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公开(公告)号：CN109238155A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811296986.6
申请日：2018-11-01
Applicant: 上海市计量测试技术研究院 , 中国计量大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明为一种采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法，其特征在于：所述测量SiO2薄膜厚度的方法是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量Si/SiO2薄膜的厚度，所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型，实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底，其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本发明可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性，为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。
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公开(公告)号：CN111336935A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010242951.5
申请日：2020-03-31
Applicant: 上海市计量测试技术研究院 , 中国计量大学
Abstract: 本发明为一种基于改进混合优化算法的纳米薄膜参数反演计算方法，其特征在于：所述的纳米薄膜是在基底层上镀介质薄膜后形成的顺序由基底层、中间层和介质薄膜层组成的三层结构纳米薄膜，所述的混合优化算法是利用爬山算法对全连接神经网络的权值进行迭代优化而建立的混合优化算法，通过对椭偏仪测量介质薄膜层得到的椭偏参数值进行数据反演计算，并结合测量时的环境参数值和基底层已知参数值以得出纳米薄膜的厚度及光学参数。本发明保证了利用椭偏仪的测量数据计算出介质薄膜层厚度及光学常数这一过程精确且快速，为利用光谱型椭偏仪测量介质薄膜层的参数提供了数据处理方法保障。
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公开(公告)号：CN109238155B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201811296986.6
申请日：2018-11-01
Applicant: 上海市计量测试技术研究院 , 中国计量大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明为一种采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法，其特征在于：所述测量SiO2薄膜厚度的方法是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量SiO2薄膜的厚度，所述的等效物理结构模型是根据SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型，实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底层，其中所述的中间混合层为Si基底层与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本发明可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性，为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。
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公开(公告)号：CN209116974U
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201821794604.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 上海市计量测试技术研究院 , 中国计量大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本实用新型为一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型，其特征在于：所述测量SiO2薄膜厚度是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量的，所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型，实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底，其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本实用新型可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性，为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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