-
公开(公告)号：CN116143518B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111397981.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种导电高强金刚石/非晶碳复合材料及其制备方法。该金刚石/非晶碳复合材料由非晶碳连续相和嵌在非晶碳连续相中的金刚石颗粒组成，其中金刚石颗粒表现出有序的sp3杂化态，非晶碳连续相表现出无序的sp2杂化态。本发明还公开一种制备上述金刚石/非晶碳复合材料的工艺方法。该工艺方法包括以sp3碳粉体或玻璃碳为原料通过烧结获得所述材料。该金刚石/非晶碳复合材料显示出良好的导电特性以及良好的电火花加工能力，化学稳定性好且质地较轻，在航空航天、汽车工业和生物医学设备中有着广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115821397B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202211654472.X
申请日：2022-12-22
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体铜单晶之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现：将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下，在小于20MPa的压力下在550～650℃下保温0.5～2h后可实现无再结晶的大块铜单晶样品有效焊合。通过TEM高分辨分析进一步证实了大块铜单晶之间首次实现了原子级的扩散键合。本发明操作方法简单、节能环保、可进行批量压焊处理，从而得到无明显焊缝原子级键合态铜单晶体。
-
公开(公告)号：CN115161772B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210495206.0
申请日：2022-05-07
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游；通入惰性保护气体，将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发，在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上，形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜，反应所用的原料来源广泛、成本低廉，且操作安全、简单。
-
公开(公告)号：CN115159446B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210686875.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种硅微/纳米柱的制备方法，属于硅微/纳米结构的制备技术领域。本方法包括如下步骤：(1)从磨抛好的块体硅样品中利用FIB电镜提取用于加工微/纳米柱的初始坯料；(2)利用FIB电镜加工圆台型粗坯；(3)借助FIB电镜，使用环形加工图案对圆台型粗坯进行粗加工，获得硅微/纳米柱粗坯；(4)保持环形加工图案内径不变，逐渐增加其外径进行精加工，确保直径符合需求；(5)利用FIB电镜削平硅微/纳米柱顶部，确保高度符合需求；(6)去除加工过程引入的非晶层。采用本发明的技术方案，可制备尺寸精度高、加工锥度小的硅微/纳米柱，所制备的硅微/纳米柱直径偏差不大于10％，锥度小于10°。所得硅微/纳米柱可用作原位电镜力学测试样品。
-
公开(公告)号：CN114751748B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210269742.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供高强致密的类洋葱碳块材及其制备方法。具体地，本申请提供了一种高强致密的类洋葱碳块材，其中所述高强致密的类洋葱碳块材由类洋葱结构基元构成，密度为1.9‑2.3g/cm3。本申请还提供一种制备本申请高强致密的类洋葱碳块材的方法。本申请高强致密的类洋葱碳块材中的类洋葱碳结构基元尺寸小于100nm，烧结致密，因此具有高强度、高密度以及高导电性，可以替代石墨材料进行应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115928217A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211655012.9
申请日：2022-12-22
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了键合态TiAl单晶及其扩散键合工艺方法。对焊缝处进行EBSD等试验表征，结果表明：焊接之前将TiAl单晶待焊面表面粗糙度降低至200nm以下，压力在10～50MPa之间，焊接温度在950～1250℃之间，保温时间为1～10h时TiAl单晶样品焊合率在90％以上，实现了有效扩散键合；在10～30MPa压力下，焊接温度在1050～1150℃之间，保温时间为3～10h时焊缝处无再结晶生成，完全通过原子之间直接键合，进一步优化实现了TiAl单晶的无再结晶原子级扩散键合，焊合率高达95％以上。本发明操作方法简单、节能环保、可批量进行压焊，从而得到大尺寸键合态TiAl单晶。
-
公开(公告)号：CN115925420A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111168176.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B38/00 , C04B35/628 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供一种高弹性、高密封性的多孔碳块体材料及其制备方法。具体地，本申请提供了一种多孔碳块体材料，其中，所述多孔碳块体材料的孔径范围为3‑100nm，孔隙率为50‑87％，且所述多孔碳块体材料中的孔为闭孔。本申请还提供一种制备本申请多孔碳块体材料的方法。本申请的多孔碳块体材料的孔径小、孔隙率高且气孔均为闭孔，因而，同时具有高强度和高弹性，且具有高密封性和低密度，可以用作密封材料。
-
公开(公告)号：CN115821397A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211654472.X
申请日：2022-12-22
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体铜单晶之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现：将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下，在小于20MPa的压力下在550～650℃下保温0.5～2h后可实现无再结晶的大块铜单晶样品有效焊合。通过TEM高分辨分析进一步证实了大块铜单晶之间首次实现了原子级的扩散键合。本发明操作方法简单、节能环保、可进行批量压焊处理，从而得到无明显焊缝原子级键合态铜单晶体。
-
公开(公告)号：CN114864382A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210473606.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一步法制备单层MoS2/WS2双组份梯度材料的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将硫粉用药匙在刚玉舟的一侧压实，并将盛放硫粉的刚玉舟用铝箔纸密封包裹，用细钢针在盛放硫粉的一侧扎小孔，然后将盛放硫粉的刚玉舟置于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨粉与NaCl混合物、氧化钼粉依次分开置于长刚玉舟上游，将基底置于长刚玉舟下游，然后将长刚玉舟置于多温区管式炉下游高温区；随着多温区管式炉下游高温区温度的调节及NaCl用量的调整，制备出不同尺寸的单层MoS2/WS2双组份梯度材料。本发明能够制备尺寸可控的单层MoS2/WS2双组份梯度材料，所制备的样品结晶性好、化学及热力学性能稳定，应用前景好。
-
公开(公告)号：CN114763307A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110053337.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种层状碳晶界相增韧的金刚石复相材料及其制备方法。该材料包括两种典型组织结构：一种是当层状碳晶界相分布于金刚石晶粒周围时，材料的硬度达到30～50GPa，断裂韧性达到5～12MPa·m1/2；另一种是当层状碳晶界相只存在于金刚石颗粒交汇处时，材料的硬度达大于50GPa，断裂韧性大于12MPa·m1/2。本发明还公开一种制备上述层状碳晶界相增韧的金刚石复相材料的工艺。该工艺包括，通过无压或高温高压烧结等方法，以一种或多种相结构的碳为原料，形成了以金刚石为主相，层状碳为晶界相的烧结块材。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.022 seconds)
