公开(公告)号：CN101271933A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200710064588.7

申请日：2007-03-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王志成 ,  徐波 ,  刘峰奇 ,  陈涌海 ,  王占国 ,  石礼伟 ,  梁凌燕

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种量子点－阱红外探测器结构，包括：一半绝缘GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在半绝缘GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上的一侧，在GaAs底接触层上的另一侧形成一台面；一10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层制作在下GaAs隔离层上，该10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层是形成光电流并最终实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层上；一上电极制作在GaAs顶接触层上的中间部位，该上电极可以实现探测器进行外加电压；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以实现探测器进行外加电压。