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公开(公告)号：CN117096024A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311015281.3
申请日：2023-08-14
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种对于GaN表面的原子层刻蚀工艺，该刻蚀工艺采用O2作为GaN反应气体，利用自限效应实现固定厚度的氧化，然后选择BCl3作为去除气体，利用BCl3对氧化物的高刻蚀速率来实现快速去除改性层，并采用盐酸等可以去除氧化物的溶液进行表面损伤修复和杂质去除，该工艺具备工艺简单、损伤小、利于欧姆接触、适于性广等特点。
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公开(公告)号：CN113507281B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110806166.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 南方科技大学
IPC: H03K3/0234 , H03K3/013
Abstract: 本发明实施例公开了一种环形振荡器。该环形振荡器包括：总输入端、总接地端、第一延迟模块和第二延迟模块；总输入端用于接收控制振荡频率的控制信号，第一延迟模块的第一控制信号输入端和第二延迟模块的第二控制信号输入端均与总输入端连接；第一延迟模块的第一接地端和第二延迟模块的第二接地端均与总接地端连接；第一延迟模块的第一振荡信号输出端和第二振荡信号输出端分别连接至第二延迟模块的第三振荡信号输入端和第四振荡信号输入端，第二延迟模块的第三振荡信号输出端和第四振荡信号输出端分别连接至第一延迟模块的第二振荡信号输入端和第一振荡信号输入端。通过向第一延迟模块和第二延迟模块注入脉冲信号，实现了对输出相位的重置。
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公开(公告)号：CN110928524B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201911241117.8
申请日：2019-12-06
Applicant: 南方科技大学
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种伪随机信号发生器，包括：信号输入端，用于输入时钟信号；传输模块，与所述信号输入端连接，用于分流放大所述时钟信号；信号产生模块，与所述传输模块连接，用于接收模式切换信号并根据所述模式切换信号和所述时钟信号产生伪随机信号；信号输出模块，与所述信号产生模块连接，用于输出伪随机信号。本发明提供的一种伪随机信号发生器，通过优化核心电路逻辑架构解决了现有技术中数据传输延迟高、工作速率低、电路功耗高的问题，实现了缩短数据传输延迟进而提高工作速率，并且在需要特定码元信号的情况下，可以切换模式任意产生多种不同的高速伪随机信号源的效果。
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公开(公告)号：CN115206959A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210393376.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请提供了一种ESD保护电路与多电源集成电路，涉及集成电路技术领域。该ESD保护电路包括第一端口和第二端口，第一端口与一接触垫耦合，第二端口与一电源耦合；多个并联的ESD器件，每个ESD器件均含有第一子端口和第二子端口；所有第一子端口均与第一端口耦合；所有第二子端口均与第二端口耦合；每个ESD器件均含有一电阻和一OTS元件，电阻与OTS元件串联；ESD保护电路为接触垫提供ESD保护。本申请提供的ESD保护电路与多电源集成电路具有减小了ESD保护电路的面积以及降低了成本的优点。
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公开(公告)号：CN113507281A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110806166.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 南方科技大学
IPC: H03K3/0234 , H03K3/013
Abstract: 本发明实施例公开了一种环形振荡器。该环形振荡器包括：总输入端、总接地端、第一延迟模块和第二延迟模块；总输入端用于接收控制振荡频率的控制信号，第一延迟模块的第一控制信号输入端和第二延迟模块的第二控制信号输入端均与总输入端连接；第一延迟模块的第一接地端和第二延迟模块的第二接地端均与总接地端连接；第一延迟模块的第一振荡信号输出端和第二振荡信号输出端分别连接至第二延迟模块的第三振荡信号输入端和第四振荡信号输入端，第二延迟模块的第三振荡信号输出端和第四振荡信号输出端分别连接至第一延迟模块的第二振荡信号输入端和第一振荡信号输入端。通过向第一延迟模块和第二延迟模块注入脉冲信号，实现了对输出相位的重置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113488530A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110795264.