公开(公告)号：CN109238155B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201811296986.6

申请日：2018-11-01

Applicant: 上海市计量测试技术研究院 ,  中国计量大学

Inventor： 雷李华 ,  李源 ,  蔡潇雨 ,  魏佳斯 ,  王道档 ,  傅云霞 ,  孟凡娇 ,  孔明 ,  张馨尹

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明为一种采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法，其特征在于：所述测量SiO2薄膜厚度的方法是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量SiO2薄膜的厚度，所述的等效物理结构模型是根据SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型，实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底层，其中所述的中间混合层为Si基底层与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本发明可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性，为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。

公开(公告)号：CN109238155A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811296986.6

申请日：2018-11-01

Applicant: 上海市计量测试技术研究院 ,  中国计量大学

Inventor： 雷李华 ,  李源 ,  蔡潇雨 ,  魏佳斯 ,  王道档 ,  傅云霞 ,  孟凡娇 ,  孔明 ,  张馨尹

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明为一种采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法，其特征在于：所述测量SiO2薄膜厚度的方法是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量Si/SiO2薄膜的厚度，所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型，实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底，其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本发明可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性，为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。

公开(公告)号：CN209116974U

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201821794604.8

申请日：2018-11-01

Applicant: 上海市计量测试技术研究院 ,  中国计量大学

Inventor： 雷李华 ,  李源 ,  蔡潇雨 ,  魏佳斯 ,  王道档 ,  傅云霞 ,  孟凡娇 ,  孔明 ,  张馨尹

IPC: G01B11/06

Abstract: 本实用新型为一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型，其特征在于：所述测量SiO2薄膜厚度是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量的，所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型，实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底，其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本实用新型可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性，为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利