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公开(公告)号：CN118889635B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411388019.8
申请日：2024-10-08
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H02J7/00 , H01M10/42 , H01M10/44 , G01R31/378 , G01R31/385 , G01R31/396 , G01R31/389
Abstract: 本发明涉及电路管理技术领域，具体公开一种实现电压均衡的电路管理方法，对各退役锂电池进行电能性能测试，并将多块退役锂电池依据电能性能进行随机排列，由此组成电池组，将每个电池组中的退役锂电池通过导线和均衡电路连接，形成各电池模组；在每个电池模组中，设置电池检测单元，电池检测单元分别连接到电池模组中的各退役锂电池，用于实时检测各电池模组内各退役锂电池的电压；对各电池模组内各退役锂电池的电压进行分析，评估各电池模组内退役锂电池的电压差异；制定各电池模组的均衡策略，直至各电池模组内所有退役锂电池的电压差异在电压差异许可阈值区间内时，停止均衡操作，有效提高退役锂电池的电池稳定率。
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公开(公告)号：CN119132965A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410703792.2
申请日：2024-06-03
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于印刷光电子器件制备领域，特别涉及一种气氛退火改善印刷金属氧化物薄膜晶体管场效应性能的方法。本发明提供的改善印刷薄膜晶体管场效应性能的方法，包括以下步骤：切割Si/SiO2基底并超声清洗10分钟；置于气体等离子体发生装置中去除基底表面吸附的杂质；二水合乙酸锌、二水合氯化亚锡以及水合硝酸铟溶于乙二醇甲醚；打印薄膜晶体管器件有源层并进行550摄氏度空气氛围退火处理；为提高薄膜晶体管场效应性能，对金属氧化物有源层材料进行550摄氏度真空氛围下退火处理；利用高精量喷墨打印设备打印薄膜晶体管源、漏电极。本发明提供的方法可提高印刷金属氧化物薄膜晶体管的场效应性能，满足目前光电子器件对印刷驱动器件高电学性能的需求。
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公开(公告)号：CN118889635A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411388019.8
申请日：2024-10-08
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H02J7/00 , H01M10/42 , H01M10/44 , G01R31/378 , G01R31/385 , G01R31/396 , G01R31/389
Abstract: 本发明涉及电路管理技术领域，具体公开一种实现电压均衡的电路管理方法，对各退役锂电池进行电能性能测试，并将多块退役锂电池依据电能性能进行随机排列，由此组成电池组，将每个电池组中的退役锂电池通过导线和均衡电路连接，形成各电池模组；在每个电池模组中，设置电池检测单元，电池检测单元分别连接到电池模组中的各退役锂电池，用于实时检测各电池模组内各退役锂电池的电压；对各电池模组内各退役锂电池的电压进行分析，评估各电池模组内退役锂电池的电压差异；制定各电池模组的均衡策略，直至各电池模组内所有退役锂电池的电压差异在电压差异许可阈值区间内时，停止均衡操作，有效提高退役锂电池的电池稳定率。
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公开(公告)号：CN117205876B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311467783.X
申请日：2023-11-07
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开了一种抗泥剂的生产装置和制备方法，涉及抗泥剂制备技术领域，所述生产装置包括主釜体，所述主釜体为双层结构，且双层结构之间设置有隔热层，该隔热层为真空层，所述主釜体整体为不锈钢材质，所述主釜体的上端右侧方开设有进料管，所述主釜体的上端中心安装有伺服电机，且伺服电机的下端输出轴固定连接有搅拌轴，所述进料管的上方设置有辅助注液机构，且随动刮壁机构的上方设置有防底部沉淀机构，按照所设定的程序和运行步骤，便可自动连续地往主釜体的内部加入制备抗泥剂所需的原液，从而不仅保证了原液输送的连续性和自动性，以减少人工干预的过程，同时也能够实现精准地把控注入原液的时间和顺序，以保证抗泥剂制备的精准性。
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公开(公告)号：CN115200078B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210848071.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: F24D19/10
