公开(公告)号：CN112768446A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201910998781.0

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8258

Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种集成芯片及其制备方法，该集成芯片，包括：晶圆层，晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及中间的二氧化硅介质层，第一单晶硅层形成有第一芯片；还包括依次形成于第一单晶硅层上的第一介质层、第一金属部，第一金属部与对应的第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；还包括依次形成于第二单晶硅层上的第二芯片器件层、第二介质层、第二金属部，第二芯片器件层形成第二芯片，第二金属部与对应的第二芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；第二金属部通过过孔与对应的第一金属部电性连接。该集成芯片将相同或不同的多个芯片集成于晶圆的两侧，简化了芯片之间的连接且体积小。

公开(公告)号：CN112701158A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201911006756.6

申请日：2019-10-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 史波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  曹俊 ,  敖利波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及电子领域，公开一种功率器件及电子设备，包括：衬底；形成于衬底的器件层，器件层包括开通二极管、关断二极管以及多晶电阻，开通二极管和关断二极管均包括阴极、阳极和N阱，多晶电阻包括开通电阻和关断电阻；形成于器件层背离衬底一侧的金属层，金属层包括第一金属引出部、第一连接区、第二连接区、第二金属引出部；第一金属引出部与开通二极管的阴极以及关断二极管的阳极电连接；第一连接区用于连接开通二极管的阳极和开通电阻；第二连接区用于连接关断二极管的阴极和关断电阻；第二金属引出部用于连接开通电阻和关断电阻，通过简单的电路，整合栅极开通电阻和关断电阻回路到IGBT的器件芯片中，简化了系统级电路的设计。

公开(公告)号：CN112530888A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910877701.6

申请日：2019-09-17

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  马颖江 ,  曾丹 ,  肖婷

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制造方法，涉及电子设备领域。包括：封装外壳、功率电子器件以及软质导热部，功率电子器件设置于封装外壳内部，封装外壳具有安装面，安装面设有镂空区，镂空区连通至功率电子器件，软质导热部，设置于镂空区内且与功率电子器件接触。本发明提供的功率模块，在功率模块在于散热器安装时，功率电子器件通过软质导热部与散热器接触。由于软质导热部具有软质和导热的功能，在与散热器接触时，即便散热器的表面存在凸起或异物，也可通过其自身的形变，使凸起或异物嵌进软质导热部，而不会发生碎裂的情况，更不会对功率电子器件造成影响。

公开(公告)号：CN112510006A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201910872960.X

申请日：2019-09-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 苏梨梨 ,  曹俊 ,  敖利波 ,  廖勇波 ,  史波 ,  童圣双

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体模块、封装结构及其焊接方法，包括：芯片和基板，所述芯片设置于所述基板上，且所述芯片通过导电薄片与所述基板上的引脚电性连接，本发明采用导电薄片相较于现有技术中单根金属丝，增大接触面积，从而增强电流的流通能力，有效增强散热，提高电流效率，减低功率损耗，提高可靠性，亦避免使用多根金属丝时所产生的较大寄生系数，同时，无需在芯片表面打线，减少对芯片的损伤，从而简化工艺步骤，最终提高生产效率。

公开(公告)号：CN112289859A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201910668737.3

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种GaN功率半导体器件及其制造方法。GaN功率半导体器件包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，及设置于势垒层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，其中栅极包括至少两种不同类型的栅极结构。制造方法包括以下步骤：于一衬底上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层和第一金属层；刻蚀掉非第一类栅极结构区域的p‑GaN层和第一金属层，形成第一类栅极结构；于势垒层表面上形成源极、漏极和第二类栅极结构。GaN功率半导体器件集成两种或两种以上栅极结构，综合权衡阈值电压和导通电阻，实现尽可能高的阈值电压和尽可能低的导通电阻，更好地提高器件性能。

公开(公告)号：CN110364503B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201910674596.6

申请日：2019-07-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  曹俊 ,  敖利波

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L25/04 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提出了一种新型无引线贴片封装结构，采用表面开设通孔的引脚框架，通过向通孔中填充导电材料的方式，使芯片与引脚框架形成电气连接，从而摒弃了现有技术中需要案通过引线将芯片与引脚进行的方式，增加了新型无引线贴片封装结构的可靠性，使得其寄生参数较小，性能得到优化；并且与引线相比，引脚框架更容易导热，使得该封装结构工作时，芯片温度更低，有利于提高芯片的使用寿命。并且，该结构通过在芯片框架两侧分别装置芯片，可实现芯片的双层封装，使得新型无引线贴片封装结构集成度更高。本发明还提供了一种新型无引线贴片封装结构的制造方法。

公开(公告)号：CN111463270A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010209456.4

申请日：2020-03-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  吴佳蒙 ,  马颖江

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种IGBT结构及其制备方法，IGBT结构，其包括：基体，其上形成有多个条形沟槽和环形沟槽、均填充有多晶硅，在条形沟槽和环形沟槽上设置有正面金属层；在条形沟槽上端设置有沉积隔离介质层，使得覆盖有沉积隔离介质层的条形沟槽不与正面金属层接触，未设沉积隔离介质层的环形沟槽与正面金属层相接；基体的背面设置有与环形沟槽相对的N+掺杂层。通过本发明能够增加并联FRD的电路恢复通路，形成一种IGBT新型背面电极设计的分布式RC-IGBT结构，有效改善RC-IGBT的导通压降，使得恢复电流的通路最短，有效地降低了损耗。

公开(公告)号：CN111354695A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN202010166039.6

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林志龙 ,  敖利波 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提出了一种封装结构及其制造方法，封装结构包括导热底片、芯片、引脚以及塑封材料层，芯片固定在导热底片上，芯片与引脚形成电气连接，封装结构还包括导热网，导热网包裹芯片，并且导热网嵌装在塑封材料层内。本发明提供的封装结构，由于在塑封材料层中嵌入了导热网，提高了封装结构的散热性能，有效解决了现有的封装结构中，由于塑封料散热不好，导致芯片周围热量无法及时散出的问题；有利于注塑材料受热均匀，减少其膨胀系数，从而有效解决了现有封装结构中由于注塑受热不均匀，容易挣脱引线的问题；另外，当发生意外爆炸时，由于使用导热网包裹芯片，不会使芯片弹飞外壳，从而提高了封装结构的安全性。

公开(公告)号：CN111326481A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010192457.2

申请日：2020-03-18

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 郑楠楠 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及封装结构技术领域，具体涉及一种封装结构，该封装结构，包括：半导体模块和包封于所述半导体模块外侧的硅胶层；本实施例采用固化后具有弹性的硅胶层代替现有技术的环氧树脂塑封料，从而实现当外界温度发生变化时，固化后具有弹性的硅胶层在热胀冷缩的过程中不会对芯片造成损伤，最终保证芯片性能的稳定性。

公开(公告)号：CN111293171A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201811505672.2

申请日：2018-12-10

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  廖勇波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的设计结构、产品结构及其制造方法，该设计结构包括：在所述IGBT芯片的沟槽设计上，在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方不设计沟槽(6)。本发明的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。