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    基板处理装置
    61.
    发明公开
    基板处理装置 失效

    公开(公告)号：CN101853767A

    公开(公告)日：2010-10-06

    申请号：CN201010140503.0

    申请日：2010-03-29

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 林大辅

    IPC: H01J37/32 ,  H01J37/04

    CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32908 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/1502 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制在筒状容器的一方的端壁和移动电极之间的空间内产生等离子体的基板处理装置。基板处理装置(10)包括用于收纳晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的簇射头(23)、在腔室(11)内与簇射头(23)相对的基座(12)、和用于将簇射头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于簇射头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并导入处理气体，簇射头(23)和腔室(11)的侧壁(13)不接触，在位于簇射头(23)和盖(14)之间的上部空间(US)内配置有第1电容层(32)以及第2电容层(33)。

    聚焦环和等离子体处理装置
    62.
    发明授权
    聚焦环和等离子体处理装置 失效

    公开(公告)号：CN100364064C

    公开(公告)日：2008-01-23

    申请号：CN200410078499.4

    申请日：2004-09-06

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

    Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

    处理装置、气体放电抑制部件
    64.
    发明公开
    处理装置、气体放电抑制部件 失效

    公开(公告)号：CN1596462A

    公开(公告)日：2005-03-16

    申请号：CN02823839.7

    申请日：2002-11-27

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 桧森慎司 ,  远藤升佐 ,  永关一也 ,  窪田知也 ,  林大辅

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069

    Abstract: 提供了一种防止传热气体的放电，且可高精度进行被处理体的温度控制的处理装置。在向相对设置在密封处理容器(102)内的一对电极中的下部电极110施加高频功率，并将导入到电极间的处理气体等离子体化后，对被处理体表面进行规定处理的等离子体蚀刻装置(100)中，该等离子体装置由传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)构成，传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)使将被处理体控制为规定温度用的传热气体供给吸附保持被处理体的静电卡盘(112)和被处理体间的微小空间S内的传热气体供给部(120)相对由供给电极的高频功率所产生的电场方向倾斜。

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