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公开(公告)号：CN118215390A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410349031.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本发明提供一种基于铝钪氮薄膜的crossbar逻辑架构及制备方法，包括以下步骤：S1：准备硅基衬底；S2：在硅基衬底上溅射生长底层金属薄膜，并对生长均匀的底层金属薄膜进行光刻刻蚀得到多个独立电极；S3：在底层金属薄膜上溅射生长AlScN薄膜，其中独立电极上表面生长AlScN薄膜形成铁电薄膜电容；S4：在生长均匀的AlScN薄膜上生长顶层金属薄膜，并对生长均匀的顶层金属薄膜进行套刻刻蚀，其中顶层金属薄膜串联铁电薄膜电容，减小铝钪氮薄膜的厚度的同时减小漏电，实现了低漏电、低成本以及可拓展的crossbar逻辑架构，提高了器件性能进而使得器件能够灵活应用于存内计算的广泛领域。
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公开(公告)号：CN118073372A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410208351.5
申请日：2024-02-26
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Inventor： 李晓茜
IPC: H01L27/144 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/102 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本申请提出了一种基于蓝宝石衬底的氧化镓单晶紫外探测器件、阵列制备方法和应用，包括：蓝宝石衬底、沉积在蓝宝石衬底表面的单晶氧化镓薄膜，其中单晶氧化镓薄膜上光刻有金属硬掩膜层并刻蚀形成以阵列排布设置的多个单晶氧化镓纳米块，其中每一氧化镓纳米块的两侧沉积金属电极，金属电极之间串并联连接，本方案中的氧化镓单晶紫外探测器件以蓝宝石作为衬底来减少器件的漏电，并以单晶体氧化镓纳米块作为光探测材料来提高探测器的响应度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN118979303B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411448192.2
申请日：2024-10-17
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于快速熔融技术生长高质量氧化镓薄膜的方法，选择氧化镓单晶衬底；在氧化镓单晶衬底上生长第一绝缘层，对第一绝缘层图案化处理形成具有生长空间的第一晶圆片，其中生长空间包括接触氧化镓单晶衬底的颈部区域以及导通于颈部区域的横向扩展区域；通过低压化学气相沉积法在第一晶圆片的生长空间内沉积氧化镓，光刻刻蚀氧化镓得到第二晶圆片；在第二晶圆片上沉积第二绝缘层得到第三晶圆片，其中第二绝缘层覆盖氧化镓，第一绝缘层和第二绝缘层的绝缘材料相同；对第三晶圆片进行熔化和退火处理，去除氧化镓所在平面上的绝缘层得到氧化镓薄膜，解决了目前生长氧化镓过程中遇到的晶体质量低、薄膜缺陷多的问题。
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公开(公告)号：CN118919587B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411420332.5
申请日：2024-10-12
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H10F77/14 , H10F71/00 , H10F30/222
Abstract: 本发明提供一种基于横向电场的AlScN氧化镓日盲探测器及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底表面的至少一AlScN/Ga2O3异质结构，其中每一AlScN/Ga2O3异质结构包括刻蚀在衬底表面的独立的氧化镓块、沉积在氧化镓块一侧的AlScN层、沉积在氧化镓块一侧的第一金属电极以及沉积在AlScN层一侧的第二金属电极，且AlScN层同氧化镓块形成横向电场，采用横向电场的AlScN/Ga2O3异质结构解决纵向电场的AlScN漏电而导致的光暗电流比低的问题，同时仍然保持氧化镓异质结日盲探测器的高响应度的优点。
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公开(公告)号：CN118979303A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411448192.2
申请日：2024-10-17
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于快速熔融技术生长高质量氧化镓薄膜的方法，选择氧化镓单晶衬底；在氧化镓单晶衬底上生长第一绝缘层，对第一绝缘层图案化处理形成具有生长空间的第一晶圆片，其中生长空间包括接触氧化镓单晶衬底的颈部区域以及导通于颈部区域的横向扩展区域；通过低压化学气相沉积法在第一晶圆片的生长空间内沉积氧化镓，光刻刻蚀氧化镓得到第二晶圆片；在第二晶圆片上沉积第二绝缘层得到第三晶圆片，其中第二绝缘层覆盖氧化镓，第一绝缘层和第二绝缘层的绝缘材料相同；对第三晶圆片进行熔化和退火处理，去除氧化镓所在平面上的绝缘层得到氧化镓薄膜，解决了目前生长氧化镓过程中遇到的晶体质量低、薄膜缺陷多的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118099265A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410243271.3