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 南方科技大学 , 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途。所述电极包括依次层叠设置的氧化镍层、铂层和金层，其中，所述氧化镍层为P型结构，所述铂层位于所述P型氧化镍层和金层的中间，所述氧化镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。本发明所提供的p型氮化镓基器件的电极，用于p型氮化镓基器件的源极和漏极，通过引入P型NiO层，过渡金属和半导体界面的肖特基势垒高度，使更多的载流子在金属和半导体间流动，同时通过超高真空热处理，解决了Ga2O3污染层导致的肖特基势垒高度升高问题，降低了器件源漏极欧姆接触电阻，提高了p型氮化镓基晶体管的性能，使得p型氮化镓基器件能够在CMOS电路发挥更大的作用，从劣势变为优势。
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公开(公告)号：CN113098484A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110361969.1
申请日：2021-04-02
Applicant: 南方科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明的实施例公开的一种单端转差分电路，包括：单端转差分模块和失配度调节模块，所述失配度调节模块连接所述单端转差分模块；所述单端转差分模块，包括：第一级差分单元和连接所述第一级差分单元的第二级差分单元；所述失配度调节模块，用于对所述单端转差分模块输出的所述目标差分信号进行失配度调节后输出。本发明实施例公开的单端转差分电路通过失配度调节模块的设计，可实现有效地降低电路输出信号的失配度。
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公开(公告)号：CN112924515A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110077044.4
申请日：2021-01-20
Applicant: 南方科技大学
Inventor： 李汶懋 , 罗伯特·索科洛夫斯基 , 于洪宇 , 汪青
IPC: G01N27/416
Abstract: 本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法，其中气体传感器包括：依次层叠的半导体衬底、缓冲层、势垒层、帽层，以及位于势垒层远离沟道层一侧的源极和漏极；还包括耐温绝缘层，耐温绝缘层设置于源极和漏极远离势垒层的一侧；耐温绝缘层覆盖势垒层和沟道层沿传感器厚度方向的侧壁，且覆盖势垒层未设置源极和漏极的区域；还包括栅极，栅极位于耐温绝缘层远离半导体衬底的一侧，且位于源极和漏极之间的感应区域。本发明实施例提供的技术方案提高了气体传感器的耐温性，扩大了测试温度的范围，增加了检测气体的范围。
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公开(公告)号：CN111239224A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010138796.2
申请日：2020-03-03
Applicant: 南方科技大学
Inventor： 李汶懋 , 于洪宇 , 罗伯特·索科洛夫斯基 , 汪青 , 何明浩
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：衬底；至少两个气体传感单元，位于半导体衬底上，气体传感单元包括异质结，位于异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极，其中，气体传感单元之间的异质结相互隔断，功能性膜层用于探测气体，且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同，钝化层，覆盖除功能性膜层以外的全部器件区域，实现将多个不同功能的气体传感器集成，降低成本的效果。
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公开(公告)号：CN108217720B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201611161737.7
申请日：2016-12-15
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明涉及钛酸钡陶瓷技术领域，尤其涉及一种片式多层陶瓷电容器用钛酸钡纳米晶的制备方法。所述方法包括以下步骤：依次向行星式重力搅拌机的塑料罐中加入溶剂、摩尔质量比为1:1的碳酸钡和金红石型二氧化钛、分散剂、球磨珠；按480RPM～550RPM的速度搅拌30s～60s、再以700RPM～1000RPM的搅拌速度搅拌60s～120s，搅拌若干个周期，得到浆料；对所述浆料进行过筛处理；对过筛后的浆料干燥处理，得到干粉；对干粉进行预烧处理。本制备方法得到的钛酸钡c/a接近1.010，并且该混料方式仅需15min左右，极大地缩短了制备时间，最终产物无团聚现象并具有纯度高等特点。
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