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公开(公告)号：CN101858836A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910081473.8
申请日：2009-04-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法，其中包括以下步骤：步骤1：取一单晶片体，使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光；步骤2：再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光；步骤3：对机械抛光和化学抛光后的单晶片体，进行化学腐蚀。
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公开(公告)号：CN100369281C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510086313.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为GaAs表面保护层。通过精确控制分子束外延生长条件-用亚分子单层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱0.92-0.96微米波段发光，并且具有很高的发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为12meV，将其应用于0.92-0.96微米波段波段量子点激光器，将极大的改善该类器件的性能，如：降低激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN1925175A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510086314.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs SK生长方式高密度量子点(1011/cm2以上)外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02－1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN1925174A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510086313.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为GaAs表面保护层。通过精确控制分子束外延生长条件－用亚分子单层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱0.92－0.96微米波段发光，并且具有很高的发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为12meV，将其应用于0.92－0.96微米波段波段量子点激光器，将极大的改善该类器件的性能，如：降低激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN1664999A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410007873.1
申请日：2004-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/328 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100511734C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510086314.9
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02-1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN102074654B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010554257.3
申请日：2010-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种提高聚合物太阳电池效率的制备方法，电极采用电子束蒸发技术制备，制备方法包括如下步骤：在glass层上制作ITO层，作为太阳电池的阳极；采用光刻的方法，将ITO层一侧刻蚀掉，刻蚀深度到glass层的表面，防止ITO与电池的阴极连通；在暴露的glass层的上面及ITO层制备一层PEDOT:PSS层，作为太阳电池的空穴传输层；将ITO层一侧上面的PEDOT:PSS层擦除掉，擦除深度到ITO层的表面，使暴露的ITO层形成台面，该台面为阳极，与外电路连接；在PEDOT:PSS层上制备聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜；在聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜上制备Al薄膜；在Al薄膜上制备Al电极，该Al电极为阴极；退火，将制备完成的聚合物太阳电池退火，完成电极的制备。
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公开(公告)号：CN101505034A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910119057.2
申请日：2005-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/30
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02－1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02－1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。
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公开(公告)号：CN102074654A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010554257.3
申请日：2010-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种提高聚合物太阳电池效率的制备方法，电极采用电子束蒸发技术制备，制备方法包括如下步骤：在glass层上制作ITO层，作为太阳电池的阳极；采用光刻的方法，将ITO层一侧刻蚀掉，刻蚀深度到glass层的表面，防止ITO与电池的阴极连通；在暴露的glass层的上面及ITO层制备一层PEDOT:PSS层，作为太阳电池的空穴传输层；将ITO层一侧上面的PEDOT:PSS层擦除掉，擦除深度到ITO层的表面，使暴露的ITO层形成台面，该台面为阳极，与外电路连接；在PEDOT:PSS层上制备聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜；在聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜上制备Al薄膜；在Al薄膜上制备Al电极，该Al电极为阴极；退火，将制备完成的聚合物太阳电池退火，完成电极的制备。
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公开(公告)号：CN102810643A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110148122.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 欧贝黎新能源科技股份有限公司
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种改善聚合物太阳能电池光敏层相分离程度的方法，有机物的溶剂采用氯苯和二氯苯的混合溶剂，有机物溶液的具体配制包括如下步骤：分别称量质量比为1∶1聚噻吩(P3HT)和富勒烯衍生物(PCBM)，先后置于同一试剂瓶中；注入按一定比例混合的氯苯/二氯苯混合溶剂；将混合好的溶液放在磁力搅拌器上，搅拌使之混合均匀，溶液配制完毕。
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