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公开(公告)号：CN101233795B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200680024226.9
申请日：2006-08-18
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/024 , H05K3/4602 , H05K3/4626 , H05K3/4673 , H05K2201/0116 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0254
Abstract: 本发明提供一种多层电路基板以及使用该多层电路基板的电子设备，该多层电路基板包括低介电常数的层间绝缘膜，由于与此层间绝缘膜接触的表面没有凹凸、不会产生制造合格率的下降或高频信号的传输特性的劣化，所以能够显著提高组件或印刷基板等多层电路基板的信号传输特性等性能。多层电路基板(10)包括在基材上具有多个布线层和位于上述多个布线层间的多个绝缘层，上述多个绝缘层内的至少一部分由多孔质绝缘层(1)和非多孔质绝缘层(2)构成，该多孔质绝缘层(1)包含选自由多孔质体、气凝胶、多孔质二氧化硅、多孔性聚合物、中空二氧化硅、中空聚合物组成的多孔质材料组中的至少任意一种材料，该非多孔质绝缘层(2)为上述多孔质绝缘层(1)的至少一面不包含上述多孔质材料组。电子设备使用该多层电路基板。
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公开(公告)号：CN101198726B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200680021492.6
申请日：2006-05-09
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 三菱化学株式会社
IPC: C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/18 , H01L21/3065
CPC classification number: C25D11/06 , C25D11/18 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。
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公开(公告)号：CN102057762A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121686.7
申请日：2009-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/265 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , C03C17/002 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/32229
Abstract: 提供含有在分支部分非垂直地延伸的同轴管的同轴管分配器。等离子体处理装置(10)，通过微波激发气体来对被处理体进行等离子体处理，其具备：处理容器(100)；输出微波的微波源(900)；传输从微波源(900)输出的微波的传输线路(900a)；被设置在处理容器(100)的内壁，用于将微波释放到处理容器内的多个介电体板(305)；与多个介电体板(305)邻接，将微波向多个介电体板(305)传输的多个第1同轴管(610)；将沿传输线路(900a)传输的微波分配传输给多个第1同轴管(610)的1段或者2段以上的同轴管分配器(700)，同轴管分配器(700)包括具有输入部(In)的第2同轴管(620)和与第2同轴管连结的3根以上的第3同轴管(630)，第3同轴管分别相对于第2同轴管(620)呈非垂直地延伸。
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公开(公告)号：CN102057483A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121220.7
申请日：2009-05-22
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
CPC classification number: H05K1/0218 , H01L23/66 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6688 , H01L2924/0002 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011 , H05K1/025 , H05K1/0265 , H05K3/4652 , H05K2201/0191 , H05K2201/0352 , H05K2201/0715 , H05K2201/096 , H05K2201/09618 , H05K2201/09727 , H05K2201/09972 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种多层配线基板。多层配线基板(100)具有：第一配线区域(101)，其中配线(103a)和绝缘层(104a，104b)交替地层叠；以及第二配线区域(102)，其中相对于第一配线区域(101)的绝缘层的厚度H1，绝缘层(104)的厚度H2是2倍以上，并且相对于配线宽度W1，配线(103b)的宽度W2为2倍以上。第一配线区域(101)和第二配线区域(102)被一体地形成在同一基板上。
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公开(公告)号：CN102037423A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118159.0
申请日：2009-03-10
Applicant: 株式会社富士金 , 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G05D7/0635 , G01F1/42 , G01F7/005 , Y10T137/0379
Abstract: 本发明是使用了流量范围可变型流量控制装置的流体流量控制方法，该装置使得压力式流量控制装置的控制阀的下游侧和流体供给用管道之间的流体通道为至少两个以上的并列状流体通道，并且使流体流量特性不同的孔口分别位于所述各并列状的流体通道中，在第1流量域的流体的流量控制中，使所述第1流量域的流体流过一个孔口，并且在第2流量域的流体的流量控制中使所述第2流量域的流体流过至少另一个孔口，选定所述各孔口的流量特性，使得所述小流量的第1流量域的流体的最大控制流量小于所述大流量的第2流量域的最大控制流量的10％，在规定的流量控制误差内流量控制将第1流量域中的可能的最小流量降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101981362A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111522.6
申请日：2009-03-26
Applicant: 株式会社富士金 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: F16K31/0658 , F16K31/0675 , H01F7/1816 , H01F2007/1822
Abstract: 本发明提供一种通过实现专用驱动电源的小型化从而节省了空间的电磁阀。本发明提供的是能够瞬间开闭的电磁阀，其特征在于，采用具有低直流内部电阻和低等效串联电阻的双电层电容器作为动力电源。双电层电容器中，单个单元的电气特性是：静电电容量为1～5F、额定电压为2.1～2.7V、直流内部电阻为0.01～0.1Ω、并且1kHz条件下的等效串联电阻为0.03～0.09Ω，并具有由比表面积为1～500m2/g的玻碳构成的可极化电极。
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公开(公告)号：CN101903562A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122240.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。
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公开(公告)号：CN101529563B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200780038770.3
申请日：2007-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(106)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。
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公开(公告)号：CN101802987A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106579.2
申请日：2008-09-05
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: H05K3/048 , H01L21/0331 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H05K1/0306 , H05K3/107 , H05K2201/0166 , H05K2201/0175
Abstract: 电子器件的制造方法，在基板上形成的透明树脂膜中，选择性地埋设用于形成栅极的金属膜，在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上，而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除，绝缘性涂布膜上的金属膜通过化学剥离被去除。本发明提供一种在具有超大面积的基板上均匀形成导体层的制造电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN101779279A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880103082.5
申请日：2008-08-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76807 , H01L21/76819 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L21/7684 , H01L21/76897 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明使用绝缘性涂布膜形成层间绝缘膜，所述绝缘性涂布膜具有2.5以下的介电常数k，且由通式((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(式中，n＝1～3、x≤1)所表示的一种或二种以上的氧化物构成。利用旋涂涂布得到的绝缘性涂布膜不反映基底的凹凸，是平坦的，而且，经热处理的膜的表面粗糙度以Ra计为1nm以下，以P-V值计为20nm以下。含有绝缘性涂布膜的层间绝缘膜无需CMP工艺，仅通过蚀刻就可以形成布线结构及电极。
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