公开(公告)号：CN104651904A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510048337.4

申请日：2015-01-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈志忠 ,  蒋盛翔 ,  付星星 ,  姜显哲 ,  姜爽 ,  冯玉龙 ,  康香宁 ,  于彤军 ,  张国义

IPC: C25D11/12 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C25D11/12 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝的纳米压印模板的制备方法。本发明采用普通的铝片并采用阳极氧化方法制备具有周期性的纳米孔洞阵列的纳米压印模板，图形简单费用便宜，巧妙降低了纳米压印模板的制备成本；采用阳极氧化铝AAO方法，可以通过控制反应条件，制备不同周期不同孔径的纳米孔洞阵列，灵活方便，成本低廉，可以满足各种需求；采用纳米压印的方法转移和复制AAO的纳米孔洞阵列，避免了目前AAO纳米孔洞阵列图形转移过程中产生的结构有序性较差、AAO破损和无法重复使用等问题；采用二次压印的方法以及中间聚合物模板IPS方法，保护AAO的同时还可以有清洁作用，可以使得AAO重复使用，进一步降低成本。

公开(公告)号：CN108493306B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201810257196.0

申请日：2018-03-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 康香宁 ,  李诚诚 ,  陈志忠 ,  焦飞 ,  冯玉龙 ,  詹景麟 ,  于彤军 ,  沈波

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提出了一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。本发明一方面可实现单颗LED芯片的高压高功率特性,另一方面避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，降低了对封装设备和工艺的要求。利用本发明可以大幅度提高微米LED的器件性能。对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。

公开(公告)号：CN108493306A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810257196.0

申请日：2018-03-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 康香宁 ,  李诚诚 ,  陈志忠 ,  焦飞 ,  冯玉龙 ,  詹景麟 ,  于彤军 ,  沈波

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提出了一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。本发明一方面可实现单颗LED芯片的高压高功率特性,另一方面避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，降低了对封装设备和工艺的要求。利用本发明可以大幅度提高微米LED的器件性能。对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。

公开(公告)号：CN108615795B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201810257305.9

申请日：2018-03-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈志忠 ,  李诚诚 ,  康香宁 ,  焦飞 ,  冯玉龙 ,  詹景麟 ,  于彤军 ,  沈波

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本发明既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，进而降低了对封装设备和工艺的要求，可以大幅度提高微米LED的器件性能。本发明既结合了微米LED大注入优良特性，同时又降低了制备难度，对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。

公开(公告)号：CN108428770B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201810352458.1

申请日：2018-04-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 康香宁 ,  李诚诚 ,  陈志忠 ,  焦飞 ,  冯玉龙 ,  詹景麟 ,  于彤军 ,  吴洁君 ,  沈波

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提出了一种共面波导结构微米LED的制备方法，属于光电子器件面向可见光通信LED领域。本发明首先通过仿真模拟优化芯片排布及电极结构，然后在芯片工艺过程中，通过图形化掩埋及控制电子束蒸发条件，最终在芯片内实现共面波导结构，使得高频信号可馈入阵列内每个LED终端。本发明不但兼容传统LED制作工艺，而且简单可靠，使得高频信号有效馈入，提高了大功率芯片的带宽；同时将芯片与导热基底进行焊接，可大大提升高功率芯片的散热性能，有效提高大功率芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN109461753B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201811266665.1

申请日：2018-10-29

Applicant: 北京协同创新研究院 ,  北京大学

Inventor： 焦飞 ,  李诚诚 ,  陈志忠 ,  康香宁 ,  詹景麟 ,  陈怡帆 ,  陈毅勇 ,  聂靖昕 ,  赵彤阳 ,  冯玉龙 ,  沈波

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/42 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种大注入倒装微米LED芯片及其制备方法。本发明首先通过图形化掩埋及控制电子束蒸发、光刻等过程，最终在芯片内实现并联的倒装结构，使得大注入电流均匀的扩展到阵列内每个LED终端，再将芯片与导热基底进行焊接，大大提升高功率芯片的散热性能；总线加梳状结构解决了在P型透明电极上电流的扩展均匀性问题；环绕模式的大面积N型电极，解决了电流均匀性问题以及散热问题；LED芯片与散热基板之间采用共晶焊接方式，散热并提高焊接过程中衬底与芯片之间焊接的工艺可控性；P型透明电极与N型电极设计成共面波导结构，以提高微米LED芯片在可见光通信的带宽。

公开(公告)号：CN108428770A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810352458.1

申请日：2018-04-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 康香宁 ,  李诚诚 ,  陈志忠 ,  焦飞 ,  冯玉龙 ,  詹景麟 ,  于彤军 ,  吴洁君 ,  沈波

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提出了一种共面波导结构微米LED的制备方法，属于光电子器件面向可见光通信LED领域。本发明首先通过仿真模拟优化芯片排布及电极结构，然后在芯片工艺过程中，通过图形化掩埋及控制电子束蒸发条件，最终在芯片内实现共面波导结构，使得高频信号可馈入阵列内每个LED终端。本发明不但兼容传统LED制作工艺，而且简单可靠，使得高频信号有效馈入，提高了大功率芯片的带宽；同时将芯片与导热基底进行焊接，可大大提升高功率芯片的散热性能，有效提高大功率芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN109461753A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811266665.1

申请日：2018-10-29

Applicant: 北京协同创新研究院 ,  北京大学

Inventor： 焦飞 ,  李诚诚 ,  陈志忠 ,  康香宁 ,  詹景麟 ,  陈怡帆 ,  陈毅勇 ,  聂靖昕 ,  赵彤阳 ,  冯玉龙 ,  沈波

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/42 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种大注入倒装微米LED芯片及其制备方法。本发明首先通过图形化掩埋及控制电子束蒸发、光刻等过程，最终在芯片内实现并联的倒装结构，使得大注入电流均匀的扩展到阵列内每个LED终端，再将芯片与导热基底进行焊接，大大提升高功率芯片的散热性能；总线加梳状结构解决了在P型透明电极上电流的扩展均匀性问题；环绕模式的大面积N型电极，解决了电流均匀性问题以及散热问题；LED芯片与散热基板之间采用共晶焊接方式，散热并提高焊接过程中衬底与芯片之间焊接的工艺可控性；P型透明电极与N型电极设计成共面波导结构，以提高微米LED芯片在可见光通信的带宽。

公开(公告)号：CN108615795A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810257305.9

申请日：2018-03-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈志忠 ,  李诚诚 ,  康香宁 ,  焦飞 ,  冯玉龙 ,  詹景麟 ,  于彤军 ,  沈波

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本发明既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，进而降低了对封装设备和工艺的要求，可以大幅度提高微米LED的器件性能。本发明既结合了微米LED大注入优良特性，同时又降低了制备难度，对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。