太阳能集热供暖装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108240677A

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201810161149.6

    申请日:2018-02-27

    CPC classification number: Y02E10/40 F24D15/02 F24D2200/14

    Abstract: 本发明属于太阳能供暖设备技术领域,具体涉及一种太阳能集热供暖装置。本发明所述的太阳能集热供暖装置,包括:集热器,所述集热器包括壳体,所述壳体的内部设有导管,所述壳体的顶部设有水袋,所述导管的一端与所述水袋的内部相通连接,所述导管的另一端与出水管连接;和储水罐,所述储水罐通过所述出水管与所述导管相通连接,所述出水管上设有循环泵,通过所述循环泵的运转能够将所述集热器的内部的加热水输送至所述储水罐内。通过使用本发明所述的太阳能集热供暖装置,安装简单,使用方便,能够利用集热器对水液进行预热升温,并能够将升温后的水液储存在储水罐内,减少了对水液进行加热时的能源消耗,提高了能源利用率。

    一种图案化薄膜的高温退火方法

    公开(公告)号:CN108346583B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN201810110906.7

    申请日:2018-02-05

    Abstract: 为克服现有技术中图案化薄膜高温退火后出现破裂的问题,提供一种图案化薄膜的高温退火方法,包括以下步骤:S1、在基底上形成液态的图案化薄膜液,所述图案化薄膜液中包括成膜材料和溶剂;S2、将图案化薄膜液在预退火温度下进行预退火处理,得到薄膜前体;所述预退火温度比所述溶剂的沸点低4‑5℃;S3、将薄膜前体在过渡退火温度下进行过渡退火处理,得到薄膜过渡体;所述过渡退火温度比目标退火温度低100‑150℃;S4、将薄膜过渡体在目标退火温度下进行退火处理,然后冷却,得到薄膜。经过本发明提供的高温退火方法制备得到的薄膜不会破裂,品质高,为提高图案化薄膜的性能提供很好的支撑条件。

    一种银纳米线网格电极的制备方法

    公开(公告)号:CN107919180B

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201711078038.0

    申请日:2017-11-04

    Abstract: 为克服现有技术中制备银纳米线网格电极时退火温度高的问题,本发明提供一种银纳米线网格电极的制备方法,包括:S1、清洗衬底:将衬底分别在三氯乙烯、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,氮气吹干;S2、制备银纳米线乙醇混合液;S3、采用银纳米线乙醇混合液,通过滴涂成膜方法在衬底上制备银纳米线网格,干燥;S4、将聚四氟乙烯板置于银纳米线网格上,在100℃以下的温度下经聚四氟乙烯板对银纳米线网格均匀持续施加14千克以下的压力,持续5~35分钟,形成银纳米线网格电极。本发明提供的方法熔接的银纳米线网格电极所需的温度较低,满足柔性器件对退火温度的需求,可应用于有机发光二极管、薄膜晶体管和太阳能电池等光电器件中。

    一种银纳米线网格电极的制备方法

    公开(公告)号:CN107919180A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201711078038.0

    申请日:2017-11-04

    Abstract: 为克服现有技术中制备银纳米线网格电极时退火温度高的问题,本发明提供一种银纳米线网格电极的制备方法,包括:S1、清洗衬底:将衬底分别在三氯乙烯、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗,氮气吹干;S2、制备银纳米线乙醇混合液;S3、采用银纳米线乙醇混合液,通过滴涂成膜方法在衬底上制备银纳米线网格,干燥;S4、将聚四氟乙烯板置于银纳米线网格上,在100℃以下的温度下经聚四氟乙烯板对银纳米线网格均匀持续施加14千克以下的压力,持续5~35分钟,形成银纳米线网格电极。本发明提供的方法熔接的银纳米线网格电极所需的温度较低,满足柔性器件对退火温度的需求,可应用于有机发光二极管、薄膜晶体管和太阳能电池等光电器件中。

    一种图案化薄膜的高温退火方法

    公开(公告)号:CN108346583A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201810110906.7

    申请日:2018-02-05

    Abstract: 为克服现有技术中图案化薄膜高温退火后出现破裂的问题,提供一种图案化薄膜的高温退火方法,包括以下步骤:S1、在基底上形成液态的图案化薄膜液,所述图案化薄膜液中包括成膜材料和溶剂;S2、将图案化薄膜液在预退火温度下进行预退火处理,得到薄膜前体;所述预退火温度比所述溶剂的沸点低4-5℃;S3、将薄膜前体在过渡退火温度下进行过渡退火处理,得到薄膜过渡体;所述过渡退火温度比目标退火温度低100-150℃;S4、将薄膜过渡体在目标退火温度下进行退火处理,然后冷却,得到薄膜。经过本发明提供的高温退火方法制备得到的薄膜不会破裂,品质高,为提高图案化薄膜的性能提供很好的支撑条件。

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