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公开(公告)号：CN110047976B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910359171.6
申请日：2019-04-30
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/113
Abstract: 本发明公开了一种日盲紫外光敏晶体管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底进行预处理后，通过光刻剥离技术曝光显影出栅极小岛区域，并在所述栅极小岛区域蒸镀导电膜；步骤2：再通过光刻剥离技术曝光显影出第一堆叠小岛区域，并在所述第一堆叠小岛区域化学气相沉积绝缘层后，磁控溅射光敏层；步骤3：再通过光刻剥离技术曝光显影出第二堆叠小岛区域，并在所述第二堆叠小岛区域磁控溅射背沟道层后，蒸镀叉指电极层。采用背沟道刻蚀方法和叉指电极结构在保证光电探测范围的条件下，增强了器件电学性能，提高了光电探测特性，器件制备工艺简单，在紫外探测领域具有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN108962759A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810775194.0
申请日：2018-07-15
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/105 , H01L29/41733 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于一种薄膜晶体管的制备方法。包括清洁衬底，栅极沉积，绝缘层沉积，富氧氧化锌沟道层沉积，低氧氧化锌沟道层沉积，源电极和漏电极沉积。优点是通过双有源层结构、叉指源漏电极的制备，提供富氧、低氧分层制备沟道层来提高器件稳定性与开态电流，在其上制备叉指形状的源、漏电极进一步大幅提高开态电流，且制备工艺简单，为市场上在普遍使用的射频磁控溅射和电子束蒸发，无需更换生产线；原材料为纯氧化锌，成本低廉、绿色环保。在紫外探测、显示驱动等领域都具有应用前景。使纯氧化锌薄膜晶体管在市场上更加具备应用潜力。
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公开(公告)号：CN108987529B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810775195.5
申请日：2018-07-15
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , H01L31/0296 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种柔性氧化锌光敏晶体管的制备方法，属于半导体器件制备技术领域。包括清洁硬质衬底和柔性衬底，栅极沉积，绝缘层沉积，富氧氧化锌沟道层沉积，低氧氧化锌沟道层沉积，源电极、漏电极沉积。优点是利用光敏晶体管的增益特性提高了光电探测响应度，叉指源电极、漏电极结构增强了光电流，双层氧化锌沟道层结构提高了电学稳定性，为市场上在普遍使用的射频磁控溅射和电子束蒸发，无需更换生产线；沟道层材料为纯氧化锌，成本低廉、绿色环保，在紫外探测领域具有良好应用前景，该制备方法的使用使氧化锌在紫外探测中更加具备应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108962759B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810775194.0
申请日：2018-07-15
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于一种薄膜晶体管的制备方法。包括清洁衬底，栅极沉积，绝缘层沉积，富氧氧化锌沟道层沉积，低氧氧化锌沟道层沉积，源电极和漏电极沉积。优点是通过双有源层结构、叉指源漏电极的制备，提供富氧、低氧分层制备沟道层来提高器件稳定性与开态电流，在其上制备叉指形状的源、漏电极进一步大幅提高开态电流，且制备工艺简单，为市场上在普遍使用的射频磁控溅射和电子束蒸发，无需更换生产线；原材料为纯氧化锌，成本低廉、绿色环保。在紫外探测、显示驱动等领域都具有应用前景。使纯氧化锌薄膜晶体管在市场上更加具备应用潜力。
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公开(公告)号：CN110047976A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910359171.6
申请日：2019-04-30
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/113
Abstract: 本发明公开了一种日盲紫外光敏晶体管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底进行预处理后，通过光刻剥离技术曝光显影出栅极小岛区域，并在所述栅极小岛区域蒸镀导电膜；步骤2：再通过光刻剥离技术曝光显影出第一堆叠小岛区域，并在所述第一堆叠小岛区域化学气相沉积绝缘层后，磁控溅射光敏层；步骤3：再通过光刻剥离技术曝光显影出第二堆叠小岛区域，并在所述第二堆叠小岛区域磁控溅射背沟道层后，蒸镀叉指电极层。采用背沟道刻蚀方法和叉指电极结构在保证光电探测范围的条件下，增强了器件电学性能，提高了光电探测特性，器件制备工艺简单，在紫外探测领域具有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN110335820B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910623620.3
申请日：2019-07-11
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了蛋白质基底上p型薄膜晶体管制备方法，包括：步骤一、将带有源漏电极图案的掩模板覆盖于可溶的硬质基底上，进行源漏电极材料沉积，得源漏电极基底；步骤二、将带有有源层图案的掩模板覆盖于所述源漏电极基底之上，进行有源层材料沉积，得有源层基底；步骤三、将所述有源层基底沉积绝缘层，得绝缘层基底；蒸镀铝薄膜，得初级器件并进行退火处理；步骤四、将蛋白质溶液涂覆于所述初级器件表面，待溶剂挥发后，得到蛋白质薄膜覆盖器件；步骤五、将所述蛋白质薄膜覆盖器件置于水中，使所述硬质基底溶解后，得到可降解薄膜晶体管器件。
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公开(公告)号：CN108987529A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810775195.5
申请日：2018-07-15
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , H01L31/0296 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种柔性氧化锌光敏晶体管的制备方法，属于半导体器件制备技术领域。包括清洁硬质衬底和柔性衬底，栅极沉积，绝缘层沉积，富氧氧化锌沟道层沉积，低氧氧化锌沟道层沉积，源电极、漏电极沉积。优点是利用光敏晶体管的增益特性提高了光电探测响应度，叉指源电极、漏电极结构增强了光电流，双层氧化锌沟道层结构提高了电学稳定性，为市场上在普遍使用的射频磁控溅射和电子束蒸发，无需更换生产线；沟道层材料为纯氧化锌，成本低廉、绿色环保，在紫外探测领域具有良好应用前景，该制备方法的使用使氧化锌在紫外探测中更加具备应用潜力。
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公开(公告)号：CN110335820A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910623620.3
申请日：2019-07-11
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了蛋白质基底上p型薄膜晶体管制备方法，包括：步骤一、将带有源漏电极图案的掩模板覆盖于可溶的硬质基底上，进行源漏电极材料沉积，得源漏电极基底；步骤二、将带有有源层图案的掩模板覆盖于所述源漏电极基底之上，进行有源层材料沉积，得有源层基底；步骤三、将所述有源层基底沉积绝缘层，得绝缘层基底；蒸镀铝薄膜，得初级器件并进行退火处理；步骤四、将蛋白质溶液涂覆于所述初级器件表面，待溶剂挥发后，得到蛋白质薄膜覆盖器件；步骤五、将所述蛋白质薄膜覆盖器件置于水中，使所述硬质基底溶解后，得到可降解薄膜晶体管器件。
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