法，寄存器结构包括：命令接收寄存器组与参数缓存寄存器组。命令接收寄存器组用于接收输入命令并对命令数据进行识别，并在完成对命令数据的接收后输出命令完成信号触发参数缓存寄存器组启动；参数缓存寄存器组接收输入命令并对参数数据进行识别，以在接收到命令完成信号后根据命令数据的类型接收并打包相应的参数数据，并生成对应参数数据的数据打包完成信号，以将参数数据输入至对应的目标存储单元中。本发明实现了对命令类型的识别与多位宽数据的灵活传输，提高了数据传输效率，减少了硬件资源浪费，保证了数据传输的准确性和系统的整体性能。

公开(公告)号：CN119579598A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202510136839.6

申请日：2025-02-07

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 王振皓 ,  王佳隆 ,  李晓茜 ,  毛伟 ,  韩根全

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/194 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于轻量化神经网络模型的电弧检测方法及系统，涉及人工智能技术领域。通过将待检测图像输入电弧检测模型；电弧检测模型包括若干深度可分离卷积，且预先经过模型训练和模型量化；通过电弧检测模型根据各深度可分离卷积提取待检测图像的多层次特征，并根据多层级特征输出待检测图像为电弧图像的概率值。本发明采用深度可分离卷积结构建立电弧检测模型，可以提取输入图像的多层次特征进行电弧检测，提高了电弧检测效率与精度。深度可分离卷积结构在卷积层中对空间卷积和通道卷积进行了分离，显著减少了网络参数和计算量，模型量化则进一步优化了系统功耗与计算效率。解决了电弧信号检测方法难以兼顾检测精度和系统功耗的问题。

公开(公告)号：CN119533408A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202510092726.0

申请日：2025-01-21

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 肖鹏 ,  朱星宇 ,  杨鹏城 ,  毛伟 ,  罗拯东 ,  韩根全

IPC: G01C9/00 ,  G01C21/10 ,  G01C25/00

Abstract: 本发明公开了基于存算阵列的倾角检测方法、系统、终端及存储介质，涉及数字电路技术领域。首先获取预先构建的校准存算阵列，校准存算阵列中各计算单元存储的计算参数的确定方法包括：通过校准修正公式获取修正权重矩阵和补偿值数列，根据修正权重矩阵和补偿值数列，确定各计算单元分别存储的计算参数，计算参数为权重值或者补偿值。然后将三轴加速度原始数据输入校准存算阵列，得到三轴加速度校准数据。最后根据三轴加速度校准数据进行倾角检测。本发明将倾角检测过程中复杂的数据校准任务映射到存算阵列中执行，利用存算一体技术中存储和计算深度融合的特点，有效减少了数据搬移开销，从而实现系统功耗的降低和计算速度的提升。

公开(公告)号：CN119556986A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202510092562.1

申请日：2025-01-21

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 肖鹏 ,  李富翼 ,  王梓昱 ,  阚丽新 ,  罗拯东 ,  毛伟

IPC: G06F9/30

Abstract: 本发明公开了一种面向存储器多位宽数据写入的寄存器结构及写入方法，寄存器结构包括：命令接收寄存器组与参数缓存寄存器组。命令接收寄存器组用于接收输入命令并对命令数据进行识别，并在完成对命令数据的接收后输出命令完成信号触发参数缓存寄存器组启动；参数缓存寄存器组接收输入命令并对参数数据进行识别，以在接收到命令完成信号后根据命令数据的类型接收并打包相应的参数数据，并生成对应参数数据的数据打包完成信号，以将参数数据输入至对应的目标存储单元中。本发明实现了对命令类型的识别与多位宽数据的灵活传输，提高了数据传输效率，减少了硬件资源浪费，保证了数据传输的准确性和系统的整体性能。

公开(公告)号：CN118860960A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410872732.3

申请日：2024-07-01

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 李富翼 ,  毛伟 ,  李晓茜 ,  朱星宇 ,  杨鹏城 ,  李博 ,  丁一洝 ,  周久人 ,  刘艳 ,  韩根全

IPC: G06F15/78 ,  G11C11/411 ,  G11C11/414 ,  H03M1/12 ,  H03M1/08

Abstract: 本发明公开了输出动态范围可调的电荷域SRAM存算一体阵列系统，系统包括：升压存算阵列、行控制单元、地址译码器、时钟控制单元、移位寄存器与预充单元。移位寄存器与行控制单元以及升压存算阵列连接；地址译码器与升压存算阵列连接；行控制单元接入驱动电源，并与升压存算阵列连接；时钟控制单元分别与行控制单元以及预充单元连接；预充单元与升压存算阵列连接。行控制单元能够对输入数据进行翻转控制，升压存算阵列能够对翻转信号与权重数据进行乘累加运算并输出累加结果，其中预充单元提供的预充电压可与翻转信号配合对累加结果进行升压处理，以实现输出电压的自举升压，从而可提高模数转换器的量化精度，进而提高整个存算系统的计算精度。

公开(公告)号：CN117519391A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311645135.9

申请日：2023-12-04

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 周久人 ,  许静 ,  屈万园 ,  程然 ,  韩根全 ,  补钰煜 ,  毛伟

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种低温电路中的阈值电压调节电路，包括电流源、参考源、MOSFET晶体管及运算放大器；所述电流源用于确定MOSFET晶体管的静态工作状态，使任何温度状态下的MOSFET晶体管都在固定电流下工作；所述参考源用于提供运算放大器的负输入端的输入，与低温下的栅源电压进行比较；所述MOSFET晶体管用于代表低温电路中所有MOSFET，表征低温下MOSFET晶体管的性能，通过调节所述MOSFET晶体管阈值电压即可调节低温电路中所有MOSFET晶体管阈值电压；所述运算放大器用于负反馈环路，放大低温带来的MOSFET晶体管阈值电压的变化量，反馈到MOSFET晶体管衬底端，从而降低因温度降低带来的阈值电压的升高。本发明在低温环境下降低电路中所有MOSFET晶体管的阈值电压，大大降低低温电路功耗。

公开(公告)号：CN119920279A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510397612.7

申请日：2025-04-01

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 陈冰 ,  曹江涛 ,  陈希博 ,  肖鹏 ,  毛伟 ,  周久人 ,  韩根全

IPC: G11C11/22

Abstract: 本申请公开了一种无线无源铁电存储器。所述无线无源铁电存储器包括：天线、射频模拟前端、数字基带和铁电随机存取存储器；所述天线被配置为接收信号和发射信号；所述射频模拟前端被配置为将数字信号转换为射频信号；所述数字基带连接于所述射频模拟前端和所述铁电随机存取存储器之间，被配置为与所述射频模拟前端相互配合，将外部数据存储至所述铁电随机存取存储器或将所述铁电随机存取存储器中存储的数据输出至外部。这样，所述无线无源铁电存储器利用铁电随机存取存储器写入电压低、低功耗、高存储密度和大存储容量的独特优势解决了传统存储器功耗高、容量小、写入慢等问题，为射频识别技术提供了高效、可靠和灵活的存储解决方案。