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公开(公告)号：CN105047788A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510438112.X
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了AgCuIn合金作为键合金属层，键合温度与保持时间降低；AgCuIn键合可以在较低的键合温度与键合压力下完成，键合时间缩短，有利于减少键合过程对LED外延层的光电性能的损伤；采用AgCuIn合金的键合金属层，消除了键合过程中的空洞现象，有利于对LED外延层的应力释放；AgCuIn键合机械性能高，具有良好的导电与导热性能，有利于提高LED芯片的寿命；并且，采用AgCuIn作为键合金属，极大的降低了垂直结构LED芯片的制造成本，有利于垂直结构LED芯片的市场化发展。
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公开(公告)号：CN105023984B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510349047.3
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件结构的坚固性大为提高；采用了激光划片和平面化介质填充工艺，减少激光剥离的损伤和后续芯片工艺的难度，提高了成品率；同时利用周期性的金属纳米结构，形成的表面等离激元与LED多量子阱的偶极子产生共振，提高内量子效率，同时因为ITO大面积和p型接触层相接触，并不影响电学性质；在电极方面，创新性的使用了接触层技术以及PdInNiAu的金属结构，改善了接触的性能和稳定性。本发明还针对厚膜垂直结构LED芯片的特点，设计了电流扩展层及电极结构，进一步提高电流分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN103618212B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310665266.3
申请日：2013-12-10
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先，通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层，然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次，通过背向曝光技术实现第二次光刻，挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，实现光刻图形。最后，根据负性光敏性热固化涂层胶的性质，通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。
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公开(公告)号：CN105023984A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510349047.3
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件结构的坚固性大为提高；采用了激光划片和平面化介质填充工艺，减少激光剥离的损伤和后续芯片工艺的难度，提高了成品率；同时利用周期性的金属纳米结构，形成的表面等离激元与LED多量子阱的偶极子产生共振，提高内量子效率，同时因为ITO大面积和p型接触层相接触，并不影响电学性质；在电极方面，创新性的使用了接触层技术以及PdInNiAu的金属结构，改善了接触的性能和稳定性。本发明还针对厚膜垂直结构LED芯片的特点，设计了电流扩展层及电极结构，进一步提高电流分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN105047788B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510438112.X
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
IPC: H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了AgCuIn合金作为键合金属层，键合温度与保持时间降低；AgCuIn键合可以在较低的键合温度与键合压力下完成，键合时间缩短，有利于减少键合过程对LED外延层的光电性能的损伤；采用AgCuIn合金的键合金属层，消除了键合过程中的空洞现象，有利于对LED外延层的应力释放；AgCuIn键合机械性能高，具有良好的导电与导热性能，有利于提高LED芯片的寿命；并且，采用AgCuIn作为键合金属，极大的降低了垂直结构LED芯片的制造成本，有利于垂直结构LED芯片的市场化发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103618212A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310665266.3
申请日：2013-12-10
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先，通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层，然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次，通过背向曝光技术实现第二次光刻，挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，实现光刻图形。最后，根据负性光敏性热固化涂层胶的性质，通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。
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公开(公告)号：CN102817074A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210256655.6
申请日：2012-07-23
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102817074B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210256655.6
申请日：2012-07-23
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119852167A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510015357.5
申请日：2025-01-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种利用Si/SiC复合衬底生长高质量III族氮化物材料的方法，属于半导体技术领域。不同于传统在Si衬底上生长SiC的方法，本发明通过键合形成Si/SiC复合衬底，可以避免因Si衬底上生长SiC而产生的界面态密度较高、失配位错等问题。在Si衬底上制备的多孔硅层提供了非完全紧耦合的键合，有助于释放键合过程中的应力，降低复合衬底翘曲。同时引入的SiC层有利于提高热导和缓冲应力，而且利用单晶α‑Al2O3上沉积PVD‑AlN质量高的优异特性提高外延氮化物的晶体质量，获得高质量的III族氮化物材料。这种能够有效控制应力和降低失配位错生长高质量III族氮化物材料的方法提高了器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN119836066A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311312427.0
申请日：2023-10-11
Applicant: 北京大学
IPC: H10H20/825 , H10H20/816 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用。本发明提供的注入结构为周期性结构，每个周期结构包括如下组成：Al组分占比渐变的p‑AlmGa1‑mN层；每个周期结构中，Al组分占比m沿生长方向由x至y线性渐变，x取值范围为0.6‑0.85；y取值范围为0.3‑0.7；且x>y。本发明提供的注入结构，可利用压电极化效应诱导产生的负极化体电荷调制p型区能带，降低空穴注入势垒，并抑制电子泄露。该方法将深紫外发光器件的p型区整合成统一的周期性结构，规避了电子阻挡层(p‑EBL)的使用，提高器件载流子注入效率的同时有效降低器件工作电压，对提升AlGaN基DUV‑LED电光转换效率并推动其产业应用具有重要意义。
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