公开(公告)号：CN102928194A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210405502.3

申请日：2012-10-22

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  叶振华 ,  梁健 ,  郭楠 ,  李天信 ,  殷菲 ,  张波 ,  崔昊杨 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: G01M11/00

Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面探测器离子注入区陷阱浓度数据的提取方法。它是基于激光辐照在碲镉汞材料上产生光生载流子，载流子扩散至离子注入n区、汞填隙扩散区和p吸收区形成的pn结处被结电场分开形成光电流信号的原理，对pn结光敏元阵列进行一维线性扫描，获得不同温度条件下电流和位置的关系曲线。曲线具有两对光电流峰，曲线的峰间间距代表了光敏元的结区宽度和pn的位置。结合数值模拟，提取获得不同温度下的离子注入区的有效陷阱浓度。本发明对长波碲镉汞红外探测器离子注入区材料优劣的判断具有非常重要的意义。

公开(公告)号：CN101221203A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710172700.9

申请日：2007-12-21

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  崔昊杨 ,  李志锋 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双 ,  胡伟达 ,  叶振华 ,  胡晓宁

IPC: G01R29/24

Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN1996685A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610148067.5

申请日：2006-12-27

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  崔昊杨 ,  李志锋 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双

IPC: H01S3/107 ,  H01S3/08 ,  H01L31/068 ,  G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F－P光学谐振腔和置于F－P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F－P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。

公开(公告)号：CN100559194C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200710172700.9

申请日：2007-12-21

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  崔昊杨 ,  李志锋 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双 ,  胡伟达 ,  叶振华 ,  胡晓宁

IPC: G01R29/24

Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN100461557C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610148067.5

申请日：2006-12-27

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  崔昊杨 ,  李志锋 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双

IPC: H01S3/107 ,  H01S3/08 ,  H01L31/068 ,  G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F-P光学谐振腔和置于F-P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F-P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。

公开(公告)号：CN103267939B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201310191038.7

申请日：2013-05-22

Applicant: 上海电力学院 ,  中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 崔昊杨 ,  李志锋 ,  许永鹏 ,  曾俊冬 ,  唐忠 ,  杨俊杰 ,  汤乃云 ,  朱武 ,  陈琳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法，采用超快脉冲激光照射光伏型碲镉汞薄膜探测器，探测器输出信号呈现脉冲形式的光伏响应信号，数字存储示波器采集并储存光伏信号，探测器光伏响应信号为一个峰值时，为欧姆电极；当探测器光伏响应信号存在两个峰值时，判断电极界面存在肖特基接触，第一个光伏峰值由电极界面肖特基接触形成，第二个光伏峰值由pn结形成，分别计算肖特基接触形成和pn结形成的脉冲光伏的峰值，判断电极质量。是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，适合于衡量器件的实际性能，对于研究碲镉汞的界面效应，发展有关碲镉汞界面的理论，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN103267939A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310191038.7

申请日：2013-05-22

Applicant: 上海电力学院 ,  中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 崔昊杨 ,  李志锋 ,  许永鹏 ,  曾俊冬 ,  唐忠 ,  杨俊杰 ,  汤乃云 ,  朱武 ,  陈琳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种检测光伏型碲镉汞红外探测器电极质量的方法，采用超快脉冲激光照射光伏型碲镉汞薄膜探测器，探测器输出信号呈现脉冲形式的光伏响应信号，数字存储示波器采集并储存光伏信号，探测器光伏响应信号为一个峰值时，为欧姆电极；当探测器光伏响应信号存在两个峰值时，判断电极界面存在肖特基接触，第一个光伏峰值由电极界面肖特基接触形成，第二个光伏峰值由pn结形成，分别计算肖特基接触形成和pn结形成的脉冲光伏的峰值，判断电极质量。是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，适合于衡量器件的实际性能，对于研究碲镉汞的界面效应，发展有关碲镉汞界面的理论，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。