等离激元微腔耦合结构的高线性偏振度量子阱红外探测器

    公开(公告)号:CN103762220A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410021014.1

    申请日:2014-01-17

    Abstract: 本发明公开了一种等离激元微腔耦合结构的高线性偏振度量子阱红外探测器,该探测器由上层金属线条形成的金属光栅层、量子阱红外光电转换激活层和下层金属反射层组成。本发明的优点是:1.利用上层金属光栅与下层金属反射层之间等离激元共振所形成的电磁波近场耦合微腔的模式选择效应,使得能够进入到微腔的光子以那些能够与探测波长偏振模式形成共振的光子为主。2.进入到微腔中的光子其电矢量方向在微腔模式的调制下由x方向改变为z方向,能够被量子阱子带跃迁吸收形成光电转换过程。由于以上特点,本发明的偏振耦合结构能够极大地提高偏振响应的消光比,使探测器具有极高的偏振分辨能力。

    提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法

    公开(公告)号:CN101335309B

    公开(公告)日:2010-08-25

    申请号:CN200810041158.8

    申请日:2008-07-30

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法。其结构核心部分包括GaAs或InGaAs入射光子吸收层、1010cm-2~1011cm-2量级的高密度InAs自组装量子点及AlGaAs/GaAs双势垒结构层。其工艺核心改进为延长交叉桥共振隧穿二极管器件工艺的退火时间,使得欧姆接触扩散到双势垒结构层。其核心探测途径发明点为在保持原有隧穿二极管对少光子敏感的纵向电流支路的同时,从量子阱引出了另一路横向电流,该横向电流由二维电子气组成,受量子点电场的强烈调制,可反映入射光强的连续变化。本发明器件优点是器件结构和工艺的改进均兼容原有设备,但多光子探测灵敏度相比原有器件有了大幅度提升。

    离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法

    公开(公告)号:CN101425552B

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN200810194786.X

    申请日:2008-10-20

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底;制作多块掩膜板;并蒸镀ZnS薄膜作为离子注入的阻挡层;在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入;再完成p-n结的成结工艺。其中,离子注入的阻挡层是通过多次叠加蒸镀获得的不同厚度ZnS薄膜阻挡层;离子注入的剂量为优化后的同一离子剂量、同一注入能量值。本发明在同一基底材料上获得叠加蒸镀具有不同厚度阻挡层的系列试验单元,一次性地以优化后的离子注入剂量对光刻出注入区进行离子注入的工艺改进,制备高性能碲镉汞p-n结,为光伏型红外探测器提供更方便快捷的优化工艺参数试验研究,试验成本低、且节省时间和精力;该方法同样可推广应用于对其它基底材料体系的离子注入阻挡层厚度的优化研究。

    碲镉汞材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的检测方法

    公开(公告)号:CN101706428A

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200910198964.0

    申请日:2009-11-18

    Abstract: 本发明公开了一种用脉冲激光泵浦-探测实验检测碲镉汞薄膜材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的方法。在对碲镉汞薄膜材料的脉冲激光泵浦-探测实验中,由泵浦光脉冲激发的光生载流子首先被深能级俘获,之后通过复合逐渐恢复到平衡态。在此过程中深能级上部分载流子会被探测光脉冲重新激发进入导带,导致探测光子被大量吸收,使探测光透射强度小于不加泵浦光时的透射强度,造成在相对透射强度的延时变化曲线中出现一个数值为负的吸收谷。这种负的相对透射率随时间逐渐恢复到接近于零的平衡态时的情形,其恢复的时间过程反映出深能级上载流子浓度的变化,体现出深能级上非平衡载流子的弛豫时间。通过理论拟合能够提取出该弛豫时间的数值。

    光子晶体波导偏振分束器

    公开(公告)号:CN101251627A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200810035323.9

    申请日:2008-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种光子晶体波导偏振分束器。它是在二维碲介电柱光子晶体中引入线缺陷形成耦合波导的结构,利用TE光和TM光的波导耦合长度不同实现TE光和TM光的分光。采用二维光子晶体波导实现偏振分束器的特点是:首先,与现有各类偏振分束器件相比,它可以实现高偏振度、高消光比的偏振分光。其次,器件的尺寸可以做得很小,并与现有的光子晶体器件在结构上兼容,满足集成化的要求。第三,结构非常灵活,可以通过调节耦合区长度或晶格常数,实现波长在3.5到35μm范围内的任意一波长的偏振分光。本发明还介绍了该偏振分束器的设计思路、具体的结构设计以及在此设计思想下所获得的偏振分束器的光学性能等。

    一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法

    公开(公告)号:CN101221203A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200710172700.9

    申请日:2007-12-21

    Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法,该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件,利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系,根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离,通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认,可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法,对于改善器件性能,提高器件稳定性,以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。

    氮化镓基发光二极管指示笔

    公开(公告)号:CN100359365C

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200510110631.X

    申请日:2005-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管指示笔,该指示笔包括:GaN基发光二极管,在GaN基发光二极管的发光面上置有方向选择性很高、带通很窄的窄带滤光膜层,在滤光膜层的前面置有透镜。本发明的优点是:发光二极管发出的光,经过窄带滤光膜层使得只有近乎正入射的光才能透射出来,同时,窄带滤光片本身只能透过很窄波长范围的光,从而使得最终发出的光单色性很好,与激光非常接近,然后再加上一个透镜,使光束在使用的范围内光斑都很小,而光束本身并非是相干的激光,亮度均匀,不会像激光笔那样出现很多让人眼感觉不适的闪光点,因此可以替代激光笔作为很好的指示笔用。

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