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公开(公告)号：CN119383978A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411986248.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于栅感应漏电流效应的单晶体管三元内容可寻址存储器及制备方法。该存储器包括自下而上设置的衬底、铁电层和栅极，衬底的有源区中设有漏极掺杂区和源极掺杂区，分别通过沉积接触金属形成漏极和源极。通过对栅极施加不同的脉冲电压调整铁电层的极化状态，实现三元逻辑状态（状态0、状态1、状态X）的数据存储和高速并行搜索。该发明利用铁电层的非易失性存储特性和GIDL效应的高速搜索特性，在极低面积消耗下实现了高效三元逻辑存储及数据搜索功能，具有高存储密度、低功耗、快速响应及良好工艺兼容性的优势，可广泛应用于人工智能、大数据及高效数据处理领域。
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公开(公告)号：CN118434152A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410412101.3
申请日：2024-04-08
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H10B51/30 , H10B51/40 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种可重构铁电晶体管存储器，包括存储端电极、存储端介质层、编程端电极、介质层、源端电极、漏端电极、超薄沟道层、二氧化硅层和硅衬底；通过对存储端电极施加脉冲信号，调控沟道的阈值电压，从而改变存储状态，使得晶体管具有信息存储功能；通过编程端和存储端的多个栅极控制沟道载流子，并利用肖特基势垒的双极性，实现FeFET在同一器件上N型和P型的动态切换，使得FeFET存储器具备可重构特性。本发明利用存储端介质层非易失存储特性，以脉冲信号调控超薄沟道层中存储的电荷，以直流信号调控超薄沟道层中导通电荷的类型和浓度，使得单个晶体管具有信息存储功能，本发明还具有稳定的耐久特性、保持特性和突触特性，具有可重构优势。
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公开(公告)号：CN117519391A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311645135.9
申请日：2023-12-04
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种低温电路中的阈值电压调节电路，包括电流源、参考源、MOSFET晶体管及运算放大器；所述电流源用于确定MOSFET晶体管的静态工作状态，使任何温度状态下的MOSFET晶体管都在固定电流下工作；所述参考源用于提供运算放大器的负输入端的输入，与低温下的栅源电压进行比较；所述MOSFET晶体管用于代表低温电路中所有MOSFET，表征低温下MOSFET晶体管的性能，通过调节所述MOSFET晶体管阈值电压即可调节低温电路中所有MOSFET晶体管阈值电压；所述运算放大器用于负反馈环路，放大低温带来的MOSFET晶体管阈值电压的变化量，反馈到MOSFET晶体管衬底端，从而降低因温度降低带来的阈值电压的升高。本发明在低温环境下降低电路中所有MOSFET晶体管的阈值电压，大大降低低温电路功耗。
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公开(公告)号：CN114955974A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210345635.X
申请日：2022-04-02
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本申请提供一种基于铁电辅助的微机电器件，包括：位于基底绝缘层上且共面的底栅、两对源/漏极和多个支撑电极；顶栅，所述顶栅由多个支撑柱支撑于所述多个支撑电极上方，所述支撑柱接触所述支撑电极的一侧为预设厚度的铁电材料，铁电材料的预设厚度可调；两个金属沟道，所述金属沟道通过绝缘层连接在所述顶栅的下方，一个金属沟道与一对源/漏极对应，且两者之间具有接触间隙；当所述微机电器件处于导通状态时，每个金属沟道与其对应的源/漏极接触。相较于现有技术，本申请利用铁电材料的非易失偏置特性形成的偏置电压替代了在顶栅上施加的工作电压，使底栅工作电压仅需在极低电压范围内变化，实现微机电器件低功耗和低工作电压的性能。
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公开(公告)号：CN114093927A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111332564.1
申请日：2021-11-11
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/8256
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电掺杂的互补场效应晶体管，主要解决现有互补场效应晶体管随着器件尺寸的不断减少，产生的掺杂浓度梯度降低、随机掺杂波动大、温度升高的问题。其自下而上包括：衬底(1)、底沟道层(2)、材料层(3)、顶沟道层(4)、两个沟道层上均设有源极和漏极，源漏之间为栅极，其中材料层，使用铁电材料，以提供极化电荷；两个沟道层的栅极相互连接形成环形结构，以增强栅极控制能力。本发明兼有互补场效应晶体管以及铁电掺杂的优势，可在不影响互补场效应晶体管逻辑功能的前提下，有效提高掺杂精度、掺杂均匀性及掺杂浓度，具有可重构性及非易失性，可用于制作大规模集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119920279A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510397612.7
