公开(公告)号：CN100498288C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610028489.9

申请日：2006-06-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  刘昭麟 ,  甄红楼 ,  李宁 ,  李志锋 ,  陈平平 ,  张波 ,  陈效双

IPC: G01N21/25 ,  G01J1/00

Abstract: 本发明公开了一种将InAs多量子点红外探测器和发光二极管串联集成在同一块芯片上的红外-近红外波长上转换探测器。所说的多量子点红外探测器是由交替生长10个周期的InAs/InyGa1-yAs/GaAs组成；所说的单量子阱发光二极管由GaAs势垒层和InzGa1-zAs有源势阱层组成。本发明的优点是能实现偏压下正入射辐射的长波热红外向容易被CCD相机成像的近红外光的转换，无需制作光栅，简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料的制备工艺成熟，材料的均匀性好。

公开(公告)号：CN100407465C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200610117009.6

申请日：2006-10-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陈平平 ,  陆卫 ,  刘昭麟 ,  李天信 ,  王少伟 ,  陈效双

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L29/20 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开了一种生长在Al2O3衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al2O3表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN-GaN-InN:Mn-InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。

公开(公告)号：CN100392870C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200510029982.8

申请日：2005-09-23

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  刘昭麟 ,  陈平平 ,  周旭昌 ,  李宁 ,  张波 ,  甑红楼 ,  李志锋 ,  陈效双

IPC: H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种自放大红外探测器，它由InGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器以及AlAs/GaAs/AlAs共振隧穿二极管与InAs量子点组成的探测信号的自放大部分组成。本发明的优点是：巧妙地采用了量子点的量子限制效应和共振隧穿二极管电子的隧道效应，将二者有效结合作为红外量子阱探测器的自放大单元，并且与红外量子阱探测器可以集成在同一芯片上，是一种放大与探测已经完全集成的体系。

公开(公告)号：CN1873392A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610028489.9

申请日：2006-06-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  刘昭麟 ,  甄红楼 ,  李宁 ,  李志锋 ,  陈平平 ,  张波 ,  陈效双

IPC: G01N21/25 ,  G01J1/00

Abstract: 本发明公开了一种将InAs多量子点红外探测器和发光二极管串联集成在同一块芯片上的红外－近红外波长上转换探测器。所说的多量子点红外探测器是由交替生长10个周期的InAs/InyGa1－yAs/GaAs组成；所说的单量子阱发光二极管由GaAs势垒层和InzGa1－zAs有源势阱层组成。本发明的优点是能实现偏压下正入射辐射的长波热红外向容易被CCD相机成像的近红外光的转换，无需制作光栅，简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料的制备工艺成熟，材料的均匀性好。

公开(公告)号：CN1945863A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610117009.6

申请日：2006-10-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陈平平 ,  陆卫 ,  刘昭麟 ,  李天信 ,  王少伟 ,  陈效双

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L29/20 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开了一种生长在Al2O3衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al2O3表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN－GaN－InN:Mn－InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。

公开(公告)号：CN1773729A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510029982.8

申请日：2005-09-23

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  刘昭麟 ,  陈平平 ,  周旭昌 ,  李宁 ,  张波 ,  甑红楼 ,  李志锋 ,  陈效双

IPC: H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种自放大红外探测器，它由InGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器以及AlAs\GaAs\AlAs共振隧穿二极管与InAs量子点组成的探测信号的自放大部分组成。本发明的优点是：巧妙地采用了量子点的量子限制效应和共振隧穿二极管电子的隧道效应，将二者有效结合作为红外量子阱探测器的自放大单元，并且与红外量子阱探测器可以集成在同一芯片上，是一种放大与探测已经完全集成的体系。