公开(公告)号：CN101241849B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200710063706.2

申请日：2007-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周慧英 ,  曲胜春 ,  金鹏 ,  徐波 ,  王赤云 ,  刘俊朋 ,  王占国

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01S5/00

Abstract: 一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤1：取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。

公开(公告)号：CN101241849A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710063706.2

申请日：2007-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周慧英 ,  曲胜春 ,  金鹏 ,  徐波 ,  王赤云 ,  刘俊朋 ,  王占国

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01S5/00

Abstract: 一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤1.取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤2.把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底；步骤3.将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4.在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5.在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。

公开(公告)号：CN101241850A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710063705.8

申请日：2007-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周慧英 ,  曲胜春 ,  金鹏 ,  徐波 ,  王赤云 ,  刘俊朋 ,  王智杰 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/266

Abstract: 一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法，包含下列步骤：步骤1.取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板；步骤2.把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上选择性注入金属离子；步骤3.将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4.在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5.在分子束外延设备中沉积InAs量子点，通过应力调制的作用，量子点会优先成核在离子注入的区域，完成量子点的制备。

公开(公告)号：CN101211760A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200610169752.6

申请日：2006-12-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周慧英 ,  曲胜春 ,  王占国

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明一种在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，包含下列步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：把制备好的均匀有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上；步骤3：将带有阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入；步骤4：剥离模板；步骤5：退火。

公开(公告)号：CN101037783A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200610057490.4

申请日：2006-03-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周慧英 ,  曲胜春 ,  徐波 ,  张春林 ,  王占国

IPC: C25D11/04

Abstract: 一种利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法，其特征在于，包含下列步骤：1)取一衬底；2)在衬底上蒸镀金属铝膜；3)将蒸镀有金属铝膜的衬底固定在阳极氧化浴槽装置中；4)蒸镀有金属铝膜的衬底在阳极氧化浴槽中的电解液中阳极氧化；5)再将氧化后的衬底放入磷酸溶液中腐蚀、扩孔，形成有序的阳极氧化铝通孔模板。

公开(公告)号：CN100524622C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710063705.8

申请日：2007-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周慧英 ,  曲胜春 ,  金鹏 ,  徐波 ,  王赤云 ,  刘俊朋 ,  王智杰 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/266

Abstract: 一种在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法，包含下列步骤：步骤1：取一半导体衬底和制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，阳极氧化铝通孔模板的作用是在半导体衬底上选择性注入金属离子；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中沉积InAs量子点，通过应力调制的作用，量子点会优先成核在离子注入的区域，完成量子点的制备。