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公开(公告)号：CN113553028B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202110821974.6
申请日：2021-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于概率比特电路的问题求解优化方法及系统。其中，该方法包括：对目标求解问题进行建模转换以获取对应的哈密顿量关系；根据哈密顿量关系，获取概率比特电路的列哈密顿量；以及基于对概率比特电路的行翻转操作，对列哈密顿量进行并行退火迭代处理，以获得更新概率比特组态，实现问题求解优化。因此，相对于现有技术中传统数字计算机的问题求解，本公开实施例的方法通过基于概率比特电路的翻转操作，实现并行概率退火处理的大规模运行，从而实现对问题求解过程的优化，使得问题求解更为精确、快速且问题求解的适用范围更广。
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公开(公告)号：CN113764153A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111040979.1
申请日：2021-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多层磁性薄膜器件及其制备方法、磁存储器，其中，上述多层磁性薄膜器件包括从下至上依次设置的如下结构：衬底、第一磁性层、非磁层、第二磁性层；上述第一磁性层的居里温度高于上述第二磁性层；上述非磁层用于实现上述第一磁性层与上述第二磁性层之间的层间交换磁耦合。
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公开(公告)号：CN113192547A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110477473.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种自旋轨道矩器件的操作方法，其中，自旋轨道矩器件包括设置于表面的图形化电极，图形化电极包括至少一个输入端和至少一个接地端，操作方法包括：对图形化电极的每个输入端施加电压脉冲，以调节图形化电极的电流密度梯度，电流密度梯度用于确定自旋轨道矩器件的磁化翻转概率。此外，本公开还提供了一种自旋轨道矩器件及其操作装置。
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公开(公告)号：CN110828657A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911124046.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L43/08
Abstract: 本公开的示例性实施例提供了一种自旋阀和包括所述自旋阀的自旋电子器件。所述自旋阀可以包括依次堆叠的两个或多个磁性层，其中，所述两个或多个磁性层中的任意两个相邻磁性层具有不同的矫顽力，且所述任意两个相邻磁性层中的至少一个磁性层是范德瓦尔斯磁性层，其中，所述范德瓦尔斯磁性层是指由范德瓦尔斯磁性材料形成的磁性层。
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公开(公告)号：CN110232939A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910496207.5
申请日：2019-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件，存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，通过在所述自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于所述自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，激光对所述磁性自由层照射加热产生所述磁性自由层磁性的梯度变化，并联合所述自旋流使所述磁性自由层的磁矩发生定向翻转；保护层。本发明通过激光对磁性自由层的照射加热产生磁性的梯度变化，以及在自旋轨道耦合层施加电流后，通过自旋轨道耦合层与磁性自由层界面产生的自旋流诱导梯度变化磁性薄膜的磁矩定向翻转，即可实现无外磁场下调控磁化的翻转，可有效降低能耗，热效应得到有效控制，进而延长器件的工作寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106531884B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201611213900.X
申请日：2016-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件。其中，存储单元包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，导致自旋轨道耦合层产生自旋流。位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性随机上下翻转。联合铁电层施加的第一电压，所述自旋流可以诱导第一磁层发生定向翻转。本发明通过对铁电层两端施加电压产生铁电极化，产生非均匀自旋轨道耦合效应，可调制电流诱导磁性薄膜磁性翻转的方向。
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公开(公告)号：CN105932153B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610412360.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L43/06
Abstract: 本发明提出一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管及其构成的逻辑器件。晶体管具有复合多层膜结构：压电层/磁性薄膜/保护层，或者导电层/压电层/磁性薄膜/保护层。本发明通过对压电薄膜两端施加电压产生形变，该形变转移到上层的磁性薄膜中。本发明利用压电实现室温零磁场下磁化的翻转。本发明具有低功耗、响应时间短、集成度高和在室温下工作的优点。
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公开(公告)号：CN105932153A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610412360.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L43/06
CPC classification number: H01L43/06
Abstract: 本发明提出一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管及其构成的逻辑器件。晶体管具有复合多层膜结构：压电层/磁性薄膜/保护层，或者导电层/压电层/磁性薄膜/保护层。本发明通过对压电薄膜两端施加电压产生形变，该形变转移到上层的磁性薄膜中。本发明利用压电实现室温零磁场下磁化的翻转。本发明具有低功耗、响应时间短、集成度高和在室温下工作的优点。
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公开(公告)号：CN102627972A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210079731.0
申请日：2012-03-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C09K13/00
Abstract: 本发明一种GaAs半导体材料刻蚀液的配方，包括：柠檬酸、过氧化氢和去离子水；其是先将柠檬酸和去离子水按预定比例混合，再加入过氧化氢搅拌均匀。其中该刻蚀液是先将1g的柠檬酸晶体兑入1ml的去离子水中，搅拌均匀，再加入浓度为30％的过氧化氢，柠檬酸晶体与去离子水之和与过氧化氢的体积比为66∶1。使用的本发明柠檬酸配方中，对GaAs材料的刻蚀速率控制在2.0nm/s-2.8nm/s。
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公开(公告)号：CN113764153B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111040979.1
申请日：2021-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多层磁性薄膜器件及其制备方法、磁存储器，其中，上述多层磁性薄膜器件包括从下至上依次设置的如下结构：衬底、第一磁性层、非磁层、第二磁性层；上述第一磁性层的居里温度高于上述第二磁性层；上述非磁层用于实现上述第一磁性层与上述第二磁性层之间的层间交换磁耦合。
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