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公开(公告)号：CN113946089B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111249632.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G03B21/16
Abstract: 本发明涉及投影设备技术领域，尤指一种散热激光投影仪机箱，包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇，箱体包括相互连通的外腔和内腔；光源设置在内腔内，拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处；进风风扇的出风端与外腔连通；出风风扇的进风端与内腔连通，其出风端与箱体外连通。本发明通过进风风扇将气体在外腔淤积，形成高压区，在外腔与内腔之间形成一定压差，使气体在通过拉瓦尔喷管后，气体变成超音速气体，以高速射流喷射到光源的表面，并快速从内腔流动到腔体外，有效带走热量。
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公开(公告)号：CN113946089A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111249632.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G03B21/16
Abstract: 本发明涉及投影设备技术领域，尤指一种散热激光投影仪机箱，包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇，箱体包括相互连通的外腔和内腔；光源设置在内腔内，拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处；进风风扇的出风端与外腔连通；出风风扇的进风端与内腔连通，其出风端与箱体外连通。本发明通过进风风扇将气体在外腔淤积，形成高压区，在外腔与内腔之间形成一定压差，使气体在通过拉瓦尔喷管后，气体变成超音速气体，以高速射流喷射到光源的表面，并快速从内腔流动到腔体外，有效带走热量。
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公开(公告)号：CN100389503C
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200510011135.9
申请日：2005-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延生长过程中，由于应力分布的改善，外延层中位错密度减少，晶体质量提高，从而提高了LED内量子效率。设计岛状区域的形状，使生长获得的晶粒几何形状为适合光导出的多边形、圆形，提高LED的光功率。由于岛状区域生长有利于应力的释放，在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。
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公开(公告)号：CN1801498A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510011135.9
申请日：2005-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延生长过程中，由于应力分布的改善，外延层中位错密度减少，晶体质量提高，从而提高了LED内量子效率。设计岛状区域的形状，使生长获得的晶粒几何形状为适合光导出的多边形、圆形，提高LED的光功率。由于岛状区域生长有利于应力的释放，在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。
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公开(公告)号：CN113851923B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111217165.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及激光器封装技术领域，尤指一种激光器TO封装结构，包括管座、罩设于管座的管壳、设置在管座上的管舌、激光器芯片及过渡热沉；激光器芯片通过过渡热沉与管舌连接；管舌的外表面设有相变材料层。本发明可以通过管舌上的相变材料层进行相变潜热散热，提高了激光器的散热能力；另外由于激光器芯片与管舌之间通过过渡热沉连接，过渡热沉可以消除温度变化过快而导致产生应力的情况发生，使系统保持稳定工作状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100435360C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200410101833.3
申请日：2004-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸，在n型区表面获得较高载流子浓度，从而形成良好的欧姆接触，对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面，还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。
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公开(公告)号：CN114582711A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210204788.2
申请日：2022-03-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，有效弥补现有技术中在硅衬底上制备氮化镓外延材料而只能制备低耐压电子功率器件的缺陷。
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公开(公告)号：CN113851923A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111217165.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及激光器封装技术领域，尤指一种激光器TO封装结构，包括管座、罩设于管座的管壳、设置在管座上的管舌、激光器芯片及过渡热沉；激光器芯片通过过渡热沉与管舌连接；管舌的外表面设有相变材料层。本发明可以通过管舌上的相变材料层进行相变潜热散热，提高了激光器的散热能力；另外由于激光器芯片与管舌之间通过过渡热沉连接，过渡热沉可以消除温度变化过快而导致产生应力的情况发生，使系统保持稳定工作状态。
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公开(公告)号：CN101685768A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200810222720.7
申请日：2008-09-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法，首先在GaN的异质外延衬底上生长一层掩膜，然后在掩膜上开出一系列生长窗口，再依次生长GaN成核层、GaN模板层和GaN厚膜，最后激光剥离异质外延衬底。该方法是一种两步应力释放法：第一步采用侧向外延技术，使样品只有部分区域与异质外延衬底相连接，可以天然的释放部分应力；第二步采用激光剥离技术使样品从异质外延衬底上剥落，再释放部分应力。采用本发明方法得到的自支撑单晶氮化镓衬底具有应力释放均匀、成品率高、适于大规模工业生产的特点。
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公开(公告)号：CN1797795A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101833.3
申请日：2004-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸，在n型区表面获得较高载流子浓度，从而形成良好的欧姆接触，对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面，还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。
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