公开(公告)号：CN115835774A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210871271.9

申请日：2022-07-22

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  宋志棠

IPC: H10N79/00 ,  H01L23/525

Abstract: 本发明提出一种存储器，包括多个一次编程存储元，每个一次编程存储元含有存储膜(30)。在一实施例中，存储膜(30)含有一层OTS(Ovonic阈值开关)膜(30A)和一层反熔丝膜(30B)。在另一实施例中，存储膜(30)含有一层OTS膜(30A)，OTS膜(30A)的首次翻转电压Vform大于后续翻转电压Vth。该存储器是三维一次编程存储器，包括三维横向一次编程存储器和三维纵向一次编程存储器。

公开(公告)号：CN115206959A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210393376.8

申请日：2022-04-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  宋志棠 ,  于洪宇 ,  宋三年

IPC: H01L27/02

Abstract: 本申请提供了一种ESD保护电路与多电源集成电路，涉及集成电路技术领域。该ESD保护电路包括第一端口和第二端口，第一端口与一接触垫耦合，第二端口与一电源耦合；多个并联的ESD器件，每个ESD器件均含有第一子端口和第二子端口；所有第一子端口均与第一端口耦合；所有第二子端口均与第二端口耦合；每个ESD器件均含有一电阻和一OTS元件，电阻与OTS元件串联；ESD保护电路为接触垫提供ESD保护。本申请提供的ESD保护电路与多电源集成电路具有减小了ESD保护电路的面积以及降低了成本的优点。

公开(公告)号：CN115802763A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210691159.7

申请日：2022-06-17

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 张国飙 ,  宋志棠

IPC: H10B63/00 ,  H01L23/525

Abstract: 本发明提出一种具有超薄存储元的存储器，其存储膜(30)含有OTS(Ovonic Threshold Switching)膜(30A)，不含有单独的相变材料(PCM，即Phase‑Change Material)膜。在一实施例中，存储膜(30)的总厚度T不大于60nm。在另一实施例中，存储膜(30)不含有单独的编程膜。超薄存储器包括三维横向存储器和三维纵向存储器。