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公开(公告)号：CN107248537A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710387962.0
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0693 , H01L31/18 , H01L21/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/544 , H01L31/0693 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L31/184
Abstract: 本发明公开了一种最优光电效能的半导体纳米线阵列制备方法，该方法首先通过热蒸发沉积金膜并退火形成无规均匀分布的催化剂颗粒，然后根据拟制备的III‑V族纳米线材料体系，选择最优V/III束流比，在不同的衬底温度下生长一系列的纳米线阵列试样，再使用导电原子力显微镜，对试样进行单纳米线垂直光电性能的统计评估，最后根据单纳米线的平均光电性能确定最佳制备条件。本方法适用于催化分子束外延生长砷化镓等III‑V族纳米线阵列，通过金属催化，使用直接、快速、简易的方法评估和确定纳米线阵列的最优生长条件，进而制备出一种最佳光电效能的半导体纳米线阵列，因此，本方法对高效太阳能电池和超灵敏光电探测器的制造有重要意义。
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公开(公告)号：CN102830260B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210275822.1
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种获取半导体量子阱中载流子浓度的方法，包括步骤：使用扫描探针显微镜的电学检测模式测量半导体量子阱横截面的局域电导分布；建立反映导电探针-量子阱肖特基接触电导和量子阱中载流子浓度关系的数值模型；根据测得的电导分布确定数值模型的参数和量子阱载流子浓度。该方法的空间分辨高，在分析窄量子阱以及耦合量子阱时具有优势；并且适用于从非简并到简并掺杂条件较宽的载流子浓度范围。该方法对于以量子阱为功能结构的半导体光电器件内在性能分析有重要价值。
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公开(公告)号：CN102830260A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210275822.1
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种获取半导体量子阱中载流子浓度的方法，包括步骤：使用扫描探针显微镜的电学检测模式测量半导体量子阱横截面的局域电导分布；建立反映导电探针-量子阱肖特基接触电导和量子阱中载流子浓度关系的数值模型；根据测得的电导分布确定数值模型的参数和量子阱载流子浓度。该方法的空间分辨高，在分析窄量子阱以及耦合量子阱时具有优势；并且适用于从非简并到简并掺杂条件较宽的载流子浓度范围。该方法对于以量子阱为功能结构的半导体光电器件内在性能分析有重要价值。
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公开(公告)号：CN101769941A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010101896.4
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01Q60/30
Abstract: 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估；对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。
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公开(公告)号：CN119374867B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411906797.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本申请公开了一种探测器截面光响应分布检测方法及系统，涉及探测器的量测领域，该方法包括：采用解离工艺制备探测器的解离面；采用光诱导电流技术检测所述探测器的解离面的光生电流分布特征，以确定探测器截面的光响应分布。本申请在对探测器解离后未引入额外的漏电通道，将探测器的功能结构完全暴露的同时，保证探测器能正常工作，进而能够在探测器工作状态下提取其截面的光生电流分布特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119901695A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510059349.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料电学信号检测技术领域，特别是一种光谱分辨的光激发扫描探针电信号提取装置，包含光源单元、光路单元、测量单元和管理控制单元。光源单元和测量单元均电气连接到管理控制单元。管理控制单元配置光源单元的工作参数。在管理控制单元的控制下，光源单元发出的光束通过光路单元被引导照射在样品的表面。控制管理单元还控制测量单元采集样品被光束照射处的电气信息，传输到管理控制单元进一步处理保存。本发明还包含方法。本发明可以精确地获取不同波长光激发下材料的电学响应，有助于深入研究材料的光电特性和微观物理机制。本发明为新型材料的研发、半导体器件性能优化等提供了更精准有效的检测手段，有利于推动技术进步和创新发展。
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公开(公告)号：CN108646160B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201810314999.5
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置和方法，该装置中包括试样表面处理模块，低温扫描电容显微测量模块，微分电容测量控制模块和红外光激发模块。待测材料在试样表面处理腔中经处理后，输送至低温扫描电容显微测量真空腔中的低温试样台上，分别在红外光激发和暗背景条件下进行微分电容显微分布的测量，最后将测得的微分电容信号差值，得到由光激发少数载流子引起的微分电容信号分布。本发明适用于多数窄禁带半导体材料，能够在接近工作状态下实现对材料中少数载流子分布的灵敏测量，空间分辨率足以解析红外光电功能结构中PN结等关键区域，对评估半导体材料特性、预测和优化器件性能有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103681962B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310591009.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法，该方法的核心工艺包括：竖直排列纳米线的旋涂包裹支撑、低温热处理、电极的配置等。该方法对于半导体纳米线的尺寸、力学强度等没有特殊要求，因而将不仅仅局限于常规的Si、ZnO等耐冲击材料体系的纳米线探测器制备，同时适于研发GaAs、InAs等III-V族以及其他材料体系的纳米线器件。另一方面所采用的低折射率旋涂介质以及低温热处理工艺等将有助于大幅提升纳米线器件的光电探测性能，这也是一直以来器件研发中所忽视的问题。该方法可以直接对外延生长的半导体纳米线进行器件制备，因此尤其适用于高灵敏度、大规模阵列型光电探测器的研发。
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公开(公告)号：CN102175727B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110008829.2
申请日：2011-01-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定平衡载流子浓度。该方法适用于具有复杂结构的半导体材料或器件中背景载流子浓度低于1015cm-3特定功能区域的精确测定，并且能够对集成或阵列器件中单个微观区块实施检测。
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公开(公告)号：CN119902045A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510059417.3
申请日：2025-01-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种评测半导体材料或器件内部功能区光电特性的方法。步骤是：A对半导体材料或器件进行预先处理，形成经过待评测功能区的截面，且截面具有纳米级的平整度，制备与半导体材料形成欧姆接触的公共电极；B在无光照条件下，用扫描探针显微镜的电学测量模式测量待测试样内部功能区的电学分布；C选择合适波长光源照射半导体材料或器件，测量待测试样内部功能区在光照条件下的电学分布；D对测量获得的无光照和有光照条件下的电学分布进行比较、处理和解析。该方法具有纳米级空间分辨率和高灵敏度，能直接获得半导体材料和器件内部核心功能区的光电特性，用于准确定位影响其性能的部位，并量化局部的光电特性，从而指导对其性能的分析、预测和优化。
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