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公开(公告)号：CN110047976A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910359171.6
申请日：2019-04-30
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/113
Abstract: 本发明公开了一种日盲紫外光敏晶体管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底进行预处理后，通过光刻剥离技术曝光显影出栅极小岛区域，并在所述栅极小岛区域蒸镀导电膜；步骤2：再通过光刻剥离技术曝光显影出第一堆叠小岛区域，并在所述第一堆叠小岛区域化学气相沉积绝缘层后，磁控溅射光敏层；步骤3：再通过光刻剥离技术曝光显影出第二堆叠小岛区域，并在所述第二堆叠小岛区域磁控溅射背沟道层后，蒸镀叉指电极层。采用背沟道刻蚀方法和叉指电极结构在保证光电探测范围的条件下，增强了器件电学性能，提高了光电探测特性，器件制备工艺简单，在紫外探测领域具有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN110043949A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910199818.3
申请日：2019-03-15
Applicant: 吉林建筑大学
Inventor： 迟耀丹 , 赵阳 , 王立光 , 赵春雷 , 吴博琦 , 王超 , 高晓红 , 杨小天 , 初学峰 , 闫兴振 , 杨帆 , 王欢 , 吕卅 , 杨佳 , 胡为旭 , 刘永峰 , 刘安琪 , 陈颖 , 朱同
IPC: F24D19/10
Abstract: 本发明涉及一种互补优化的自供暖智能调控节能系统，包括：多个自供暖智能调控器，其中每个房屋的自供暖系统内设置一个所述自供暖智能调控器，并且多个自供暖智能调控器中的至少一部分加入同一个互补优化小组；同一互补优化小组内的自供暖智能调控器通过物联网进行相互通信，从而在交换各自设定的供暖时段、目标温度、实际温度的基础上，生成并相互发送协调控制信息，根据所述协调控制信息对各自所在的自供暖系统的供暖状态进行调控。本发明利用相邻房屋之间的热传导实现互补，达到温度维持和能耗节约方面优化，并且基于实际热量占用比率实现费用的公平分摊；以物联网技术为依托，对现有自供暖系统经过简单的硬件改造即可以实现。
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公开(公告)号：CN109994559A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910249023.9
申请日：2019-03-29
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种半导体氧化膜，所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成，其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓；并且，还含有氢；所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+W)的比例为In：20～50原子％、Ga：8～25原子％、Zn：20～50原子％和W：10～30原子％。本发明提供了一种半导体氧化膜，其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法，其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制，来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。
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公开(公告)号：CN108517048A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810401751.2
申请日：2018-04-28
Applicant: 吉林建筑大学
CPC classification number: C08J7/06 , C08J7/123 , C08J2367/02 , C08J2379/08 , H01L51/5215
Abstract: 本发明提供了一种银纳米线网格-还原氧化石墨烯复合电极的制备方法，包括以下步骤：在衬底表面沉积银纳米线，得到银纳米线网格；在所述银纳米线网格上表面涂覆氧化石墨烯水溶液，在衬底表面形成银纳米线网格-氧化石墨烯复合薄膜；对所述银纳米线网格-氧化石墨烯复合薄膜进行紫外线照射，得到银纳米线网格-还原氧化石墨烯复合电极。本发明提供的制备方法利用银纳米线表面的等离子体共振效应辅助紫外灯辐照还原氧化石墨烯，得到银纳米线网格-还原氧化石墨烯复合电极，该制备方法步骤简单，成本低，容易操作，且所得复合电极有优异的空气稳定性和较高的导电性。
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公开(公告)号：CN107919180A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711078038.0
申请日：2017-11-04
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 为克服现有技术中制备银纳米线网格电极时退火温度高的问题，本发明提供一种银纳米线网格电极的制备方法，包括：S1、清洗衬底：将衬底分别在三氯乙烯、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，氮气吹干；S2、制备银纳米线乙醇混合液；S3、采用银纳米线乙醇混合液，通过滴涂成膜方法在衬底上制备银纳米线网格，干燥；S4、将聚四氟乙烯板置于银纳米线网格上，在100℃以下的温度下经聚四氟乙烯板对银纳米线网格均匀持续施加14千克以下的压力，持续5～35分钟，形成银纳米线网格电极。本发明提供的方法熔接的银纳米线网格电极所需的温度较低，满足柔性器件对退火温度的需求，可应用于有机发光二极管、薄膜晶体管和太阳能电池等光电器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119132966A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410937695.X
