公开(公告)号：CN1322596C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03156440.2

申请日：2003-08-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨志坚 ,  张国义 ,  李忠辉 ,  余彤军 ,  胡晓东 ,  陈志忠 ,  秦志新 ,  章蓓

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物多量子阱发光二极管外延片的晶体质量，提高氮化物多量子阱蓝色、紫色及紫外发光二极管外延片光荧光(PL)强度。进而，提高氮化物蓝色、紫色及紫外发光二极管的发光强度。可广泛应用于金属有机化学气相沉积技术领域。

公开(公告)号：CN1591915A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03156440.2

申请日：2003-08-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨志坚 ,  张国义 ,  李忠辉 ,  余彤军 ,  胡晓东 ,  陈志忠 ,  秦志新 ,  章蓓

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物多量子阱发光二极管外延片的晶体质量，提高氮化物多量子阱蓝色、紫色及紫外发光二极管外延片光荧光(PL)强度。进而，提高氮化物蓝色、紫色及紫外发光二极管的发光强度。可广泛应用于金属有机化学气相沉积技术领域。