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公开(公告)号：CN109461753B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811266665.1
申请日：2018-10-29
Abstract: 本发明公开了一种大注入倒装微米LED芯片及其制备方法。本发明首先通过图形化掩埋及控制电子束蒸发、光刻等过程，最终在芯片内实现并联的倒装结构，使得大注入电流均匀的扩展到阵列内每个LED终端，再将芯片与导热基底进行焊接，大大提升高功率芯片的散热性能；总线加梳状结构解决了在P型透明电极上电流的扩展均匀性问题；环绕模式的大面积N型电极，解决了电流均匀性问题以及散热问题；LED芯片与散热基板之间采用共晶焊接方式，散热并提高焊接过程中衬底与芯片之间焊接的工艺可控性；P型透明电极与N型电极设计成共面波导结构，以提高微米LED芯片在可见光通信的带宽。
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公开(公告)号：CN109461753A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811266665.1
申请日：2018-10-29
Abstract: 本发明公开了一种大注入倒装微米LED芯片及其制备方法。本发明首先通过图形化掩埋及控制电子束蒸发、光刻等过程，最终在芯片内实现并联的倒装结构，使得大注入电流均匀的扩展到阵列内每个LED终端，再将芯片与导热基底进行焊接，大大提升高功率芯片的散热性能；总线加梳状结构解决了在P型透明电极上电流的扩展均匀性问题；环绕模式的大面积N型电极，解决了电流均匀性问题以及散热问题；LED芯片与散热基板之间采用共晶焊接方式，散热并提高焊接过程中衬底与芯片之间焊接的工艺可控性；P型透明电极与N型电极设计成共面波导结构，以提高微米LED芯片在可见光通信的带宽。
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公开(公告)号：CN108615795B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810257305.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本发明既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，进而降低了对封装设备和工艺的要求，可以大幅度提高微米LED的器件性能。本发明既结合了微米LED大注入优良特性，同时又降低了制备难度，对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。
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公开(公告)号：CN105023984B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510349047.3
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件结构的坚固性大为提高；采用了激光划片和平面化介质填充工艺，减少激光剥离的损伤和后续芯片工艺的难度，提高了成品率；同时利用周期性的金属纳米结构，形成的表面等离激元与LED多量子阱的偶极子产生共振，提高内量子效率，同时因为ITO大面积和p型接触层相接触，并不影响电学性质；在电极方面，创新性的使用了接触层技术以及PdInNiAu的金属结构，改善了接触的性能和稳定性。本发明还针对厚膜垂直结构LED芯片的特点，设计了电流扩展层及电极结构，进一步提高电流分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN108428770B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201810352458.1
申请日：2018-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种共面波导结构微米LED的制备方法，属于光电子器件面向可见光通信LED领域。本发明首先通过仿真模拟优化芯片排布及电极结构，然后在芯片工艺过程中，通过图形化掩埋及控制电子束蒸发条件，最终在芯片内实现共面波导结构，使得高频信号可馈入阵列内每个LED终端。本发明不但兼容传统LED制作工艺，而且简单可靠，使得高频信号有效馈入，提高了大功率芯片的带宽；同时将芯片与导热基底进行焊接，可大大提升高功率芯片的散热性能，有效提高大功率芯片的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108428770A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810352458.1
申请日：2018-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种共面波导结构微米LED的制备方法，属于光电子器件面向可见光通信LED领域。本发明首先通过仿真模拟优化芯片排布及电极结构，然后在芯片工艺过程中，通过图形化掩埋及控制电子束蒸发条件，最终在芯片内实现共面波导结构，使得高频信号可馈入阵列内每个LED终端。本发明不但兼容传统LED制作工艺，而且简单可靠，使得高频信号有效馈入，提高了大功率芯片的带宽；同时将芯片与导热基底进行焊接，可大大提升高功率芯片的散热性能，有效提高大功率芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN105023984A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510349047.3
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件结构的坚固性大为提高；采用了激光划片和平面化介质填充工艺，减少激光剥离的损伤和后续芯片工艺的难度，提高了成品率；同时利用周期性的金属纳米结构，形成的表面等离激元与LED多量子阱的偶极子产生共振，提高内量子效率，同时因为ITO大面积和p型接触层相接触，并不影响电学性质；在电极方面，创新性的使用了接触层技术以及PdInNiAu的金属结构，改善了接触的性能和稳定性。本发明还针对厚膜垂直结构LED芯片的特点，设计了电流扩展层及电极结构，进一步提高电流分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN105047788A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510438112.X
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学 , 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了AgCuIn合金作为键合金属层，键合温度与保持时间降低；AgCuIn键合可以在较低的键合温度与键合压力下完成，键合时间缩短，有利于减少键合过程对LED外延层的光电性能的损伤；采用AgCuIn合金的键合金属层，消除了键合过程中的空洞现象，有利于对LED外延层的应力释放；AgCuIn键合机械性能高，具有良好的导电与导热性能，有利于提高LED芯片的寿命；并且，采用AgCuIn作为键合金属，极大的降低了垂直结构LED芯片的制造成本，有利于垂直结构LED芯片的市场化发展。
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