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公开(公告)号：CN100524622C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710063705.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/266
Abstract: 一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法，包含下列步骤：步骤1：取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上选择性注入金属离子；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中沉积InAs量子点，通过应力调制的作用，量子点会优先成核在离子注入的区域，完成量子点的制备。
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公开(公告)号：CN100468802C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610171666.9
申请日：2006-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化铟和砷化镓的纳米结构，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，以避免衬底上的缺陷；一第一势垒层，该第一势垒层制作在缓冲层上，起到限制载流子作用；一铟或镓的第一液滴层，该铟或镓的第一液滴层制作在第一势垒层表面；一第二势垒层，该第二势垒层制作在铟或镓的液滴层的上面，保持原来的温度生长，以避免破坏纳米结构；一第三势垒层，该第三势垒层制作在第二势垒层上，采用高温生长，以得到好的晶体质量；一铟或镓的第二液滴层，该铟或镓的第二液滴层制作在第三势垒层表面，以便于表面形貌的表征。
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公开(公告)号：CN100460854C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510012173.6
申请日：2005-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体晶片测量技术领域，特别是一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法。该方法利用了偏振调制光谱技术，通过测量材料表面内相互垂直的两个方向上反射系数的各向异性光谱，根据光谱中在带隙能量或者其它临界点能量附近处的各向异性信号强弱，从而得到材料表面亚损伤的信息。该测试方法对于材料不具有损伤性，测试过程简单快捷，测试精度高。
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公开(公告)号：CN101281941A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710065182.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271933A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710064588.7
申请日：2007-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种量子点－阱红外探测器结构，包括：一半绝缘GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在半绝缘GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上的一侧，在GaAs底接触层上的另一侧形成一台面；一10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层制作在下GaAs隔离层上，该10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层是形成光电流并最终实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层上；一上电极制作在GaAs顶接触层上的中间部位，该上电极可以实现探测器进行外加电压；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以实现探测器进行外加电压。
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公开(公告)号：CN101241969A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710063711.3
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法，其特征在于，其中包括：步骤1.取一衬底；步骤2.在衬底上旋涂一层缓冲层溶液，形成缓冲层，可以降低衬底表面的粗糙度，并使衬底和活性层形成良好的接触；步骤3.在缓冲层上旋涂一层活性层溶液，形成活性层，可以作为光电转换层；步骤4.在活性层上真空蒸发铝电极，作为光伏器件时收集电子，作为电致发光器件时或者注入电子。
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公开(公告)号：CN100369281C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510086313.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为GaAs表面保护层。通过精确控制分子束外延生长条件-用亚分子单层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱0.92-0.96微米波段发光，并且具有很高的发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为12meV，将其应用于0.92-0.96微米波段波段量子点激光器，将极大的改善该类器件的性能，如：降低激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN100364063C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410049950.X
申请日：2004-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/30 , H01L21/00 , H01L33/00
Abstract: 本发明一种电化学腐蚀制备多孔磷化铟半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将磷化铟基片(11)解理好后，采用超声或煮沸方法清洗；步骤2：然后去除磷化铟基片表面的氧化层；步骤3：再进行电化学池(2)的安装；步骤4：之后通氮气15分钟；步骤5：最后通电进行腐蚀，得到有规则的四边形，孔壁为竖直的蜂窝状结构的多孔磷化铟形貌。
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公开(公告)号：CN100345250C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510054469.4
申请日：2005-03-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤3：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤4：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤5：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。
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