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公开(公告)号：CN104051587A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410276182.5
申请日：2014-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 一种表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长n型InAlGaN层、非掺杂或掺杂的多量子阱层、p型InAlGaN层和电流扩展层；步骤2：利用光刻和干法刻蚀工艺在电流扩展层上向下刻蚀，刻蚀深度到达n型InAlGaN层内，使其形成GaN基LED结构纳米孔阵列；步骤3：在电流扩展层上面、在GaN基LED结构纳米孔阵列的一侧的一部分向下刻蚀，刻蚀深度大于GaN基LED结构纳米孔阵列的纳米孔的深度，形成台面；步骤4：利用光刻、蒸发和带胶剥离工艺，在电流扩展层的一部分上表面制作p电极；步骤5：在台面上制作n电极；步骤6：在GaN基LED结构纳米孔阵列的纳米孔中填入多个外表面包覆有非导电膜的球形金属纳米颗粒，形成核壳金属纳米球层，完成制备。
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公开(公告)号：CN103808497A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410079018.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明属于半导体照明LED检测技术领域，公开了一种测量LED内量子效率的方法，该方法包括：根据LED的几何结构，通过数值计算或者软件建模来获得LED出光效率ηLEE；将LED芯片进行不会改变出光效率的简单封装，测量LED光功率P和光谱随电流的变化关系，求出LED外量子效率ηEXE；以及根据公式ηEXE＝ηIQEηLEE计算出LED内量子效率ηIQE。该方法简单可靠，不需要复杂的数学运算，能够计算不同电流下的内量子效率。
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公开(公告)号：CN103763825A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410010264.5
申请日：2014-01-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供了一种LED恒流PWM驱动电路及三基色LED混光驱动电路。该LED恒流PWM驱动电路包括：三端双向开关电路，与交流电源相连接，用于将交流电源提供的正弦交流信号转换成正弦斩波波形信号；PWM波形信号产生电路，与所述三端双向开关电路相连接，用于利用所述正弦斩波波形信号产生PWM波形信号；LED恒流驱动电路，与所述PWM波形信号产生电路相连接，用于利用所述PWM波形信号控制LED光源的导通和关断，从而实现LED的恒流PWM驱动。本发明中，三端双向开关电路直接驱动负载为阻性负载，不是容性负载，因而该技术方案能保证高功率因子，不会影响整个电网的质量。
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公开(公告)号：CN103529310A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310459347.8
申请日：2013-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法，该方法包括制作GaN基LED测试样品，利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压，对所述测试样品的n电极接正电压，p电极接负电压，形成反向偏压，对所述测试样品施加等于光电压的反向偏压，测量其光致发光谱，并记录其发光波长，然后分步增大反向偏压，并测量其光谱和波长，在波长由逐渐变短转为变长时，停止增大反向偏压并停止测量，利用停止测量时的反向偏压减去光电压得到所述测试样品的极化电压，根据该极化电压计算测试样品的极化电场。本发明对样品要求简单，制样方便，可以较快地获得测试结果，有利于满足生产和研发工艺中对测试数据的迫切需求。
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公开(公告)号：CN102608509A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110435006.8
申请日：2011-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对多颗发光二极管器件在加速老化的同时，原位进行光、电、热综合测试的系统及方法。此检测系统包括发光二极管负载电路板(1)、电参数发生及测试装置(2)、多通道驱动控制装置(3)、光探测装置(4)、光探测控制装置(5)、光信号处理分析装置(6)、恒定温度控制装置(7)、温度探测装置(8)以及中央监控及处理计算机(9)。利用本发明，不仅能够对多颗发光二极管进行加速老化，而且可以通过计算机设定时间节点，对每一个发光二极管器件的电学、光学及热学热性进行逐个测试，以便全面了解LED发光二极管器件的整体物理特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112098786B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201910456159.7
申请日：2019-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , H04B10/079
Abstract: 本发明公开了一种适用于光通信发光器件的在线综合测试系统和方法，其系统包括：LED/LD负载电路板、电参数发生及测试装置、交流小信号发生装置、温度控制及探测装置、光信号探测装置、LED/LD调制特性测试系统中央监控及处理计算机。本发明不仅仅可测试其光学特性，而且可以原位进行器件的电学特性、热学特性和交流小信号下器件的频率响应特性随器件结温的变化进行监控。
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公开(公告)号：CN115775848A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211596678.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/09 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构GaN紫外光探测器的制备方法，包括：在绝缘衬底上形成底电极；将GaN薄膜转移至底电极上，在GaN薄膜上形成顶电极，底电极和顶电极与GaN薄膜形成的区域在垂直方向上有重叠，以使底电极、GaN薄膜和顶电极构成垂直结构GaN紫外光探测器。本发明提供的垂直结构GaN紫外光探测器具有暗电流低、响应速度快、开关比高等特点。
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公开(公告)号：CN112098786A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910456159.7
申请日：2019-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , H04B10/079
Abstract: 本发明公开了一种适用于光通信发光器件的在线综合测试系统和方法，其系统包括：LED/LD负载电路板、电参数发生及测试装置、交流小信号发生装置、温度控制及探测装置、光信号探测装置、LED/LD调制特性测试系统中央监控及处理计算机。本发明不仅仅可测试其光学特性，而且可以原位进行器件的电学特性、热学特性和交流小信号下器件的频率响应特性随器件结温的变化进行监控。
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公开(公告)号：CN109440180A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811182263.3
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多孔III族氮化物及其制备方法，该制备方法包括：在掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层；利用光刻技术在保护层上表面形成图案化的光刻胶；刻蚀没有光刻胶覆盖的保护层至III族氮化物薄膜表面，暴露III族氮化物；刻蚀暴露的III族氮化物表面至预设深度；将所得III族氮化物作为阳极，进行电化学腐蚀，电化学腐蚀期间施加周期性变化的工作电压，制备具有准周期性的多孔III族氮化物。本发明可成功制备具有准周期性的多孔III族氮化物，通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小及电压变化周期，可实现孔大小、孔的形状以及周期的调控，方法简单且易操作。
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公开(公告)号：CN108987500A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810722928.9
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 一种金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体，包括：衬底；缓冲层，位于衬底之上；复合材料层，位于所述缓冲层之上，包括横向多孔氮化物模板层，以及填充于其多孔中的金属纳米线，上述复合材料半导体的制备方法包括：步骤1：在衬底上生长制备缓冲层和n型氮化物外延层；步骤2：将步骤1所制备的n型氮化物外延层制成横向多孔氮化物模板层；步骤3：在步骤2所制备的横向多孔氮化物模板层的孔中制备金属纳米线，得到复合材料层，制成金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体，以缓解现有技术中半导体材料在光电化学反应过程中易被腐蚀，利用局域表面等离子体增强效应提高半导体内部材料的光电特性时制备工艺复杂，易损伤体材料等技术问题。
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