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公开(公告)号：CN104359555B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410546472.7
申请日：2014-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种基于数字微反射镜的便携式高光谱重构器，包括：分光器，所述的分光器将进入系统的光按不同波长分光并输出；通道选择器，所述的通道选择器不同空间通道控制着不同波长汇聚光斑的传输，并可自由选择哪些通道的光斑能够进入后续系统；光汇聚器，所述的光汇聚器将不同通道的光斑汇聚成一个极小的光斑并输出。该重构器可预先利用标准光源和大型高精度谱仪对每个通道进行高精度光谱定标，然后结合实际测得的样品光谱曲线重构出突破系统自身光谱分辨极限的光谱数据，从而提升便携式光谱系统的光谱分辨能力。
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公开(公告)号：CN102185025B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201110082811.7
申请日：2011-04-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海中科高等研究院 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程，可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备；利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性，功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米，金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻)，响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。
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公开(公告)号：CN101458293B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810204665.9
申请日：2008-12-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器离子注入区的损伤程度的检测方法。它是基于在强激光辐照下，离子注入n区损伤引起光电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到强激光辐照下的反常电流信号，并除去低激光强度下的常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为离子注入n区损伤引起的光电流，可作为判断样品中损伤的标准。本发明的优点在于能通过与探测过程完全相同的光电过程，直接检测损伤对于光电响应的影响。
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公开(公告)号：CN1793874B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510111477.8
申请日：2005-12-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N23/227 , G01N13/00 , G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法，该设备包括：扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是：利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力，使用导电针尖作为纳米电极，并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域，在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是：利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极，可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像，像点间的信息具有很高的可比性，有助于对半导体光电功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。
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公开(公告)号：CN100559194C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710172700.9
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100524841C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710040613.8
申请日：2007-05-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。
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公开(公告)号：CN100461557C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610148067.5
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S3/107 , H01S3/08 , H01L31/068 , G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F-P光学谐振腔和置于F-P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F-P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。
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公开(公告)号：CN101252255A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810034077.5
申请日：2008-02-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体硅太赫兹激光源器件，包括：泵浦源、硅THz激光器芯片，为硅THz激光器芯片提供制冷的制冷系统。本发明的特征是：利用硅THz激光器芯片中具有更长2p0能级寿命的电离能为40.09meV类氢浅施主杂质NSD来替代硅THz激光器芯片中的杂质P实现5.40THz波段的激光输出。本发明的优点是容易实现2p0能级与较低s态之间的粒子数反转，此类THz激光源器件的品质因子较基于硅中V族浅施主杂质的激光源器件提高约3倍左右，极大提高了THz激光源器件的效率与性能。本发明器件所用硅材料制备方法为提拉法，工艺成熟，均匀性好。
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公开(公告)号：CN101251485A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035500.3
申请日：2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法。该方法通过实测半导体多量子点体系的PL谱；从有效质量近似下的含时微扰的薛定谔方程出发，计算半导体多量子点的PL谱；而后通过理论和实验PL谱对照获得量子点的尺寸分布，其中，PL谱的中心波长对应占比率最大的量子点的复合发光，而PL谱的形状对应尺寸的分布规律。本发明操作简便，耗时短；可以明确获得半导体多量子点体系的尺寸分布。
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公开(公告)号：CN101196552A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710171904.0
申请日：2007-12-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。
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