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公开(公告)号：CN115336126A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180021003.1
申请日：2021-01-28
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于生产包括与半导体激光器串联集成的双稳态电阻系统(BRS)的增强激光器(ATLAS)的器件和方法。通过利用BRS的突变电阻开关，激光器表现出低于激光阈值的自发发射(SE)的减少/抑制。激光器系统包括半导体激光器以及作为可逆开关操作的BRS。BRS在高阻态下操作，其中半导体激光器低于激光阈值并且以减少的自发发射机制发射，以及在低阻态下操作，其中半导体激光器高于或等于激光阈值并且以受激发射机制发射。作为可逆开关操作的BRS跨两个独立芯片或在单个晶片上串联电连接。BRS是使用绝缘体‑金属转变(IMT)材料形成的或者是使用阈值开关选择器(TSS)形成的。
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公开(公告)号：CN114695350A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111412565.7
申请日：2021-11-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , B82Y40/00
Abstract: 实施例包括一种形成半导体器件的方法和所得器件。该方法可以包括在分层的纳米片的半导体层的暴露的部分上形成源极/漏极。该方法可以包括在源极/漏极上形成牺牲材料。该方法可以包括形成覆盖牺牲材料的电介质层。该方法可以包括利用接触衬垫代替牺牲材料。半导体器件可以包括第一栅极纳米片堆叠和第二栅极纳米片堆叠。半导体器件可以包括与第一纳米片堆叠接触的第一源极/漏极和与第二纳米片堆叠接触的第二源极/漏极。半导体器件可以包括位于第一源极/漏极与第二源极/漏极之间的源极/漏极电介质。半导体器件可以包括与第一源极/漏极、第二源极/漏极以及源极/漏极电介质接触的接触衬垫。
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公开(公告)号：CN114097093A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080050787.6
申请日：2020-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/00
Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括在衬底之上形成鳍状物，在衬底之上形成围绕鳍状物的浅沟槽隔离区域，以及形成为纳米片场效应晶体管提供沟道的纳米片堆叠体。该方法还包括在形成于第一鳍状物上的第一纳米片堆叠体的侧壁和顶表面的一部分之上形成沟道保护衬垫，该沟道保护衬垫进一步形成在从第一纳米片堆叠体的侧壁向形成于第二鳍状物上的第二纳米片堆叠体延伸的浅沟槽隔离区域的一部分之上。该方法还包括形成围绕纳米片堆叠体的暴露部分的栅极堆叠体，在沟道保护衬垫之上形成不对称自对准栅极隔离结构，以及在第三鳍状物和第四鳍状物之间的浅沟槽隔离区域的一部分之上形成对称自对准栅极隔离结构。
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公开(公告)号：CN104347426B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201410383611.9
申请日：2014-08-06
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/02
Abstract: 本揭露是包括形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置。在一些具体实施例中，该间隔物的该内表面具有阶梯剖面结构或锥形剖面结构。在一范例中，揭露一装置，其中，用于PMOS装置的该P型功函数金属仅设在由该间隔物的未修整内表面所定义的侧向空间内，同时用于NMOS装置的功函数调整金属是侧向地设在由该侧壁间隔物的已修整内表面和未修整内表面两者所定义的侧向空间之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972067B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410044030.2
申请日：2014-01-30
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/28114 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66628 , H01L29/66636
Abstract: 一种具有取代栅极结构的集成电路及其制造方法，制造集成电路的方法包括形成层间介电(ILD)层于虚拟栅极堆栈上方。虚拟栅极堆栈包括形成于半导体基底上方的虚拟栅极结构、硬掩模层、以及侧壁分隔物。本方法再包括移除虚拟栅极堆栈至少一上方部分以在ILD层内形成第一开口、通过完全移除虚拟栅极堆栈的虚拟栅极结构扩展第一开口以形成第一扩展开口、以及在第一开口内和第一扩展开口内沉积至少一功函数材料层。还有，本方法包括移除第一开口内的部分功函数材料并且在功函数材料的残余部位上方沉积低电阻材料，借以形成包括有功函数材料残余部位和低电阻材料的取代金属栅极结构。
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公开(公告)号：CN104347426A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410383611.9
申请日：2014-08-06
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/28114 , H01L21/823842 , H01L21/823864 , H01L27/092 , H01L29/401 , H01L29/42376 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/4983 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/78
Abstract: 本揭露是包括形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置。在一些具体实施例中，该间隔物的该内表面具有阶梯剖面结构或锥形剖面结构。在一范例中，揭露一装置，其中，用于PMOS装置的该P型功函数金属仅设在由该间隔物的未修整内表面所定义的侧向空间内，同时用于NMOS装置的功函数调整金属是侧向地设在由该侧壁间隔物的已修整内表面和未修整内表面两者所定义的侧向空间之间。
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公开(公告)号：CN119999353A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380069195.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10D62/10
Abstract: 一种存储器装置，包括衬底及形成于该衬底上的垂直堆叠铁电电容器。当施加恒定电压时，第一铁电电容器具有与第二铁电电容器不同的电容输出。第一电极和第二电极与垂直堆叠的铁电电容器电接触。在一些实例中，第一铁电电容器中的第一电容器板和第二铁电电容器中的第二电容器板具有不同的厚度。不同的厚度允许每个电容器的电容输出产生不同的电场输出。因此，可基于对输出有贡献的每一电容器的不同阈值电压电平来产生不同输出信号的组合。
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