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公开(公告)号：CN110369840B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910676145.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开了一种微电子器件封装焊接机，包括：底板；顶板，其设置在所述底板上方；输送带，其可拆卸设置在所述底板上，能够运送微电子器件的底座和封盖；定位架，可旋转支撑在所述底板上，位于所述输送带一侧，能够定位和固定微电子器件的底座；第一伸缩架，其一端可拆卸连接所述顶板；焊接枪，其连接所述第一伸缩架另一端，并与所述定位架同轴设置；第二伸缩架，其一端可拆卸连接所述顶板；封装架，其连接所述第二伸缩架另一端，能够夹持所述微电子器件的封盖，利用输送架将封装底座和封装盖，输送至焊接枪和封装架工位进行封装，无需人力干预，且可同时输送多个待封装件，生产效率高，本发明还公开了一种微电子器件封装焊接机。
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公开(公告)号：CN109994559B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910249023.9
申请日：2019-03-29
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种半导体氧化膜，所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成，其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓；并且，还含有氢；所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+W)的比例为In：20～50原子％、Ga：8～25原子％、Zn：20～50原子％和W：10～30原子％。本发明提供了一种半导体氧化膜，其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法，其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制，来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。
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公开(公告)号：CN110379716A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910670628.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法，包括步骤：1：配置得到蛋白质溶液；步骤2：将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上，待溶剂挥发后，干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜；步骤3：在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩模板，蒸镀铝薄膜，形成栅电极；步骤4：在所述栅电极上覆盖第二掩模板，溅射沉积HfO2绝缘层薄膜；其中，靶溅射功率为140～160W，温度为85～95℃，压力7.5～8.5mtorr，Ar/O2为8.5:1～9.5:1，沉积时间为1.5～2.5h，HfO2绝缘层薄膜厚度为190～210nm；步骤5：在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩模板，溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜；步骤6：在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板，蒸镀源极和漏极后，获得可降解薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN109626620A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910149581.8
申请日：2019-02-28
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: C02F9/02
CPC classification number: C02F9/00 , C02F1/001 , C02F1/38 , C02F1/44 , C02F2209/001 , C02F2209/003 , C02F2301/043
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体膜的废水处理系统，包括：调节池，其用于调节废水的水质和水量；废水暂存池，其进水口与所述调节池的出水口连通；离心机，其进水口与所述废水暂存池的出水口连通；纸带过滤器，其进水口与所述离心机的出水口连通；储料罐，其进水口与所述纸带过滤器的出水口连通；半导体膜过滤器，其进水口与所述储料罐的出水口连通；清液罐，其与所述半导体膜过滤器的出水口连通；浓液罐，其用于接收半导体膜过滤器中浓缩废水；其中，所述废水暂存池与离心机之间设有第一输送泵，储料罐与所述半导体膜过滤器之间设置有第二输送泵。本发明还公开了一种基于半导体膜的废水处理系统的控制方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110379716B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910670628.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法，包括步骤：1：配置得到蛋白质溶液；步骤2：将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上，待溶剂挥发后，干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜；步骤3：在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩膜板，蒸镀铝薄膜，形成栅电极；步骤4：在所述栅电极上覆盖第二掩膜板，溅射沉积HfO2绝缘层薄膜；其中，靶溅射功率为140～160W，温度为85～95℃，压力7.5～8.5mtorr，Ar/O2为8.5:1～9.5:1，沉积时间为1.5～2.5h，HfO2绝缘层薄膜厚度为190～210nm；步骤5：在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩膜板，溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜；步骤6：在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板，蒸镀源极和漏极后，获得可降解薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN111224020A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010035269.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开一种基于喷墨融合的薄膜电极材料沉积方法，包括步骤1：在衬底上均匀旋转涂覆光刻胶并干燥，光刻后，在所述衬底上获得多组图案化电极结构区域；步骤2：通过压电喷涂方法在所述图案化电极结构区域上喷涂金属粒子墨水，并干燥固化得到金属电极层；其中，喷涂金属粒子墨水时，喷涂的针尖与所述衬底的距离小于等于45～50μm；喷涂电压为200～230V，喷涂速度为0.8～1.3mm/s，喷涂厚度为50～70nm；步骤3：将所述衬底置于有机溶剂中，剥离光刻胶获得边界整齐的薄膜电极。基于喷墨与光刻相结合手段，有效解决了采用喷墨印刷方法沉积薄膜电极材料时电极材料边界不光滑、不整齐问题。
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公开(公告)号：CN111223770A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010034480.9
申请日：2020-01-14
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明涉及一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，涉及微纳电子器件制备领域。解决现有技术中3D打印方法图案化薄膜电极材料边界不光滑、不整齐的技术问题。本发明提供的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法，其是采用3D打印方法与光刻技术结合薄膜电极材料生长新方法，可实现较低温度条件下制备薄膜电极，降低传统电子制备方法制备电极过程中的能耗与提高薄膜电极材料沉积效率，更为重要的一点是从根本上解决了3D打印形成的图案化薄膜电极材料边界不光滑、不整齐问题，制备得到的图案化薄膜电极材料边缘整齐、光滑(如摘要附图)，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110369840A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910676145.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开了一种微电子器件封装焊接机，包括：底板；顶板，其设置在所述底板上方；输送带，其可拆卸设置在所述底板上，能够运送微电子器件的底座和封盖；定位架，可旋转支撑在所述底板上，位于所述输送带一侧，能够定位和固定微电子器件的底座；第一伸缩架，其一端可拆卸连接所述顶板；焊接枪，其连接所述第一伸缩架另一端，并与所述定位架同轴设置；第二伸缩架，其一端可拆卸连接所述顶板；封装架，其连接所述第二伸缩架另一端，能够夹持所述微电子器件的封盖，利用输送架将封装底座和封装盖，输送至焊接枪和封装架工位进行封装，无需人力干预，且可同时输送多个待封装件，生产效率高，本发明还公开了一种微电子器件封装焊接机。
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公开(公告)号：CN109994559A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910249023.9
申请日：2019-03-29
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种半导体氧化膜，所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成，其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓；并且，还含有氢；所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+W)的比例为In：20～50原子％、Ga：8～25原子％、Zn：20～50原子％和W：10～30原子％。本发明提供了一种半导体氧化膜，其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法，其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制，来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。
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