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公开(公告)号：CN215261700U
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202120786965.3
申请日：2021-04-17
Applicant: 上海市计量测试技术研究院 , 中国计量大学
Abstract: 本实用新型为一种复合型纳米膜厚标准样板，其特征在于：所述的标准样板包括分设于基底上的第一测量工作区域和第二测量工作区域两个工作区域，所述的第一测量工作区域为几何薄膜结构测量工作区域，所述的第二测量工作区域为物性薄膜结构测量工作区域，两测量工作区域厚度参数相同，所述的第一测量工作区域设有几何结构工作框，所述的工作框四边外周设有一级循迹标识，在工作框内部设有二级循迹标识，工作框中部则设有中心几何薄膜结构，所述的第二测量工作区域设有物性薄膜结构中心圆，其外周布置有带箭头循迹标识，所述物性薄膜结构中心圆的外周还顺序设有第一外环、第二外环和第三外环。
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公开(公告)号：CN212379431U
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202020895038.0
申请日：2020-05-25
Applicant: 上海市计量测试技术研究院
Abstract: 本实用新型涉及一种基于原子力显微镜的测量装置，原子力显微镜扫描头固定设置，在测量过程中静止不动，原子力显微镜扫描头扫描测量被测物体表面的轮廓面参数并生成检测信号，原子力显微镜信号调理装置将检测信号调理之后传递给平台控制器，平台控制器根据检测信号控制定位平台相对原子力显微镜扫描头运动而使原子力显微镜扫描头沿着被测物体表面扫描检测，计算机对检测信号进行处理而得出被测物体表面轮廓的参数。由此可见，本实用新型的一种基于原子力显微镜的测量装置，能够方便地进行测量，测量过程中，原子力显微镜扫描头保持静止，避免了振动导致的测量误差，提高了测量准确性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN220556313U
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202322300207.8
申请日：2023-08-25
Applicant: 上海市计量测试技术研究院
Abstract: 本实用新型为一种基于光栅干涉式测量的纳米位移台校准装置，包括准直光源、置于所述准直光源光路上的光电探测模块、与所述光电探测模块位置对应的待校准的纳米位移台、置于所述待校准的纳米位移台上的光栅、与所述光电探测模块电路连接的信号处理系统以及与所述待校准的纳米位移台电路连接的位移台驱动系统，所述位移台驱动系统驱动待校准的纳米位移台带动光栅同步运动，所述的光电探测模块设有用于采集干涉信号的光电探测器，所述光电探测器采集的干涉信号转化为电流信号传输至信号处理系统，由信号处理系统对干涉信号进行数据处理，获得光栅和待校准的纳米位移台的位移信息。
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公开(公告)号：CN219936177U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202321273857.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 上海市计量测试技术研究院
Abstract: 本实用新型为一种背对式两光栅相互平行的调节装置，用于实现两光栅栅面平行和两光栅栅线平行的调节，包括第一光栅A、第二光栅B、红光光源、接收屏、光栅安装板、小孔光阑、准直光源、分别设于光栅四个角的螺纹结构和用于光栅与光栅安装板连接安装的伸缩式卡槽旋转机构，通过调节分设于光栅安装板正反两面的第一光栅A和第二光栅B分别与同一水平准直光源垂直来实现两光栅的栅面平行调节，通过红光光源发射光线，由接收屏分次显示两光栅形成的衍射图样，并对两个或以上的衍射光斑分别标记后连线，调节第一光栅A使其标记连线与第二光栅B的标记连线平行，完成两光栅的栅线平行调节。
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公开(公告)号：CN216791112U
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202120786964.9
申请日：2021-04-17
Applicant: 上海市计量测试技术研究院 , 中国计量大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本实用新型为一种可循迹多尺寸纳米膜厚标准样板，其特征在于：所述的纳米膜厚标准样板包括设于基底上的第一测量工作区域和第二测量工作区域两个工作区域，所述的第一测量工作区域设有小光斑光源测量工作中心圆，所述的第二测量工作区域设有大光斑光源测量工作中心圆，所述的小光斑光源测量工作中心圆外周设有若干指向小光斑光源测量工作中心圆的小光斑光源工作区域循迹标识，所述大光斑光源测量工作中心圆外周设有若干指向大光斑光源测量工作中心圆的大光斑光源工作区域循迹标识。本实用新型能够满足测量中不同光斑大小的测量需求，完善了半导体行业不同类型仪器的量值统一方式，使测量结构能被快速、准确地定位和测量，大大提高了测量效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209116974U
