公开(公告)号：CN119902045A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510059417.3

申请日：2025-01-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李天信 ,  庄远远 ,  程悦 ,  辛蕊 ,  毛飞宇 ,  夏辉

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种评测半导体材料或器件内部功能区光电特性的方法。步骤是：A对半导体材料或器件进行预先处理，形成经过待评测功能区的截面，且截面具有纳米级的平整度，制备与半导体材料形成欧姆接触的公共电极；B在无光照条件下，用扫描探针显微镜的电学测量模式测量待测试样内部功能区的电学分布；C选择合适波长光源照射半导体材料或器件，测量待测试样内部功能区在光照条件下的电学分布；D对测量获得的无光照和有光照条件下的电学分布进行比较、处理和解析。该方法具有纳米级空间分辨率和高灵敏度，能直接获得半导体材料和器件内部核心功能区的光电特性，用于准确定位影响其性能的部位，并量化局部的光电特性，从而指导对其性能的分析、预测和优化。

公开(公告)号：CN119715685A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411907615.2

申请日：2024-12-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李天信 ,  程悦 ,  辛蕊 ,  张帅君 ,  夏辉 ,  邓伟杰 ,  刘伟伟 ,  毛飞宇

IPC: G01N27/00 ,  G01Q60/24 ,  G01Q60/40

Abstract: 一种测定薄膜功函数的方法。步骤是：A使用标准试样对开尔文探针力显微镜测量表面电势进行标定；B在待测薄膜上加工隔离槽，分隔待测区域与周边的薄膜区域；C对隔离出的待测区域进行减薄，消除表面氧化和吸附对测量的影响；D使用开尔文探针力显微镜测量薄膜待测区域相对导电针尖的电势；E根据开尔文探针力显微镜在标准试样和待测薄膜上测得的相对电势，计算出薄膜的功函数，即待测薄膜的功函数等于标准试样的已知功函数加上开尔文探针力显微镜在标准试样和待测试样上测得的相对电势之差。本发明排除金属或合金表面氧化及吸附效应的影响，获得真实、高精度的功函数值；可以提供纳米级的空间分辨率和定位能力，适用于对薄膜进行原位的测量。