Abstract: 本申请公开了一种智能供暖方法及装置，该方法应用于供暖系统中的控制设备，供暖系统用于为供暖区域进行供暖，供暖区域包括多个第一供暖子区域；对于每个第一供暖子区域；对于每个第一供暖子区域的供暖方法均包括：获取第一供暖子区域中的压力传感器的压力值；若是，则控制第一供暖子区域中的计时器进行计时；周期地获取计时器的计时时长，根据压力传感器的压力值、计时器的计时时长，确定第一供暖子区域的第一供暖功率；以及控制第一供暖子区域中的第一供暖单元根据第一供暖功率对第一供暖子区域进行供暖；若否，则控制计时器停止计时。采用本申请实施例可提升供暖系统的供暖灵活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112736033B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011548866.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开了一种在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，包括：步骤一、在聚酰亚胺衬底上沉积牺牲层；步骤二、将第一掩模板覆盖在牺牲层上，进行保护层沉积，得到第一基底；步骤三、将第二掩模板覆盖在第一基底上，进行源漏电极沉积，得到第二基底；步骤四、将第三掩模板覆盖在第二基底上，进行有源层沉积，得到第三基底；步骤五、将第三基底进行退火后，在第三基体上进行绝缘层沉积，得到第四基底；步骤六、在第四基底上进行栅电极沉积，使栅电极包围式设置在绝缘层外侧；步骤七、将蛋白质溶液涂覆于与栅电极外侧，得到初级器件；步骤八、使用盐酸溶液将牺牲层溶解后，将聚酰亚胺衬底剥离，得到在蛋白基底上可降解的p型薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN115200078A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210848071.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: F24D19/10
Abstract: 本申请公开了一种智能供暖方法及装置，该方法应用于供暖系统中的控制设备，供暖系统用于为供暖区域进行供暖，供暖区域包括多个第一供暖子区域；对于每个第一供暖子区域；对于每个第一供暖子区域的供暖方法均包括：获取第一供暖子区域中的压力传感器的压力值；若是，则控制第一供暖子区域中的计时器进行计时；周期地获取计时器的计时时长，根据压力传感器的压力值、计时器的计时时长，确定第一供暖子区域的第一供暖功率；以及控制第一供暖子区域中的第一供暖单元根据第一供暖功率对第一供暖子区域进行供暖；若否，则控制计时器停止计时。采用本申请实施例可提升供暖系统的供暖灵活性。
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公开(公告)号：CN114864407A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210544965.1
申请日：2022-05-19
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/363 , H01L29/227 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：步骤一、对衬底进行预处理后，在所述衬底上制备铝薄膜作为栅电极，得到第一基底；步骤二、在所述栅电极上制备Ta2O5薄膜作为栅介质层，得到第二基底；步骤三、通过光刻剥离方法在所述栅介质层上刻蚀出有源层区域，并在所述有源层区域制备WZO薄膜作为有源层，得到第三基底；其中，制备WZO薄膜的方法为：采用金属W靶材和ZnO靶材，通过反应溅射获得WZO薄膜；所述W靶材的纯度为99.99％，所述ZnO靶材的纯度为99.99％；步骤四、在所述有源层上通过光刻剥离方法刻蚀出源、漏电极区域，并在所述源、漏电极区域蒸镀铝薄膜作为源、漏电极，得到晶体管。
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公开(公告)号：CN114493306A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210115645.4
申请日：2022-02-07
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开了一种基于云计算的建筑安全监测管理方法，包括：步骤一、根据采样周期，采集建筑物的建筑高度、占地面积、建造体积作为建筑物的外部结构信息；步骤二、采集建筑物的室内温度、室内碳氧化合物浓度和烟雾浓度，作为建筑物的内部消防信息；步骤三、将所述建筑物的外部结构信息和建筑物的内部消防信息与标准值进行匹配对比，输出匹配信息和无匹配信息，并对建筑物整体安全等级评定。通过将建筑物的外部结构信息和建筑物的内部消防信息与标准值进行匹配对比，输出匹配和非匹配数据，通过模糊控制对建筑物整体的安全等级进行评定，能够及时了解建筑安全情况，提高建筑物的安全性能。
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公开(公告)号：CN114300342A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111543754.8
申请日：2021-12-16
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/44 , H01L29/786 , G03F1/76
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种源漏电极的光刻方法、薄膜晶体管的制备方法。本发明提供的源漏电极的光刻方法，包括以下步骤：将图案化的有源层的表面进行部分匀胶，干燥，得到部分覆盖有光刻胶的图案化有源层；利用所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层中未匀胶部分，将所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层对焦制备源漏电极的光刻掩膜版，进行紫外光曝光和生长，在图案化的有源层表面形成源漏电极。本发明对图案化后的有源层进行部分涂覆光刻胶，其未旋涂光刻胶部分可作为对准参照，使覆盖有光刻胶的图案化有源层精准对焦制备源漏电极的光刻掩膜版的沟道位置。
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