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公开(公告)号：CN100524622C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710063705.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/266
Abstract: 一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法，包含下列步骤：步骤1：取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上选择性注入金属离子；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中沉积InAs量子点，通过应力调制的作用，量子点会优先成核在离子注入的区域，完成量子点的制备。
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公开(公告)号：CN101241850A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710063705.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/266
Abstract: 一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法，包含下列步骤：步骤1.取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板；步骤2.把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上选择性注入金属离子；步骤3.将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4.在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5.在分子束外延设备中沉积InAs量子点，通过应力调制的作用，量子点会优先成核在离子注入的区域，完成量子点的制备。
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公开(公告)号：CN101241849B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710063706.2
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/266 , H01L21/324 , H01S5/00
Abstract: 一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤1：取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。
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公开(公告)号：CN101241849A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710063706.2
申请日：2007-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/266 , H01L21/324 , H01S5/00
Abstract: 一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤1.取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤2.把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底；步骤3.将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4.在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5.在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。
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