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公开(公告)号：CN111285409A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010105378.3
申请日：2020-02-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单层有序氧化锡纳米碗支化氧化铁纳米棒结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明先采用合成条件简单的硬模板法制备单层氧化锡纳米碗材料，后采用水热法制备支化氧化铁纳米棒，最终得到了单层氧化锡纳米碗支化氧化铁纳米棒多级异质结构。与现有制备工艺相比，本发明具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可规模化生产，与硅集成电路工艺兼容等优点。本发明构建的基于异质结的多级复合纳米结构，其应用于气体传感时灵敏度大幅提升，响应时间和恢复时间大幅缩减，展现了更加优异的气敏性能；其能够对微量甲醛能实现超灵敏、高选择性探测，为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供了坚实的技术支持。
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公开(公告)号：CN110608825A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910861741.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚酰亚胺基底微结构的柔性压力传感器及其制备方法。本发明的柔性压力传感器包括下层柔性基底、力敏结构层和上层柔性封装层；下层柔性基底为聚酰亚胺薄膜，其上表面具有凸起的微结构阵列；力敏结构层与下层柔性基底上表面紧密贴合，其从下至上包括下部电极层、柔性压阻材料层和上部电极层，柔性压阻材料层是具有压阻特性的碳基纳米颗粒/聚合物压阻材料；上层柔性封装层与力敏结构层上表面紧密贴合，用以保护传感器和防水。本发明通过采用自下而上的微纳制造技术制备基于聚酰亚胺基底微结构的柔性压力传感器，具有灵敏度高、超薄超轻、工艺简单、易于阵列化制造和应用性强的优点。
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公开(公告)号：CN110501095A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910664135.0
申请日：2019-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G01L1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于荷叶微棘突/MXene复合结构的仿生柔性压力传感器。该传感器包括：压力感知层——带有荷叶表面微棘突结构的聚二甲基硅氧烷（PDMS）；压力处理层——多层Ti2C-MXene薄膜；信号输出层——柔性电极，用于支撑保护Ti2C-MXene薄膜及输出压力信号转化的电信号。本发明的基于荷叶微棘突/MXene复合结构的仿生柔性压力传感器无需进行复杂的结构设计和制作工艺就能兼具高灵敏度、宽线性度、低响应时间、高稳定性等优良特性。
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公开(公告)号：CN109709192A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811530398.4
申请日：2018-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/407 , B82Y15/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钨/氧化锡核壳纳米片结构的气敏纳米材料、制备工艺及其应用。本发明采用一种较为简便的、可大批量合成的溶剂热法制备氧化钨核层纳米片，结合原子层沉积技术合成氧化锡层，得到了氧化钨/氧化锡核壳结构纳米片。与现有制备工艺相比，本发明具有可重复性强，成品率高，制备效率高，可大规模化生产等优点。本发明构建的基于n-n异质结的核壳结构材料结合微机电系统，作为气体传感器时灵敏度大幅提升，响应时间和恢复时间大幅缩减，并且可在复杂环境中对氨气（NH3）气体具有优异的选择性，可为气体监测领域开发高灵敏度、高稳定性的气体传感器提供坚实的技术支持。
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公开(公告)号：CN106504980A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611007128.6
申请日：2016-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02518 , H01L21/02521