申请日：2024-03-04
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Inventor： 李晓茜
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供一种单极势垒结构的氧化镓紫外光电探测器及其制备方法，包括：导电衬底，沉积在导电衬底上的氧化镓纳米块，其中氧化镓纳米块的一侧沉积第一金属电极，另一侧依次沉积势垒层、n型沟道和第二金属电极，且第一金属电极和势垒层之间暴露氧化镓纳米块的表面，n型沟道沉积在势垒层上，第二金属电极沉积在n型沟道，通过单极势垒结构解决氧化镓紫外光电探测器响应度和响应时间矛盾的难题，从而实现高响应度、高灵敏度、低暗电流的氧化镓紫外光电探测器。
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公开(公告)号：CN119579598A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510136839.6
申请日：2025-02-07
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06T7/00 , G06T7/194 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于轻量化神经网络模型的电弧检测方法及系统，涉及人工智能技术领域。通过将待检测图像输入电弧检测模型；电弧检测模型包括若干深度可分离卷积，且预先经过模型训练和模型量化；通过电弧检测模型根据各深度可分离卷积提取待检测图像的多层次特征，并根据多层级特征输出待检测图像为电弧图像的概率值。本发明采用深度可分离卷积结构建立电弧检测模型，可以提取输入图像的多层次特征进行电弧检测，提高了电弧检测效率与精度。深度可分离卷积结构在卷积层中对空间卷积和通道卷积进行了分离，显著减少了网络参数和计算量，模型量化则进一步优化了系统功耗与计算效率。解决了电弧信号检测方法难以兼顾检测精度和系统功耗的问题。
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公开(公告)号：CN118588784A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411069192.1
申请日：2024-08-06
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，包括衬底层、Ga2O3薄膜以及金属电极，其中衬底层靠近Ga2O3薄膜的表面部分凹陷形成一个凹槽，Ga2O3薄膜搭设在凹槽上方覆盖凹槽以形成浮空结构，金属电极通过沉积和图案化过程形成于衬底层上并通过退火处理与Ga2O3薄膜形成欧姆接触，解决目前Ga2O3薄膜型氧化镓紫外光电探测器普遍存在响应度和探测率存在矛盾的问题，为高性能的氧化镓紫外探测器的设计和优化提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN118472093A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410665355.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了基于异质集成超表面的氧化镓日盲紫外探测器及方法，包括：衬底、氧化镓有源层、超表面阵列、电极，氧化镓有源层位于衬底之上，超表面阵列分布在氧化镓有源层上，电极在氧化镓有源层之上，且分布于超表面阵列两侧；所述超表面阵列由若干超表面单元组成，各超表面单元的电介质材料使其与氧化镓有源层界面处形成空间电荷区，其中靠近氧化镓有源层的一侧为正空间电荷区，靠经超表面单元的一侧为负空间电荷区，正负空间电荷区之间产生内建电场。本发明能有效提升氧化镓光吸收，超表面阵列与氧化镓形成异质结，产生内建电场加快光生载流子的分离，提高器件响应速度。
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公开(公告)号：CN119584700A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510135565.9
申请日：2025-02-07
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本方案提供了一种基于双功能自组装钝化层的氧化镓紫外探测器及其制备方法，包括自下而上设置的衬底层、氧化剂层和双功能自组装钝化层，双功能自组装钝化层的两侧设有同氧化镓层接触的金属电极，其中双功能自组装钝化层包括自下而上设置的第一钝化层和第二钝化层，其中第一钝化层的钝化材料为降低氧化镓层表面缺陷的材料，第二钝化层的钝化材料为增强紫外光子吸收率的材料，通过将不同功能的钝化材料组合形成双功能自组装钝化层，采用双功能自组装钝化层对氧化镓紫外探测器进行钝化处理，从减少氧化镓表面缺陷和增强紫外光子吸收两方面共同提升其性能。
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