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公开(公告)号：CN101251627A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035323.9
申请日：2008-03-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体波导偏振分束器。它是在二维碲介电柱光子晶体中引入线缺陷形成耦合波导的结构，利用TE光和TM光的波导耦合长度不同实现TE光和TM光的分光。采用二维光子晶体波导实现偏振分束器的特点是：首先，与现有各类偏振分束器件相比，它可以实现高偏振度、高消光比的偏振分光。其次，器件的尺寸可以做得很小，并与现有的光子晶体器件在结构上兼容，满足集成化的要求。第三，结构非常灵活，可以通过调节耦合区长度或晶格常数，实现波长在3.5到35μm范围内的任意一波长的偏振分光。本发明还介绍了该偏振分束器的设计思路、具体的结构设计以及在此设计思想下所获得的偏振分束器的光学性能等。
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公开(公告)号：CN101231309A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810033719.X
申请日：2008-02-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法，该方法是通过实测器件电致发光光谱随外注入电流的变化规律与理论计算的结果进行比对，来判断器件结构中非辐射复合中心浓度的大小。本发明方法操作简便，无破坏性；能快速对GaN基LED器件内非辐射复合中心浓度高低的相对状态进行检测，及时推进生产工艺的改进，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有明显作用。
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公开(公告)号：CN101221203A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710172700.9
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN1996685A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610148067.5
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S3/107 , H01S3/08 , H01L31/068 , G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F－P光学谐振腔和置于F－P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F－P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。
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公开(公告)号：CN1945863A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610117009.6
申请日：2006-10-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01L29/20 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种生长在Al2O3衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al2O3表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN－GaN－InN:Mn－InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1793874A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510111477.8
申请日：2005-12-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N23/227 , G01N13/00 , G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法，该设备包括：扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是：利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力，使用导电针尖作为纳米电极，并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域，在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是：利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极，可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像，像点间的信息具有很高的可比性，有助于对半导体光电功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。
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公开(公告)号：CN119715685A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411907615.2
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种测定薄膜功函数的方法。步骤是：A使用标准试样对开尔文探针力显微镜测量表面电势进行标定；B在待测薄膜上加工隔离槽，分隔待测区域与周边的薄膜区域；C对隔离出的待测区域进行减薄，消除表面氧化和吸附对测量的影响；D使用开尔文探针力显微镜测量薄膜待测区域相对导电针尖的电势；E根据开尔文探针力显微镜在标准试样和待测薄膜上测得的相对电势，计算出薄膜的功函数，即待测薄膜的功函数等于标准试样的已知功函数加上开尔文探针力显微镜在标准试样和待测试样上测得的相对电势之差。本发明排除金属或合金表面氧化及吸附效应的影响，获得真实、高精度的功函数值；可以提供纳米级的空间分辨率和定位能力，适用于对薄膜进行原位的测量。
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公开(公告)号：CN119374867A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411906797.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本申请公开了一种探测器截面光响应分布检测方法及系统，涉及探测器的量测领域，该方法包括：采用解离工艺制备探测器的解离面；采用光诱导电流技术检测所述探测器的解离面的光生电流分布特征，以确定探测器截面的光响应分布。本申请在对探测器解离后未引入额外的漏电通道，将探测器的功能结构完全暴露的同时，保证探测器能正常工作，进而能够在探测器工作状态下提取其截面的光生电流分布特征。
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公开(公告)号：CN117317045A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311085989.6
申请日：2023-08-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种自耦合微腔增强的高信噪比红外探测器，其特征是探测器的上电极层、红外吸收层和下电极层经制备形成亚波长的微柱周期阵列结构。该探测器的特点是利用红外探测材料自身的介电光学特性，将探测材料设计制备成具有导模共振效应的介质谐振微腔及其光子晶格结构，在体积大幅减少的吸收材料中实现高效率红外光耦合和吸收增强的一体化。因此该探测器结构能够在减少入射光的反射损失、增强吸收的同时，降低器件的暗电流，尤其适用于长波和甚长波红外波段的高信噪比探测。
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公开(公告)号：CN103107230A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110358927.9
申请日：2011-11-14
Applicant: 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种量子阱太赫兹探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。通过施加外加磁场，对多量子阱芯片势垒层中施主能级与势阱层中子带能级间相互作用进行有效调控，导致电子从势阱层中基态子带能级向势垒层中施主能级转移，并利用势垒层中施主能级间的电子跃迁来探测入射THz辐射。本发明在外加磁场增加到临界磁场Bc以后，由于利用了施主能级间的电子跃迁来进行THz探测，本发明的量子阱太赫兹探测器不需要光栅耦合或45度磨角耦合，能在正入射条件下吸收响应THz辐射，克服了传统量子阱结构探测器原理上导致的缺点，大幅度提高了响应度。
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