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公开(公告)号：CN112736033B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011548866.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开了一种在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，包括：步骤一、在聚酰亚胺衬底上沉积牺牲层；步骤二、将第一掩模板覆盖在牺牲层上，进行保护层沉积，得到第一基底；步骤三、将第二掩模板覆盖在第一基底上，进行源漏电极沉积，得到第二基底；步骤四、将第三掩模板覆盖在第二基底上，进行有源层沉积，得到第三基底；步骤五、将第三基底进行退火后，在第三基体上进行绝缘层沉积，得到第四基底；步骤六、在第四基底上进行栅电极沉积，使栅电极包围式设置在绝缘层外侧；步骤七、将蛋白质溶液涂覆于与栅电极外侧，得到初级器件；步骤八、使用盐酸溶液将牺牲层溶解后，将聚酰亚胺衬底剥离，得到在蛋白基底上可降解的p型薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112736033A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011548866.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开了一种在蛋白质基底上制备大批量p型薄膜晶体管的方法，包括：步骤一、在聚酰亚胺衬底上沉积牺牲层；步骤二、将第一掩模板覆盖在牺牲层上，进行保护层沉积，得到第一基底；步骤三、将第二掩模板覆盖在第一基底上，进行源漏电极沉积，得到第二基底；步骤四、将第三掩模板覆盖在第二基底上，进行有源层沉积，得到第三基底；步骤五、将第三基底进行退火后，在第三基体上进行绝缘层沉积，得到第四基底；步骤六、在第四基底上进行栅电极沉积，使栅电极包围式设置在绝缘层外侧；步骤七、将蛋白质溶液涂覆于与栅电极外侧，得到初级器件；步骤八、使用盐酸溶液将牺牲层溶解后，将聚酰亚胺衬底剥离，得到在蛋白基底上可降解的p型薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN115565885A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211190951.0
申请日：2022-09-28
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种在玉米蛋白质基底上制备薄膜晶体管的方法，首先将半导体器件制备于耐热性好的石墨烯/铜箔基底上，然后将可降解基底材料的溶液滴涂于器件之上，待溶剂蒸发后，将蛋白质基底薄膜从铜箔上剥离，即可在蛋白质薄膜上获得可降解的p型瞬态薄膜晶体管器件。本发明克服了基底材料耐热性对器件制备温度的限制，同时，避免了器件制备过程中溶液环境对蛋白质基底的破坏，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN113555287A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110827733.2
申请日：2021-07-22
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种水分触发降解的P型瞬态晶体管制备方法，包括：在铁箔基底抛光的一侧进行绝缘层沉积，得到第一样品；在第一样品上进行有源层材料沉积，得到第二样品；在第二样品上进行源漏电极材料沉积，得到第三样品，将第三样品进行退火，得到第四样品；将浓度为6％的丝素蛋白水溶液涂覆在第四样品的表面烘干后，得到第五样品；在第五样品的未抛光基底上覆盖保护层掩模板，沉积保护层材料，得到第六样品；将第六样品固定在夹具中，并将其浸入稀盐酸中对第六样品中的铁箔基底进行溶解，得到第七样品；将第七样品放置在电子束蒸发设备中，进行蒸镀栅电极，得到水分触发降解的p型薄膜晶体管。能够克服基底材料耐热性对器件制备温度的限制。
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公开(公告)号：CN113555287B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110827733.2
申请日：2021-07-22
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种水分触发降解的P型瞬态晶体管制备方法，包括：在铁箔基底抛光的一侧进行绝缘层沉积，得到第一样品；在第一样品上进行有源层材料沉积，得到第二样品；在第二样品上进行源漏电极材料沉积，得到第三样品，将第三样品进行退火，得到第四样品；将浓度为6％的丝素蛋白水溶液涂覆在第四样品的表面烘干后，得到第五样品；在第五样品的未抛光基底上覆盖保护层掩模板，沉积保护层材料，得到第六样品；将第六样品固定在夹具中，并将其浸入稀盐酸中对第六样品中的铁箔基底进行溶解，得到第七样品；将第七样品放置在电子束蒸发设备中，进行蒸镀栅电极，得到水分触发降解的p型薄膜晶体管。能够克服基底材料耐热性对器件制备温度的限制。
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公开(公告)号：CN113517377A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110785248.3
申请日：2021-07-12
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物近红外发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤一、在蓝宝石衬底上制备外延结构层；其中，所述外延结构层依次包括：GaN成核层、GaN模板层、DBR反射层、p型InGaN空穴注入层和n‑InN发光层；步骤二、将所述外延结构层表面的部分n‑InN发光层刻蚀掉，得到多个电极沉积区域，其中，所述电极沉积区域对应的p型InGaN空穴注入层暴露出来；步骤三、在所述电极沉积区域沉积第一金属电极并退火，形成p型区电极；步骤四、在所述n‑InN发光层上沉积第二金属电极并退火，得到初级器件；步骤五、对所述初级器件进行解理、封装，得到分立的发光二极管器件。
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