公开(公告)号：CN1663029A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03814542.1

申请日：2003-06-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐东英范 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/3266

Abstract: 磁控等离子体处理装置具有介入处理空间(S)和排气口(11)之间的挡板(10)，以便在处理室(1)内把等离子体封闭在处理空间(S)内，挡板(10)具有连通处理空间(S)和排气口(11)的多个贯通孔(10b)。挡板(10)沿着挡板(10)存在位置的磁场的磁力线配置。

公开(公告)号：CN100378923C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN03814542.1

申请日：2003-06-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐东英范 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/3266

Abstract: 磁控等离子体处理装置具有介入处理空间(S)和排气口(11)之间的挡板(10)，以便在处理室(1)内把等离子体封闭在处理空间(S)内，挡板(10)具有连通处理空间(S)和排气口(11)的多个贯通孔(10b)。挡板(10)沿着挡板(10)存在位置的磁场的磁力线配置。