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，具体为一种氮化铝（AlN）单晶薄膜的制备方法。本发明使用ZnO单晶基片或其他异质材料作为衬底，使用原子层沉积镀膜（ALD）方法生长AlN薄膜，把清洗好的衬底放入反应腔，反应腔温度设为250-500 oC，使用三甲基铝（TMA）和氨气（NH3）等作为反应前驱体，交替通入反应腔进行生长AlN薄膜。最终外延生长出非极性（100）方向的AlN单晶薄膜。本发明是在低温条件下实现了AlN材料的外延生长，极大降低生长温度和对真空度的要求，其工艺简单，减少了AlN单晶的生长成本，并可以与现有的半导体生长工艺兼容。本发明在基于AlN的深紫外发光器件、压电器件、表面与体声波器件、场发射器件、III-IV族氮化物器件的缓冲层等方面有着广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544103B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210005872.8
申请日：2012-01-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法。该nMOSFET主要由表面晶格方向为（111）A的InP半导体衬底、高介电常数栅介质和金属栅源漏电极组成。本发明中的nMOSFET结构，表现出优异的电流特性。同时，在连续直流电压的扫描激励下，该器件的饱和电流性能稳定可靠，其电流漂移值几乎为零。这种nMOSFE结构解决了长久以来InPMOSFET器件上的电流漂移问题。本发明还进一步提供了上述nMOSFET结构的集成制备方法。
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公开(公告)号：CN103745971A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310701169.5
申请日：2013-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为集成电路铜互连结构及其制备方法。本发明采用Ru-N-Ti结构代替传统的TaN/Ta结构作为扩散阻挡层/粘附层/仔晶层。使用原子层沉积镀膜（ALD）方法制备出Rux(TiN)y薄膜，x,y的取值范围是0.05-0.95，x与y之和为1。通过调节Ru与TiN两者的比例，可以得到对Cu优秀的粘附能力和扩散阻挡能力。本发明可在高纵横比结构上生长出均匀非晶薄膜，获得的Ru-N-Ti结构可同时作为Cu的扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，减少工艺步骤与薄膜器件的整体厚度，改善对Cu的扩散阻挡与粘附性能，提高铜互连的导电性能。
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公开(公告)号：CN103325770A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310235819.1
申请日：2013-06-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种集成电路铜互连结构与制备方法。本发明提出一种新的Ru-N-Ta结构代替传统的TaN/Ta结构作为扩散阻挡层/粘附层/籽晶层。使用原子层沉积镀膜（ALD）方法制备出Rux(TaN)y薄膜，x，y的取值范围是0.05-0.95，x与y之和为1。通过调节Ru与TaN两者的比例，可以得到较好的Cu扩散阻挡能力和粘附能力。本发明的优点可在高深宽比结构上生长均匀非晶薄膜的特点，制备出Ru-N-Ta结构同时充当Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，大大减小薄膜厚度；可以改善Cu阻挡与粘附性能，减少工艺步骤，还可以提高铜互连的导电性能，为铜互连工艺提供了一种简单实用的可行性方案。
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公开(公告)号：CN102507040B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110354870.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明属于温度测量技术领域，具体为一种基于椭偏仪的薄膜温度测量方法。本发明利用椭偏仪测量被测薄膜的折射率谱线与标准折射率谱线，将两者比较，采用最小二乘法得到最佳匹配曲线，从而根据标准谱线所对应的温度值得到被测薄膜的温度值。本发明可非直接、无损耗地测量固体薄膜实时或非实时温度。测量过程中对薄膜材料没损伤，当实验条件不发生明显变化时，该方法具有较高的置信度。当标准折射率谱的温度间隔取得较小时，该方法具有较高的精度。
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公开(公告)号：CN102565660A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210000912.X
申请日：2012-01-04
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于金属氧化物半导体晶体管测试技术领域，具体涉及一种用于高性能MOSFET晶体管器件的Id-Vg测试方法。该方法是在测试回路中用一个接近晶体管开态电阻阻值的片状电阻代替待测晶体管，测得两路脉冲信号：栅极电压脉冲信号和漏极电流经过Op电流电压放大器放大后的电压信号，从而进行信号同步的修正；并且在同一实验平台上设置电源电压为零时，测得晶体管的位移电流信号，从而进行位移电流造成的误差修正。本发明方法操作简单、几乎零成本，但是效果显著，测试精确，适用于以III-V族半导体、锗、石墨烯、各种纳米管、线等结构为载流子沟道的高电流性能MOSFETs晶体管上高介电常数栅介质可靠性方面的研究。
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