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公开(公告)号：CN1797795A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101833.3
申请日：2004-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸，在n型区表面获得较高载流子浓度，从而形成良好的欧姆接触，对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面，还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。
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公开(公告)号：CN1591915A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03156440.2
申请日：2003-08-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物多量子阱发光二极管外延片的晶体质量，提高氮化物多量子阱蓝色、紫色及紫外发光二极管外延片光荧光(PL)强度。进而，提高氮化物蓝色、紫色及紫外发光二极管的发光强度。可广泛应用于金属有机化学气相沉积技术领域。
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公开(公告)号：CN119584728A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411667962.2
申请日：2024-11-20
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: H10H20/812 , H10H20/81 , H10H20/821 , H10H20/825 , H10H20/01
Abstract: 公开一种LED外延结构及其制备方法、发光二极管，LED外延结构包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上且沿远离所述衬底基板的方向依次设置的：第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和第三半导体层；所述第二半导体层和所述多量子阱层中均含有In元素、Ga元素和N元素；其中，所述第二半导体层远离所述衬底基板的表面具有多个第一凹槽。
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公开(公告)号：CN116682814A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310835780.0
申请日：2023-07-10
Applicant: 北京大学
Inventor： 陈志忠 , 邓楚涵 , 康香宁 , 陈伟华 , 焦飞 , 聂靖昕 , 潘祚坚 , 张浩东 , 董勃言 , 李俞辰 , 王大奇 , 陈怡安 , 席鑫 , 沈波 , 夏晨辉 , 朱剑峰 , 袁林
IPC: H01L25/075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种微米级垂直结构分立Micro‑LED芯片及其制备方法。本发明通过制备硬掩膜，采用光刻再深刻蚀的方式制备出分立的作为发光结构的微米柱，保证较好的光提取效率，从而改善远场分布；采用先深刻蚀再蒸镀金属的方式实现了侧壁修复的工艺，避免了腐蚀性溶液对金属电极造成损伤，解决垂直结构Micro‑LED不易侧壁修复的问题；在侧壁蒸镀金属反射层，并配合出光表面光子晶体结构，实现高度准直发光，避免了芯片与芯片之间的串扰；利用光刻负胶与键合胶化学性质的不同，解决了背面光刻去胶的难题；在N型GaN层通过纳米压印然后刻蚀出光子晶体结构，实现出光效率的增强；本发明为未来大规模量产垂直结构Micro‑LED提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN109904285B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910179765.9
申请日：2019-03-11
Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；形成绝缘层于所述第一金属电极以及所述第二金属电极之间；其中，形成绝缘层的步骤包括：形成一层光敏性材料于所述外延结构的表面上；对所述光敏材料进行图案化步骤及热固化处理，以形成所述绝缘层。本发明提出的发光二极管芯片制造方法，工艺简单，能够提高产品良率，提高产品性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108428770B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201810352458.1
申请日：2018-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种共面波导结构微米LED的制备方法，属于光电子器件面向可见光通信LED领域。本发明首先通过仿真模拟优化芯片排布及电极结构，然后在芯片工艺过程中，通过图形化掩埋及控制电子束蒸发条件，最终在芯片内实现共面波导结构，使得高频信号可馈入阵列内每个LED终端。本发明不但兼容传统LED制作工艺，而且简单可靠，使得高频信号有效馈入，提高了大功率芯片的带宽；同时将芯片与导热基底进行焊接，可大大提升高功率芯片的散热性能，有效提高大功率芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN109461753B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811266665.1
申请日：2018-10-29
Abstract: 本发明公开了一种大注入倒装微米LED芯片及其制备方法。本发明首先通过图形化掩埋及控制电子束蒸发、光刻等过程，最终在芯片内实现并联的倒装结构，使得大注入电流均匀的扩展到阵列内每个LED终端，再将芯片与导热基底进行焊接，大大提升高功率芯片的散热性能；总线加梳状结构解决了在P型透明电极上电流的扩展均匀性问题；环绕模式的大面积N型电极，解决了电流均匀性问题以及散热问题；LED芯片与散热基板之间采用共晶焊接方式，散热并提高焊接过程中衬底与芯片之间焊接的工艺可控性；P型透明电极与N型电极设计成共面波导结构，以提高微米LED芯片在可见光通信的带宽。
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公开(公告)号：CN111326641A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010127541.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/48 , H01L25/075 , H01L25/13 , H05B33/02
Abstract: 本发明公开了一种降低白光发光二极管蓝光危害的方法。本发明采用紫光与天蓝光混合得到蓝光的视觉效果，同时消除蓝光成分，有效地降低白光发光二极管的蓝光危害，减少其对人眼视网膜的损伤，提高光生物安全性；在CIE1931色品图上三顶点附近获得绿光、红光的可能区域，同时增加黄光的成分，以得到混合光源较高的显色性；利用本发明，在降低蓝光危害的同时，白光光源具有良好的显色性，能够提供更好的视觉舒适度；能够得到色温可调的动态白光，从而不同的色温对应不同的适应范围；本发明具有低蓝光危害、高显色性、色温可调等优点。
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公开(公告)号：CN108428770A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810352458.1
申请日：2018-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种共面波导结构微米LED的制备方法，属于光电子器件面向可见光通信LED领域。本发明首先通过仿真模拟优化芯片排布及电极结构，然后在芯片工艺过程中，通过图形化掩埋及控制电子束蒸发条件，最终在芯片内实现共面波导结构，使得高频信号可馈入阵列内每个LED终端。本发明不但兼容传统LED制作工艺，而且简单可靠，使得高频信号有效馈入，提高了大功率芯片的带宽；同时将芯片与导热基底进行焊接，可大大提升高功率芯片的散热性能，有效提高大功率芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN105023984A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510349047.3
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件结构的坚固性大为提高；采用了激光划片和平面化介质填充工艺，减少激光剥离的损伤和后续芯片工艺的难度，提高了成品率；同时利用周期性的金属纳米结构，形成的表面等离激元与LED多量子阱的偶极子产生共振，提高内量子效率，同时因为ITO大面积和p型接触层相接触，并不影响电学性质；在电极方面，创新性的使用了接触层技术以及PdInNiAu的金属结构，改善了接触的性能和稳定性。本发明还针对厚膜垂直结构LED芯片的特点，设计了电流扩展层及电极结构，进一步提高电流分布的均匀性。
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