一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置及方法

    公开(公告)号:CN110726378A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201911100142.4

    申请日:2019-11-12

    Abstract: 本发明涉及一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置及方法,在利用本发明的一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置对样品表面参数进行测量时,开启激光光源并对X轴四象限光电探测器、Y轴四象限光电探测器、Z轴四象限光电探测器进行校正之后,将测端球沿被测样品的表面接触扫描;测端球通过测针以及中心连接部带动四棱锥反射镜产生位置变化,从而使得四棱锥反射镜的三个反射面反射至X轴四象限光电探测器、Y轴四象限光电探测器、Z轴四象限光电探测器上的光斑产生偏移量;根据光斑所产生的偏移量可以得出测端球与样品表面接触点的X轴方向、Y轴方向、Z轴方向的坐标参数。

    一种基于共聚焦显微镜的量块测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN116625193A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310588296.2

    申请日:2023-05-23

    Abstract: 本发明涉及一种基于共聚焦显微镜的量块测量装置及方法,通过采用两台共聚焦显微镜直接定位量块的两个测量面,实现量块长度的测量,无需借助辅助面,避免了采用其他原理单方向测量时存在的量块与辅助面研合间隙造成的测量误差,结果更为准确可靠。本发明涉及的一种基于共聚焦显微镜的量块测量装置采用两台共聚焦显微镜对顶测量的方式,通过定位量块两个测量面实现测量,无需进行全范围扫描,仅需在量块的测量面附近进行慢速扫描,其余位置均可快速移动,在测量长度较长的量块时,可有效提升测量效率。

    一种亚表面多参数纳米标准样板及其制备方法

    公开(公告)号:CN115372368A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211002888.3

    申请日:2022-08-19

    Abstract: 本发明涉及一种亚表面多参数纳米标准样板及其制备方法,包括用于定位寻找校准位置的X向循迹标记、Y向循迹标记和对准标记,用于校准的Z向台阶校准区域、一维栅格校准区域和二维栅格校准区域,使用本发明的一种亚表面多参数纳米标准样板进行仪器校准时,可借助循迹标记和对准标记快速分辨当前位置并定位到待测区域,可用于共聚焦显微镜、白光干涉显微镜、超声原子力显微镜等亚表面测量仪器的校准及溯源,为亚表面几何参数测量中的量值准确性提供保障,助力半导体、精密制造、国防军工等战略性新兴产业的发展,具有高度产业利用价值。

    一种基于电容传感器阵列的三维微接触式测头

    公开(公告)号:CN103075951B

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201210557826.9

    申请日:2012-12-20

    Abstract: 本发明为一种基于电容传感器阵列的三维微接触式测头,所述的测头由方形底板、电容传感器阵列、十字梁和测针组成,其特征在于:所述的测头有多个电容传感单元,呈阵列式分布于方形底板上,测针连接在十字梁的中心连接体上,十字梁的悬臂与电容传感器上极板相连,上极板通过微弹簧悬挂单元悬挂,所述上极板的悬挂采用若干个微弹簧实现,微弹簧不仅用于固定电容传感器的上极板,还用于支撑十字梁和测针重量,由测针及十字梁组成的杠杆结构将被测物的横向位移放大并转化为电容上极板的轴向位移,解决单个电容传感器测量时横向分辨力低的问题。本发明弥补了单个电容传感器横向分辨力低的缺陷,提高了分辨力和精度,有效拓展了横向测量范围。

    一种基于电容传感器阵列的三维微接触式测头

    公开(公告)号:CN103075951A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201210557826.9

    申请日:2012-12-20

    Abstract: 本发明为一种基于电容传感器阵列的三维微接触式测头,所述的测头由方形底板、电容传感器阵列、十字梁和测针组成,其特征在于:所述的测头有多个电容传感单元,呈阵列式分布于方形底板上,测针连接在十字梁的中心连接体上,十字梁的悬臂与电容传感器上极板相连,上极板通过微弹簧悬挂单元悬挂,所述上极板的悬挂采用若干个微弹簧实现,微弹簧不仅用于固定电容传感器的上极板,还用于支撑十字梁和测针重量,由测针及十字梁组成的杠杆结构将被测物的横向位移放大并转化为电容上极板的轴向位移,解决单个电容传感器测量时横向分辨力低的问题。本发明弥补了单个电容传感器横向分辨力低的缺陷,提高了分辨力和精度,有效拓展了横向测量范围。

    一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置及方法

    公开(公告)号:CN110726378B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN201911100142.4

    申请日:2019-11-12

    Abstract: 本发明涉及一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置及方法,在利用本发明的一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置对样品表面参数进行测量时,开启激光光源并对X轴四象限光电探测器、Y轴四象限光电探测器、Z轴四象限光电探测器进行校正之后,将测端球沿被测样品的表面接触扫描;测端球通过测针以及中心连接部带动四棱锥反射镜产生位置变化,从而使得四棱锥反射镜的三个反射面反射至X轴四象限光电探测器、Y轴四象限光电探测器、Z轴四象限光电探测器上的光斑产生偏移量;根据光斑所产生的偏移量可以得出测端球与样品表面接触点的X轴方向、Y轴方向、Z轴方向的坐标参数。

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