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201821794604.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 上海市计量测试技术研究院 , 中国计量大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本实用新型为一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型，其特征在于：所述测量SiO2薄膜厚度是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量的，所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型，实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底，其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本实用新型可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性，为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208171184U
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201820771497.0
申请日：2018-05-23
Applicant: 上海市计量测试技术研究院
Abstract: 本实用新型提供了一种分体式校准靶标，在利用激光跟踪仪对激光扫描仪的空间距离示值误差进行校准时与靶镜相配合作为测量靶标使用，包括：靶座；靶镜承托组件，具有锥柄、设置在锥柄上的连接件以及设置在连接件上并用于通过磁性吸附与靶镜相连接的靶镜座；以及靶球组件，具有球侧锥柄、设置在球侧锥柄上的三维调节机构以及设置在三维调节结构上的靶球，其中，锥柄、球侧锥柄均为莫氏锥柄，该莫氏锥柄具有相同的尺寸以及公差，且锥尖向下设置，靶座上设置有莫氏锥套，该莫氏锥套的锥尖向下，开口向上，莫氏锥套与锥柄以及球侧锥柄相匹配。本实用新型还提供了具有上述分体式校准靶标的校准装置。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204757963U
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201520576501.4
申请日：2015-08-03
Applicant: 上海市计量测试技术研究院
Abstract: 本实用新型提供了一种球棒球心距检测装置，包括：基体，包含：导轨以及分别固定在导轨两端的两个支架；固定支撑部，固定在导轨上用于支撑球体；两个移动支撑部，分别设在固定支撑部两侧，每个移动支撑部包含：可移动式安装在导轨上用于支撑球体的球体侧支撑单元、以及可移动式安装在导轨上设在固定支撑部和球体侧支撑单元之间用于支撑球杆的球棒侧支撑单元；两个测量部，分别与两个球体侧支撑单元一一对应且安装在两个支架上，基于预定测量规则分别测量出其中一个球体侧支撑单元移动的第一距离和另一个球体侧支撑单元移动的第二距离；以及计算部，根据第一距离和第二距离计算出球心距。
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公开(公告)号：CN204595101U
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201520060196.3
申请日：2015-01-28
Applicant: 上海市计量测试技术研究院
IPC: G01R29/22
Abstract: 本实用新型涉及一种薄膜材料压电常数测量装置，属于测量领域。一种气腔压力法薄膜材料压电常数测量装置，其特征在于：将待测薄膜材料放置在全封闭气腔内，所述全封闭气腔通过压力控制器连接气源，由压力控制器控制全封闭气腔内的压力，所述待测薄膜材料上下两面的电极与设置在全封闭气腔的腔体壁上的连通全封闭气腔内外的导电柱电连接，所述导电柱的外接电线连接电荷放大器，最后连接到数字示波器，所述压力控制器连接有数字压力计，所述全封闭气腔内还设置有热电偶传感器，热电偶传感器连接监控用数字温度计。本实用新型通过将待测薄膜材料放置在全封闭气腔内，不会在测量过程中出现影响测量结果的不良因素，大大提高了测量精度。
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公开(公告)号：CN202126223U
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201120232010.X
申请日：2011-07-04
Applicant: 上海市计量测试技术研究院
Abstract: 本实用新型涉及一种花键环规跨棒距的测量装置，属于测量领域。一种圆柱直齿渐开线花键环规跨棒距的测量装置，其特征在于：包括在卧式测长仪的测量座和尾座上相向安装两对称的测钩，在所述测钩竖直尖端横向的测量头座上安装测量测头，所述测量测头包括前端的刀口测头和后端的平面测头，刀口测头面对内尺寸测量位置，所述刀口测头对应所述花键环规的内花键键齿齿槽并相互垂直。本测量装置通过专门设计的测钩和测量测头，直接伸至被测花键环规内花键键齿槽内进行测量，比现在的采用塞组合量块的测量装置，不仅速度加快，效率提高，而且测量结果更精确。
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