申请日：2025-04-01
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G11C11/22
Abstract: 本申请公开了一种无线无源铁电存储器。所述无线无源铁电存储器包括：天线、射频模拟前端、数字基带和铁电随机存取存储器；所述天线被配置为接收信号和发射信号；所述射频模拟前端被配置为将数字信号转换为射频信号；所述数字基带连接于所述射频模拟前端和所述铁电随机存取存储器之间，被配置为与所述射频模拟前端相互配合，将外部数据存储至所述铁电随机存取存储器或将所述铁电随机存取存储器中存储的数据输出至外部。这样，所述无线无源铁电存储器利用铁电随机存取存储器写入电压低、低功耗、高存储密度和大存储容量的独特优势解决了传统存储器功耗高、容量小、写入慢等问题，为射频识别技术提供了高效、可靠和灵活的存储解决方案。
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公开(公告)号：CN119839456A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510268897.4
申请日：2025-03-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: B23K26/362 , B23K26/046 , B23K26/0622 , H10B51/30 , H10B53/30 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , B23K101/40
Abstract: 一种高精度的AlScN微纳结构激光刻蚀工艺，包括如下步骤：采用超短脉冲激光系统，设计激光束在微纳米下的图形化轨迹；在激光束的路径上设置聚焦组件，通过聚焦组件，将激光束聚焦于AlScN薄膜表面烧蚀形成焦斑；依据图形化轨迹控制激光束移动，移动中所形成的焦斑构成高精度的AlScN微纳结构。本发明可在AlScN薄膜中形成微纳结构，实现对材料铁电性和压电性的精细调控，为铁电存储器的应用提供了优化路径。相比湿法刻蚀，超短脉冲激光刻蚀显著提升了AlScN薄膜的刻蚀速度，提高了加工效率。同时，本发明避免了传统光刻工艺的掩膜污染，提升了工艺清洁度和稳定性，使AlScN薄膜具备更高的耐久性和集成可靠性，适用于构建高性能、低功耗的新型电子器件。
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公开(公告)号：CN117133328A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311100722.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明提供了一种铁电电容型存储器可重构光电存内逻辑操作方法，属于感存内计算领域。所述的铁电电容型存储器包括自下而上依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层、顶电极；所述的顶电极施加输入电压信号A和光信号B前的Cacc记为铁电电容型存储器的初始电容状态S。所述的铁电电容型存储器，当初始电容状态S＝1时，输出Y输出为“与非门”逻辑，当初始电容状态S＝0时，输出Y输出为“非门”逻辑，通过调控初始电容状态S实现铁电电容型存储器的“与非门”和“非门”可重构光电存内逻辑功能。本发明提供的可重构光电存内逻辑功能实现方法可以使铁电电容型存储器应用于发展高能效、低功耗、高算力感存算一体化器件及芯片技术。
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公开(公告)号：CN116322044B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310566279.9
申请日：2023-05-19
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法，包括接入晶体管、公用底电极、若干个顶电极，公用底电极上设有MPB氧化铪基介电层，顶电极沿着竖直方向依次设置，MPB氧化铪基介电层设置在公用底电极和顶电极之间；公用底电极、MPB氧化铪基介电层以及一个顶电极构成一个MPB氧化铪基电容，多个MPB氧化铪基电容垂直堆叠。本发明针对集成电路产业的海量信息存算需求，以及“1T‑1C”DRAM随特征尺寸持续缩放的存储窗口和电荷信号密度，提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法，通过多态相边界材料的超高介电特性，显著提升DRAM电荷信号密度并支撑多值存储及存算融合DRAM应用，以满足后摩尔时代集成电路对于信息密度与功能的升级需求。
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公开(公告)号：CN116314430A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310400635.X
申请日：2023-04-14
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种基于异质结的铁电电容型光电探测器件，包括依次设置的底电极、GeSn层、SiGeSn层、铁电介质层和顶电极；GeSn层与SiGeSn层形成SiGeSn/GeSn异质结，即半导体层；光电探测信息通过耗尽层电容状态表征：其中，无光信号情况下，无极化翻转电流，耗尽层电容为低电容状态；有光信号情况下，产生极化翻转电流，耗尽层电容呈高电容状态；耗尽层电容为SiGeSn/GeSn异质结构成的半导体层与铁电介质层的接触界面处的耗尽层产生的电容，本发明实现了中红外宽光谱检测功能，同时利用半导体构成的异质结构大大提高光电探测器件的探测灵敏度，且具备低功耗和高集成度特性。
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