一种银纳米线网格电极的制备方法

    公开(公告)号:CN108539058A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810523566.0

    申请日:2018-05-28

    Abstract: 本发明公开一种银纳米线网格电极的制备方法。所述制备方法包括:在柔性衬底上制备银纳米线网格层;在银纳米线网格层的一组对边上分别制备与银纳米线网格层连接的烧结电极;将所述烧结电极分别接入直流电源的两端,形成电烧结回路。本发明提供的制备方法通过直流电源给银纳米线网格两侧的烧结电极施加电压,利用简单的电烧结工艺减小银纳米线间的接触电阻,进而降低银纳米线网格的电阻,优化随机排布的银纳米线网格电极的电学性能。与传统的通过长时间高温退火减小电极电阻的方法相比,本发明提供的制备方法,工艺简单有效,实施成本低,加工速度快,便于大规模制备加工,满足目前光电器件对柔性透明电极的需求,有广阔的应用前景。

    一种图案化薄膜的高温退火方法

    公开(公告)号:CN108346583B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN201810110906.7

    申请日:2018-02-05

    Abstract: 为克服现有技术中图案化薄膜高温退火后出现破裂的问题,提供一种图案化薄膜的高温退火方法,包括以下步骤:S1、在基底上形成液态的图案化薄膜液,所述图案化薄膜液中包括成膜材料和溶剂;S2、将图案化薄膜液在预退火温度下进行预退火处理,得到薄膜前体;所述预退火温度比所述溶剂的沸点低4‑5℃;S3、将薄膜前体在过渡退火温度下进行过渡退火处理,得到薄膜过渡体;所述过渡退火温度比目标退火温度低100‑150℃;S4、将薄膜过渡体在目标退火温度下进行退火处理,然后冷却,得到薄膜。经过本发明提供的高温退火方法制备得到的薄膜不会破裂,品质高,为提高图案化薄膜的性能提供很好的支撑条件。

    一种图案化薄膜的高温退火方法

    公开(公告)号:CN108346583A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201810110906.7

    申请日:2018-02-05

    Abstract: 为克服现有技术中图案化薄膜高温退火后出现破裂的问题,提供一种图案化薄膜的高温退火方法,包括以下步骤:S1、在基底上形成液态的图案化薄膜液,所述图案化薄膜液中包括成膜材料和溶剂;S2、将图案化薄膜液在预退火温度下进行预退火处理,得到薄膜前体;所述预退火温度比所述溶剂的沸点低4-5℃;S3、将薄膜前体在过渡退火温度下进行过渡退火处理,得到薄膜过渡体;所述过渡退火温度比目标退火温度低100-150℃;S4、将薄膜过渡体在目标退火温度下进行退火处理,然后冷却,得到薄膜。经过本发明提供的高温退火方法制备得到的薄膜不会破裂,品质高,为提高图案化薄膜的性能提供很好的支撑条件。

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