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公开(公告)号：CN116655997B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202310668288.9
申请日：2023-06-07
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合材料的制备方法和应用。该制备方法包括：将芳纶纳米纤维与羰基铁粉按照质量比1：3‑7分散于乙醇溶液中，进行超声液相剥离0.5‑2h，真空抽滤后，得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶；将所述芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶在真空条件下进行冷冻干燥，得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶。由该方法制备得到的芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶，在厚度仅为1.6mm时，对电磁波的有效吸收达到11.2GHz，在厚度为2.4mm时有最大反射损耗为‑42.6dB。由此说明其具有很好的电磁吸收性能，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN118294667A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410265310.X
申请日：2024-03-08
IPC: G01N33/68 , G01N33/543 , G01N21/552
Abstract: 本申请涉及二维材料生物检测技术领域，更具体地说，它涉及一种糖尿病肾病标志物的生物传感器的制备方法及其4应用。利用二维硫化钨晶体作为电敏感层材料，该材料在外加电场的作用下会发生更敏感的变化从而实现SPR信号的调节。制备高质量单原子层硫化钨晶体的方法，并且成功设计了采用单层硫化钨晶体作为电敏感层成功设计了SPR生物传感器，对MCP‑1蛋白达到了较低的检测极限，并实现了临床样本的超高灵敏度检测。
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公开(公告)号：CN118090864A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410025615.3
申请日：2024-01-08
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于二维钒原子掺杂硫化钨材料的场效应晶体管的生物传感器，该场效应晶体管为底栅极结构场效应晶体管，包括SiO2/Si基底、设置于SiO2/Si基底上的钒原子掺杂硫化钨层和设置于钒原子掺杂硫化钨层上的源极和漏极；钒原子掺杂硫化钨层作为场效应晶体管的导电沟道；SiO2/Si基底中，SiO2作为绝缘层，Si同时作为衬底和栅极；其制备方法包括以下步骤：利用化学气相沉积法在SiO2/Si基底上制备钒原子掺杂硫化钨层；旋涂光刻胶，曝光显影后沉积金属形成源极和漏极；去除光刻胶和多余的金属；旋涂光刻胶，曝光显影后暴露出源极、漏极和栅极中的对电极接线区域以及单层钒原子掺杂硫化钨层形成导电沟道。
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公开(公告)号：CN113068390B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110348967.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种二维磁性Fe3GeTe2纳米片与石墨烯纳米片复合材料及其制备方法和应用。该制备方法包括：将Fe3GeTe2粉体与丙酮混合，在冰浴环境下超声液相剥离8～20小时，真空抽滤、洗涤后，得到Fe3GeTe2纳米片；将Fe3GeTe2纳米片与石墨、1‑甲基‑2‑吡咯烷酮混合，在冰浴环境下超声液相解离1～5小时，得到二维磁性Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料。由该方法制备得到的Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料，在厚度仅为1.45mm时，对频率为9.9GHz的微波的最大反射损耗为44.43dB。由此说明其具有很好的微波吸收性能，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN119198871A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411300151.9
申请日：2024-09-18
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/414 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 本申请涉及生物传感技术领域，特别涉及一种基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器及制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：首先，制备Bi2O2Se材料，并将制备的Bi2O2Se材料转移到基底上；然后，在转移后的Bi2O2Se材料上刻蚀形成电极图形，并沉积电极材料以形成电极；采用光刻胶进行二次套刻保护电极，制得生物传感芯片；采用导电胶和金线连接电路板和电极，利用电学平台测试场效应晶体管的电学性能；最后，对制得的生物传感芯片进行功能化处理，并将功能化处理后的生物传感芯片连接至测试平台，进行生物分子检测。本申请提供的基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，采用Bi2O2Se作为沟道材料制备场效应晶体管生物传感器，实现了对抗原的高灵敏检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116856029A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310900925.0
