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公开(公告)号：CN119947571A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510032600.4
申请日：2025-01-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 一种低热预算铁电二极管内容可寻址存储器，包括依次布置的顶电极、插入层、铁电薄膜和底电极；插入层是铁电薄膜暴露于空气中在表面形成的天然氧化层。其制备方法包括：在衬底上沉积底电极；在底电极上沉积铁电薄膜；将铁电薄膜暴露在空气中使其表面天然氧化得到插入层；在插入层上沉积顶电极。本发明利用天然氧化层获得了铁电二极管器件，从而能够在单个二极管器件上同时实现了存储和XNOR布尔逻辑功能，较传统内容可寻址存储器显著降低功耗和面积开销，有望突破后摩尔时代集成电路产业能效瓶颈。本发明的后道工序兼容铁电二极管拥有330℃的低工艺温度，利于实现三维集成，突破内容可寻址存储器的集成密度限制。
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公开(公告)号：CN118471822B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202410924048.5
申请日：2024-07-11
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种纤锌矿铁电材料硅基衬底集成方法及存储器应用，用于在硅基衬底上制备纤锌矿铁电材料。首先，清洗硅衬底并去除自然氧化层，随后在精密调控的磁控溅射条件下，于真空或非真空环境中沉积纤锌矿铁电薄膜，依赖环境选择调整工艺参数。接下来，采用磁控溅射或电子束蒸发技术在铁电薄膜上淀积顶电极层，过程支持真空互联传输或原位处理以适应不同互联环境。此法优化了纤锌矿铁电材料与硅衬底的集成工艺，提升了器件制备的可靠性与灵活性。
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公开(公告)号：CN119584700A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510135565.9
申请日：2025-02-07
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本方案提供了一种基于双功能自组装钝化层的氧化镓紫外探测器及其制备方法，包括自下而上设置的衬底层、氧化剂层和双功能自组装钝化层，双功能自组装钝化层的两侧设有同氧化镓层接触的金属电极，其中双功能自组装钝化层包括自下而上设置的第一钝化层和第二钝化层，其中第一钝化层的钝化材料为降低氧化镓层表面缺陷的材料，第二钝化层的钝化材料为增强紫外光子吸收率的材料，通过将不同功能的钝化材料组合形成双功能自组装钝化层，采用双功能自组装钝化层对氧化镓紫外探测器进行钝化处理，从减少氧化镓表面缺陷和增强紫外光子吸收两方面共同提升其性能。
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公开(公告)号：CN118072782A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410194940.2
申请日：2024-02-22
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G11C11/22 , G11C5/06 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种肖特基接触结构的可重构存内模拟信号调制器件及制备方法，通过对栅极金属层施加不同的脉冲电压改变铁电层极化状态，极化电场使得双极性转移特性曲线左右移动，源极的源流端电流为载波，栅极金属层的栅极电压的波动为调制波，在不同的铁电层极化状态下，表现出不同的响应关系，实现不同的信号调制功能。本发明通过改变脉冲电压改变铁电层极化状态使得双极性转移特性曲线左右移动，实现不同的信号调制功能，可应用于高度集成的信号调制器阵列和模拟存算一体芯片。
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公开(公告)号：CN116705098A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310680801.6
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 一种铁电电容型存储器多值存储光电协同操作方法，所述铁电电容型存储器包括依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层和顶电极，其特征在于，以所述半导体层的耗尽层电容与铁电介质层电容的串联电容Cacc代表存储信息，向所述顶电极施加写入或擦除的脉冲电压，通过所述脉冲电压的幅值调控半导层的耗尽层电容和铁电介质层的极化状态，即调控半导体层中与铁电介质层中的极化电荷相互响应的光生非平衡载流子的数量，或多数载流子的数量，从而改变Cacc的状态，实现多值存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116435189A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310151217.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L21/463 , B24B29/02 , B24B7/22 , H01L21/428 , H01L21/465
Abstract: 基于光催化辅助的氧化镓晶圆片化学机械抛光方法，将待抛光的氧化镓衬底固定于透光背膜上进行化学机械抛光，在所述化学机械抛光的过程中，利用波长λ
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公开(公告)号：CN116406225A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310436783.7
申请日：2023-04-21
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 一种高均一性浮栅结构铁电隧穿结存储器，包括自下而上依次设置的衬底、底电极层、半导体调控层、铁电层和顶电极层；所述半导体调控层为厚度在纳米量级的重掺半导体层；通过在顶电极层施加正向脉冲，铁电层极化方向指向顶电极层，势垒下降，器件表现开态；施加负向脉冲，铁电层极化方向指向底电极层，势垒增高，器件表现关态。本发明还提供了其制备方法和应用形式。
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公开(公告)号：CN119383978A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411986248.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于栅感应漏电流效应的单晶体管三元内容可寻址存储器及制备方法。该存储器包括自下而上设置的衬底、铁电层和栅极，衬底的有源区中设有漏极掺杂区和源极掺杂区，分别通过沉积接触金属形成漏极和源极。通过对栅极施加不同的脉冲电压调整铁电层的极化状态，实现三元逻辑状态（状态0、状态1、状态X）的数据存储和高速并行搜索。该发明利用铁电层的非易失性存储特性和GIDL效应的高速搜索特性，在极低面积消耗下实现了高效三元逻辑存储及数据搜索功能，具有高存储密度、低功耗、快速响应及良好工艺兼容性的优势，可广泛应用于人工智能、大数据及高效数据处理领域。
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公开(公告)号：CN118434152A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410412101.3
申请日：2024-04-08
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H10B51/30 , H10B51/40 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种可重构铁电晶体管存储器，包括存储端电极、存储端介质层、编程端电极、介质层、源端电极、漏端电极、超薄沟道层、二氧化硅层和硅衬底；通过对存储端电极施加脉冲信号，调控沟道的阈值电压，从而改变存储状态，使得晶体管具有信息存储功能；通过编程端和存储端的多个栅极控制沟道载流子，并利用肖特基势垒的双极性，实现FeFET在同一器件上N型和P型的动态切换，使得FeFET存储器具备可重构特性。本发明利用存储端介质层非易失存储特性，以脉冲信号调控超薄沟道层中存储的电荷，以直流信号调控超薄沟道层中导通电荷的类型和浓度，使得单个晶体管具有信息存储功能，本发明还具有稳定的耐久特性、保持特性和突触特性，具有可重构优势。
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公开(公告)号：CN117519391A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311645135.9
申请日：2023-12-04
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种低温电路中的阈值电压调节电路，包括电流源、参考源、MOSFET晶体管及运算放大器；所述电流源用于确定MOSFET晶体管的静态工作状态，使任何温度状态下的MOSFET晶体管都在固定电流下工作；所述参考源用于提供运算放大器的负输入端的输入，与低温下的栅源电压进行比较；所述MOSFET晶体管用于代表低温电路中所有MOSFET，表征低温下MOSFET晶体管的性能，通过调节所述MOSFET晶体管阈值电压即可调节低温电路中所有MOSFET晶体管阈值电压；所述运算放大器用于负反馈环路，放大低温带来的MOSFET晶体管阈值电压的变化量，反馈到MOSFET晶体管衬底端，从而降低因温度降低带来的阈值电压的升高。本发明在低温环境下降低电路中所有MOSFET晶体管的阈值电压，大大降低低温电路功耗。
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