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公开(公告)号：CN105405938B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201511006149.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用单芯片白光LED，所述LED包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底的上表面；n型半导体层，形成于所述缓冲层的上表面，所述n型半导体层的一侧向下形成有台面，所述台面的深度小于所述n型半导体层的厚度；复合发光区，形成于所述n型半导体层除台面外的上表面；p型半导体层，形成于所述复合发光区的上表面；透明导电层，形成于所述p型半导体层的上表面；p电极和n电极，分别形成于所述透明导电层和n型半导体层的一侧台面上。本发明还提供一种可见光通信用单芯片白光LED的制备方法。根据本发明可以得到一种高光效、高带宽的双波段可见光通信用单芯片白光光源。
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公开(公告)号：CN107046071A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710220056.1
申请日：2017-04-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0304 , H01L31/112
CPC classification number: H01L31/03044 , H01L31/02327 , H01L31/03042 , H01L31/112
Abstract: 一种基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片，包括：一衬底；形成于衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的底部多孔DBR层；形成于底部多孔DBR层上的n型GaN层，n型GaN层的一侧向下形成有台面，另一侧为凸起；形成于n型GaN层上的有源区；形成于有源区上的p型GaN层；一侧壁钝化层，形成于所述p型GaN层部分的上表面及凸起的n型GaN层、有源区和p型GaN层的侧壁，该p型GaN层上表面的侧壁钝化层中间有一窗口；形成于侧壁钝化层及其窗口处p型GaN层上的透明导电层；形成于n型GaN层的台面上的n电极；制作在侧壁钝化层上表面周围的p电极；形成于透明导电层及p电极上的顶部介质DBR层。
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公开(公告)号：CN104409336B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410658716.0
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，并且通过刻蚀露出生长窗口；调节生长参数，实现窗口区到掩膜区的横向外延。该方法能够利用金属熔化后的流动性质来消除外延层和衬底层界面间热应力，达到改善外延层质量，保证其不会龟裂。
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公开(公告)号：CN103528802B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310529305.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法，包括如下步骤：制作多个氮化物LED测试样品，使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层；从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面，在该台面上蒸镀上n电极，在ITO层表面蒸镀p电极，在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层，在各测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔；计算测试样品的光提取效率；利用积分球测量各测试样品，获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率；通过光功率计算测试样品的外量子效率，并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。本发明能够消除光致发光谱测量内量子效率带来的负面影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103529310B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310459347.8
申请日：2013-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法，该方法包括制作GaN基LED测试样品，利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压，对所述测试样品的n电极接正电压，p电极接负电压，形成反向偏压，对所述测试样品施加等于光电压的反向偏压，测量其光致发光谱，并记录其发光波长，然后分步增大反向偏压，并测量其光谱和波长，在波长由逐渐变短转为变长时，停止增大反向偏压并停止测量，利用停止测量时的反向偏压减去光电压得到所述测试样品的极化电压，根据该极化电压计算测试样品的极化电场。本发明对样品要求简单，制样方便，可以较快地获得测试结果，有利于满足生产和研发工艺中对测试数据的迫切需求。
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公开(公告)号：CN102608509B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110435006.8
申请日：2011-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对多颗发光二极管器件在加速老化的同时，原位进行光、电、热综合测试的方法，该方法基于对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统实现，该系统包括发光二极管负载电路板(1)、电参数发生及测试装置(2)、多通道驱动控制装置(3)、光探测装置(4)、光探测控制装置(5)、光信号处理分析装置(6)、恒定温度控制装置(7)、温度探测装置(8)以及中央监控及处理计算机(9)。利用本发明，不仅能够对多颗发光二极管进行加速老化，而且可以通过计算机设定时间节点，对每一个发光二极管器件的电学、光学及热学特性进行逐个测试，以便全面了解LED发光二极管器件的整体物理特性。
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公开(公告)号：CN103325901A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310193970.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在衬底的背面。本发明可以独立于材料生长过程和干法刻蚀过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合。
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公开(公告)号：CN103280500A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310193969.0
申请日：2013-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种垂直阵列纳米柱LED的制备方法，该方法包括：步骤1：在平面结构LED外延片上生长一层Al2O3层；步骤2：在Al2O3层上制备纳米颗粒模板；步骤3：利用干法刻蚀技术将平面结构LED外延片制备成纳米柱阵列；步骤4：去掉纳米颗粒模板；步骤5：在纳米柱间隙旋涂一层电介质并完全覆盖纳米柱阵列，用于对纳米柱阵列进行平面化处理，得到样品；步骤6：利用干法刻蚀技术对样品进行反刻蚀，刻蚀深度达到LED外延片的表面；步骤7：利用湿法腐蚀掉Al2O3层；步骤8：从去掉Al2O3层的LED外延片的上面向下刻蚀，刻蚀深度小于LED外延片的厚度，在LED外延片的一侧形成台面；步骤9：利用光刻、金属蒸发、带胶剥离技术，在LED外延片的表面制备p电极，在台面上制备n电极。
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公开(公告)号：CN102623590A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210101763.6
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：取一衬底；在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层，形成基片；在基片的p-GaN层上生长中间层；在中间层生长纳米图形层；以纳米图形层作掩膜，采用ICP-RIE的方法，刻蚀中间层；以刻蚀后的中间层作掩膜，采用ICP-RIE的方法，刻蚀基片上的p-GaN层、量子阱层和部分n-GaN层，形成纳米图形化的结构；并去除纳米图形层和中间层，形成图形化的基片；在图形化的基片上均匀地旋涂上绝缘层，并去除表面的绝缘层；将图形化的基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；在图形化的基片的上面制作p-GaN电极；在台面上制作n-GaN电极，完成发光二极管的制作。
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