申请日：2023-07-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C25D9/08
Abstract: 一种黑磷薄膜及其制备方法和应用，属于半导体生长制备技术领域。本发明黑磷薄膜的制备方法，包括：(1)制备黑磷/丙酮混合液，在冰浴条件下超声粉碎，获得黑磷纳米片/丙酮分散液；(2)进行离心，获得黑磷纳米片/丙酮分散液；(3)将导电基底作为正极，导电金属板作为负极，插入上述步骤(2)获得的黑磷纳米片/丙酮分散液中，施加直流沉积电压，在导电基底上沉积获得黑磷薄膜。本发明黑磷薄膜的简易制备技术，为其在场效应晶体管、光电探测技术、生物医学等领域的应用提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN112964676A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202011527996.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种表面等离激元共振传感器芯片及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种基于多晶二硫化钨二维材料的表面等离激元共振传感器及其制备方法和应用，利用多晶二硫化钨二维材料晶界处的硫原子与汞离子较强的相互作用，应用表面等离激元共振技术，可以检测不同浓度的汞离子，通过SPR光谱曲线共振角的线性变化，实现对汞离子的超灵敏度检测。本发明通过使用多晶二硫化钨材料，增大汞离子的灵敏度和降低检测极限。
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公开(公告)号：CN117761016A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311545586.5
申请日：2023-11-20
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N21/552 , C12Q1/6825 , C12Q1/6837 , G01N21/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请涉及二维材料生物传感技术领域，更具体地说，它涉及一种基于miRNA检测的二维材料生物传感器制备方法及其应用。所述二维材料生物传感器通过在富含缺陷的GeP二维纳米片表面修饰金纳米粒子，使用机械剥离的方法将GeP纳米片转移到金膜表面，然后通过等离子体刻蚀机精确控制GeP纳米片的厚度。要解决的技术问题包括如何有效地组装不同厚度的GeP纳米片到表面等离激元传感器芯片表面，并且使大量金纳米颗粒原位生长在GeP表面的缺陷位置，以实现对目标miRNA序列的高灵敏度检测和极低的检测极限。此外，还需要确保对目标miRNA序列的高精准选择性识别，并具备出色的抗干扰性能。
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公开(公告)号：CN114755276B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210410920.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本申请属于生物检测技术领域，特别是涉及一种生物传感器及其制备方法和应用。现有的生物传感器操作复杂，灵敏度低且性能不稳定。本申请提供了一种生物传感器，包括在第一方向上依次层叠的载体薄膜、修饰薄膜和待观测DNA层，所述第一方向为载体薄膜指向待观测DNA层；所述载体薄膜包括在所述第一方向上依次层叠的金膜基底层和硫化钨层。有单层硫化钨晶体这种电荷敏感材料的的加入，使得在原有单纯的金膜表面等离激元共振角成像的基础上，通过加入不同电位振幅频率的调制，达到更清晰敏感地观察λDNA的效果。操作简单，灵敏度高，性能稳定。
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公开(公告)号：CN117071059A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311050546.3
申请日：2023-08-21
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明属于层状磁性纳米材料制备的技术领域,提供了一种二维FexGaTe(x＝2‑5)磁性晶体的制备方法，该方法包括以下步骤：Fe源置于第一刚玉舟内设置在多温区管式炉的第一温区，Ga源和Te源置于第二刚玉舟内设置在多温区管式炉的第二温区，在位于所述第二温区的基底上通过化学气相沉积法制备所述二维FexGaTe(x＝2‑5)磁性晶体，其中，反应过程中，所述第一温区的温度为400～700℃；所述第二温区的温度为500～900℃；所述多温区管式炉内的气体压强为10～100kPa。本发明开发了化学气相沉积方法一步法合成层数可控的居里温度在室温以上的二维FexGaTe2(x＝2‑5)磁性晶体，合成时间在2小时以内。此技术具有耗时短、操作简单、厚度可控等优点。
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