申请日：2024-07-12
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L29/786 , B41M5/00
Abstract: 本发明属于印刷器件制备领域，特别涉及一种二元金属掺杂氧化物印刷薄膜晶体管的制备方法。本发明提供的印刷薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：将硅/二氧化硅衬底清洗后置于氩气等离子体中去除表面吸附官能团；二水合乙酸锌与水合硝酸铟溶于乙二醇甲醚溶剂；二水合氯化亚锡与水合硝酸铟溶于乙二醇甲醚溶剂；利用高精量微纳打印设备制备哑铃状图案化二元掺杂金属氧化物半导体层；高温退火处理有机杂质；利用高精量打印设备打印顶接触式薄膜晶体管的源漏电极。本发明提供的方法可印刷制备二元金属掺杂氧化物薄膜晶体管，满足目前印刷薄膜晶体管对二元金属氧化物半导体层材料的探索，可应用于全印刷电子显示驱动、光电探测与气体传感等领域。
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公开(公告)号：CN113587963B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110763191.7
申请日：2021-07-06
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: G01D5/38
Abstract: 本发明公开了一种莫尔条纹信号的细分方法，包括S1：将两路相位正交的正弦信号与余弦信号进行模数转换；S2：由正弦信号、余弦信号和直流分量构造新的信号函数，将周期内信号进行八倍粗细分；将粗细分后的八个区间转化为二进制数值用来表示相角位置编码；S3：在八倍粗细分的每个区间进行精细分，实现相角精细分编码信息；S4：将S2粗细分编码结果和S3精细分结果进行组合编码，得到最终相角细分编码；S5：将周期内每个相角进行细分编码，汇总为查分表；S6：采集莫尔条纹信号，进行细分编码，通过查分表可得莫尔条纹信号的相角。解决了由模数转换器自身精度问题所带来的细分精度损失，细分的精度达到了硬件系统的理想值。
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公开(公告)号：CN116313815A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310073364.1
申请日：2023-02-07
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种基于Li掺杂氧化锌锡的双有源层氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：一、通过光刻剥离方法在基底上刻蚀出有多个有源层沉积区；二、利用掺Li氧化锌靶材和金属锡靶材在有源层沉积区上磁控溅射沉积掺Li氧化锌锡薄膜，得到第一有源层；以及利用氧化锌靶材和金属锡靶材在第一有源层上磁控溅射沉积氧化锌锡薄膜，得到第二有源层；其中，在沉积第一有源层时，O2的分压为0；在沉积第二有源层时，O2的分压为5％；三、对沉积有源层的基底去胶后，退火；四、通过光刻剥离方法在退火后的基底上刻蚀出多个电极沉积区；每个电极沉积区包括间隔设置的源电极沉积区和漏电极沉积区；五、在源电极沉积区和漏电极沉积区上沉积电极层后，去胶。
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公开(公告)号：CN113555287B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110827733.2
申请日：2021-07-22
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种水分触发降解的P型瞬态晶体管制备方法，包括：在铁箔基底抛光的一侧进行绝缘层沉积，得到第一样品；在第一样品上进行有源层材料沉积，得到第二样品；在第二样品上进行源漏电极材料沉积，得到第三样品，将第三样品进行退火，得到第四样品；将浓度为6％的丝素蛋白水溶液涂覆在第四样品的表面烘干后，得到第五样品；在第五样品的未抛光基底上覆盖保护层掩模板，沉积保护层材料，得到第六样品；将第六样品固定在夹具中，并将其浸入稀盐酸中对第六样品中的铁箔基底进行溶解，得到第七样品；将第七样品放置在电子束蒸发设备中，进行蒸镀栅电极，得到水分触发降解的p型薄膜晶体管。能够克服基底材料耐热性对器件制备温度的限制。
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公开(公告)号：CN113808952A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110932262.1
申请日：2021-08-13
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/14 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括层叠的硅层和介电层；在所述介电层上放置第一掩模板，所述第一掩模板具有镂空的图案；然后沉积有源材料，使其至少填充所述第一掩模板中的镂空区域，从而形成有图形的有源层，再移除所述第一掩模板；之后在所述有源层上形成电极阵列，得到薄膜晶体管。本发明利用掩膜板制作有源层，省去了沉积光刻胶、光刻胶图形化、有源材料腐蚀等步骤，从而避免了有源层的污染、磨损等问题，提高了器件良率。
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