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公开(公告)号：CN112018071B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010754764.5
申请日：2020-07-31
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种多功能TSV结构及其制备方法。该多功能TSV结构包括通过绝缘介质进行隔离的高密度电容器和TSV互连结构，TSV互连结构不仅充当芯片之间垂直互连的导电通道，同时还作为电容器的基底。由于TSV结构具有高深宽比，所以具有较大的比表面积，从而在TSV结构内部制备电容器可以获得较高的电容密度，这有利于电容器作为滤波、旁路、震荡以及能量存储应用器件。
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公开(公告)号：CN114171390A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111477722.2
申请日：2021-12-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开一种隧穿效率可调的半浮栅晶体管及其制备方法。该隧穿效率可调的半浮栅晶体管制备方法包括以下步骤：形成P阱区,进行第一次轻掺杂N型离子注入形成N阱区，以形成半浮栅晶体管的沟道杂质分布，N阱区位于P阱区上方；刻蚀形成U形槽，使U型槽贯穿N阱区；形成第一栅氧化层，在N阱区表面形成窗口，形成半浮栅，使其在窗口处与N阱区相接触；之后进行边缘刻蚀，使邻接窗口一侧的部分N阱区的表面露出，进行第二次重掺杂N型离子注入，在N阱区中形成N+掺杂区，以调控隧穿晶体管的隧穿效率；形成控制栅介质，使其覆盖半浮栅并延伸覆盖部分N+掺杂区，接着形成控制栅，使其覆盖控制栅介质；在控制栅两侧形成源区和漏区。
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公开(公告)号：CN114141629A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111437262.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开一种窗口自对准的分栅型半浮栅晶体管及其制备方法。通过将半浮栅晶体管的基本功能嵌入到硅衬底中，形成器件的垂直结构，极大地降低半浮栅晶体管单元的面积。此外，在形成半浮栅区域时，通过对多晶硅刻蚀深度的控制，形成窗口的自对准，有助于调控窗口处编程效率和反偏漏电流的大小。
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公开(公告)号：CN114141628A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111414299.1
申请日：2021-11-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开一种高效编程的半浮栅晶体管及其制备方法。该高效编程的半浮栅晶体管，包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U型槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U型槽贯穿N阱区；半浮栅介质层，形成在U型槽表面并延伸覆盖一侧的部分N阱区表面，且在另一侧形成有窗口；半浮栅，覆盖半浮栅介质层并完全填充U型槽，且在窗口处与N阱区相接触；控制栅介质层、控制栅和掩膜层，控制栅介质层覆盖半浮栅，控制栅和掩膜层依次形成在控制栅介质层上；分离栅介质层和分离栅，分离栅介质层形成在N阱区表面并延伸覆盖部分掩膜层表面，分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域；源区和漏区，分别形成在控制栅和分离栅两侧，N阱区中。
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公开(公告)号：CN114078966A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010811911.8
申请日：2020-08-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114062384A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111256712.6
申请日：2021-10-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种检测掩模版缺陷的方法和装置。该方法的具体步骤如下：（1）利用掩模版空间像测量装置，对横电波TE与横磁波TM两个互相垂直的偏振态分别做一次测量，获得两套，分别对应TE与TM照明下掩模版表面的复振幅；（2）通过空间像仿真算法获取在硅片上的光强分布，根据光强分布对称状况、线宽的差异，对掩模版缺陷进行评判。本发明采用成熟的干涉仪技术，对缺陷在光瞳处产生的振幅与相位进行精确测量，再通过成熟的空间像仿真合成硅片上图像，以定量地确定缺陷对光刻工艺的影响，无需补偿。
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公开(公告)号：CN114062168A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111219431.3
申请日：2021-10-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N3/40
Abstract: 本发明公开了一种基于聚二甲基硅氧烷的柔性可拉伸硬度传感器及其制备方法。其整体为薄膜结构，包括从下至上紧密结合的下层PDMS粘贴层、应变传感层和压力传感层。下层PDMS粘贴层具有一定粘性；应变传感层基于纳米银线/碳纳米管/PDMS复合材料，压力传感层从下至上包括下部电极层、压阻材料层和上部电极层，压阻材料层为具有孔洞结构的微米银片/碳纳米管/PDMS复合材料。本发明通过将硬度传感器粘贴在被测物体上对其按压进行硬度评估，硬度传感器的输出为压力传感层的输出与应变传感层的输出之间的比值。本发明具有结构简单、灵敏度高、成本低、信号易读出和应用广泛的优点。
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公开(公告)号：CN112349788B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011217544.5
申请日：2020-11-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/792 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种二维/零维混合结构的人工异质突触器件及制备方法。该人工异质突触器件包括：柔性衬底；背栅电极，形成在柔性衬底上；隧穿层，形成在背栅电极上；电荷俘获层，其为零维量子点，具有电荷俘获功能，形成在隧穿层上；阻挡层，形成在电荷俘获层上；沟道，其为二维材料，具有双面功能不对称特征，形成在阻挡层上；源漏电极，形成在沟道两侧，利用二维材料高效的光吸收效率，通过虚拟的光学栅完成神经突触前端的模拟，同时利用电学调制实现神经突触另一个前端的模拟，配合器件的源极模拟的神经突触后端，共同组成人工异质突触器件。实现了光电双调制，有效地解决了单纯的电调制中信息获取和数据处理分离的问题，并降低了功耗。
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公开(公告)号：CN113964231A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111156457.8
申请日：2021-09-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种感光增强的视觉神经形态器件及其制备方法。该感光增强的视觉神经形态器件包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；底层介质/钙钛矿量子点/顶层介质叠层结构，形成在所述背栅电极上，其中，所述底层介质和所述顶层介质为致密的氧化物，并且具有氧空位缺陷，所述底层介质作为存储功能层；二维材料层，其为能带可与可见光波段进行匹配，在光照的作用下可以产生空穴电子对，并且电子占据主导作用的n型二维材料，作为沟道，实现基础感光功能，形成在所述顶层介质上；源电极和漏电极，形成在所述二维材料层的两端；利用钙钛矿量子点与二维材料的耦合作用增强器件感光效应，在同一器件实现光学信息的感知、计算与存储功能。
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公开(公告)号：CN113889436A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111070720.1
申请日：2021-09-13
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种环栅结构源漏的外延制备方法以及环栅结构，其中的方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个鳍片，沿沟道方向，相邻的两个鳍片之间具有凹槽；在所述衬底上淀积非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火，以使所述非晶硅层结晶形成单晶硅层；以所述单晶硅层的表面为起始表面，外延生长锗硅材料，形成锗硅体层；在所述锗硅体层形成环栅结构的源/漏区；通过在凹槽淀积非晶硅层，然后将非晶硅层经过退火处理结晶成单晶硅层，以单晶硅层为起始表面生长锗硅体层的方法，能够制备出无位错高质量的硅锗体层，为沟道提供足够的应力，提升环栅器件的空穴迁移率，进而提高环栅器件的开启电流。
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